集成电路用高纯金属溅射靶材发展研究

高纯金属溅射靶材是集成电路用关键基础材料，对实现集成电路用靶材的全面自主可控，推动集成电路产业高质量发展具有基础性价值。本文分析了集成电路用高纯金属溅射靶材的应用需求，梳理了相应高纯金属溅射靶材的研制现状，涵盖高纯铝及铝合金、高纯铜及铜合金、高纯钛、高纯钽、高纯钴和镍铂、高纯钨及钨合金等细分类别。在凝练我国高端靶材制备关键技术及工程化方面存在问题的基础上，着眼领域2030年发展目标，提出了集成电路用高纯金属溅射靶材产业的重点发展方向：提升材料制备技术水平，攻克高性能靶材制备关键技术，把握前沿需求开发高端新材料，提升材料分析检测和应用评价能力。研究建议，开展“产学研用”体系建设，解决关键设备国产化问题，加强人才队伍建设力度，掌握自主知识产权体系，拓展国际合作交流，以此提升高纯金属溅射靶材的发展质量和水平。     

纯铜/铜合金高反射材料粉末床激光熔融技术进展EI北大核心CSCD

纯铜/铜合金具有优异的导热、导电性能,是重要的工业材料。以粉末床激光熔融为代表的激光增材制造技术具有优良的设计自由度及成形精度,是增材制造的主流发展方向。纯铜/铜合金的粉末床激光熔融与传统加工制造技术相比,前者能够更好地发挥铜优异的性能,在电子电气、汽车、航空航天等导热/导电高需求领域具有广阔的应用前景。本文综述了以纯铜/铜合金为代表的激光高反射材料的粉末床激光熔融的研究现状、面临的重要问题以及相应的解决对策分析。在此基础上,结合本课题组在纯铜/铜合金粉末床激光熔融过程的经验,指出运用蓝光、绿光等短波长激光器进行纯铜/铜合金等高反射材料的粉末床激光熔融是未来的研究热点与发展方向。     

新材料技术领域“大尺寸超高纯铝靶材的制造技术”重点项目申请

<正>1.项目名称大尺寸超高纯铝靶材的制造技术2.项目主要研究内容(1)超高纯度铝原料的制备技术。针对大规模集成电路制造用及TFT-LCD制造用超高纯铝及铝合金靶材的要求,开展化学纯度99.999%-99.9995%的超高纯铝精炼提纯技术研究。(2)进行大型铝及铝合金靶材的形变加工成型与微     

选区激光熔化成形铜合金研究进展

铜合金具有良好的导电导热性,是众多行业的基础材料,随着高新技术的迅速发展,许多行业对高性能、高精度、复杂结构铜合金零部件需求日益增大。传统工艺可制备常规铜合金零件,但对于一些复杂结构铜合金零部件的制备存在困难。首先,本文综述了选区激光熔化成形铜及铜合金的研究进展,系统介绍了目前选区激光熔化成形纯铜所遇到的难点及解决方法;然后,综述了目前选区激光熔化成形不同系列铜合金的研究现状,重点介绍了不同系列铜合金成形件微观组织和力学性能及热处理后成形件微观组织和力学性能变化;最后总结了选区激光熔化成形铜及铜合金存在的问题及未来的研究方向。     

高强度高导电铜及铜合金研究

<正>铜(Cu)因导电等性能优异而被广泛的应用于电气电子工业中[1],但纯铜硬度、抗拉强度、抗蠕变性能均较低[2],难于满足电气电子工业某些工况条件下对其强度的要求。而高强度高导电铜合金因其高导电、高强度,良好的抗磨损、抗电弧侵蚀等性能得以广泛应用[3],如可用作集成电路引线框架[4]、电气工程开关触桥、电气化铁路接触导线、大功率异步牵引电动机转子等[5]。一、高强度高导电铜合金的制备概述研究表明,铜合金中如果合金元素加入量很少,则强化效果不明显。这是因为太少的固溶原子不足以形成足够的Cottrell气团以钉扎位错,从而导     

纯铜和铜合金中杂质元素的ICP分析法

用HCl—HNO_3—HF处理纯铜和铜合金样品,用电感耦合等离子体光谱法(ICP法)对纯铜和铜合金样品中常见的锰、铁、硅、镍、锌、镁、铝等7个元素同时测定,取得了较好的结果。解决了用HCl—HNO_3处理铜样品时由于酸不溶性硅而使硅的测定结果偏低的问题。用本法对2个纯铜标样和6个铜合金标样进行了分析,其准确度和精密度数据令人满意。     

集成电路电极布线用铝合金薄膜及其溅射靶材

近年来 ,铝合金薄膜广泛用作半导体集成电路的电极布线材料。作为制备溅射薄膜材料的铝合金靶材也获得了相应的应用。本文介绍了集成电路电极布线用铝合金薄膜及其溅射靶材的种类和性能 ,铝合金靶材的制备工艺以及铝合金靶材的发展趋势。     

集成电路电极布线用铝合金薄膜及其溅射靶材

近年来,铝合金薄膜广泛用作半导体集成电路的电极布线材料。作为制备溅射薄膜材料的铝合金靶材也获得了相应的应用。本文介绍了集成电路电极布线用铝合金薄膜及其溅射靶材的种类和性能,铝合金靶材的制备工艺以及铝合金靶材的发展趋势。     

最新专利信息

陶瓷增强铜合金及其制取方法公开号 :ＣＮ12 5 0 10 8Ａ ;公开日 :2 0 0 0 .4.12 ;申请人 :张日林本发明公开了一种陶瓷增强铜合金及其制备方法 ,该铜合金包括铜基体材料和作为增强相的硼化物陶瓷 ;作为增强相的硼化物陶瓷占铜合金重量的 2 %～ 8% ;硼化物增强相是二硼化锆 (ＺｒＢ2 )或二硼化钛 (ＴｉＢ2 ) ;该方法包括冶炼法和粉末冶金两种方法 ;本发明所提供的陶瓷增强铜合金可以用于微电子工业中大规模集成电路的引线框架材料、接插件材料、电阻焊电极材料 ,以及一些要求高导电性、高强度、高软化温度的应用领域。低钴镧镨铈 镍系贮氢合…     

铜基引线框架材料的研究与发展

引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一，其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等。随着IC向高密度、小型化、大功率、低成本方向发展，集成电路I/O数目增多、引脚间距减小，对引线框架材料提出了高强度、高导电、高导热等多方面性能上的要求。由于拥有良好的导电导热性能，铜合金已成为主要的引线框架材料。本文对电子封装铜合金引线框架材料的性能要求、国内外研究与发展等进行了综述。     

铜基集成电路引线框架材料的发展概况

阐述了集成电路的发展及其对引线框架材料的要求。综述了国内外目前使用铜基集成电路引线框架材料的现状及所开发的高强度高导电铜基引线框架材料的特性，并指出了今后的发展方向。     

Zr含量对高纯铜锻件热处理工艺及性能的影响

本文介绍了在高纯铜中加入0.1%～0.3%(w)Zr元素后,材料的热处理工艺及性能的变化情况。试验研究表明,Zr含量变化对高纯铜合金锻件的最佳固溶温度影响甚微,但随着Zr含量的增加合金的最佳时效温度则随之提高。工业化生产中Zr元素的熔炼收得率稳定性较差,因此含Zr的高纯铜锻件不宜进行批量热处理,应以材料的实际含Zr量水平作为制定热处理工艺的依据。     

铍铜替代用高性能铜基弹性合金的开发现状

高性能铜基弹性合金的开发是国内外铍铜行业普遍关注的焦点。本文概述了铍铜替代用高性能铜基弹性合金如Cu-Ti系、Cu-Ni-Sn系、Cu-Ni-Cr系、Cu-Ni-Mn系、Cu-Ni-Al系合金等的开发现状。指出了国内外在铍铜替代用高性能铜基弹性合金领域的研发及应用水平差距。     

高强高导铜合金的研究状况

高强高导电铜合金是一类具有优良综合性能的功能材料和结构材料,被广泛应用于电子、机械等领域,本文阐述了高强高导铜合金的研究现状,系统介绍了此类合金的强化机理、制备方法及组织和性能特点,并且分析了稀土的作用机制及对该类铜合金性能的影响,最后展望了该类合金的发展前景。     

Fe和C元素对铜合金组织结构及力学性能的影响

目的 增强铜合金的强度、硬度,拓展该合金的应用范围.方法 在铜粉中添加不同比例共析成分的铁粉和石墨粉,利用真空热压烧结法,制备Cu-Fe-C合金.结果 热压烧结可以原位生成渗碳体;随着铁粉、石墨粉添加量的增加,铜基体的硬度持续增加,Cu-Fe-C合金的抗拉强度先上升后下降;当铁粉和石墨粉的质量分数为5％时,抗拉强度由197 MPa增大至281 MPa,提升了43％.结论 强度和硬度的升高是第二相引起的晶粒细化和第二相强化所致,强度先升后降的原因是随着石墨粉的增加,石墨粉聚集区逐渐增多,割裂了铜基体.     

高强度合金无氧铜导电线材研究

本文介绍了高强度合金无氧铜导电线材的成分设计和强化机理，对合金线材的微观组织及质量控制进行了研究、分析，提出了一种高强度、抗疲劳、超细铜合金导电线材及其生产工艺。     

铜合金增材制造技术研究进展

增材制造技术的迅速发展,给铜合金制造技术提供了新的发展动力。主要综述了近年来国内外不同铜合金增材制造工艺的方法,分析了增材制造研究过程中遇到的增材制造试样晶粒易粗大、易形成裂纹及易引入杂质等问题,对比了不同增材制造工艺方法下,制备的铜合金试样的微观组织和力学性能。在此基础上,着重综述了铜合金增材制造技术研究在不同增材制造工艺方法方面的进展,并对增材制造试样与传统铸造试样的微观组织和力学性能进行对比。最后,对铜合金增材制造技术研究进展进行总结,并对其发展前景和发展方向进行展望。     

锗烷合成工艺及用途概述

锗烷主要用于半导体、光伏太阳能和集成电路行业,是制造高纯锗和各种硅锗合金的重要原材料.主要介绍了锗烷的合成方法：化学还原法、电化学反应法、等离子合成法.同时介绍了锗烷的性质和用途.     

铜合金半固态流变成形及制备技术研究进展

金属半固态成形已有近50年的发展历史,因其加工优势和市场价值备受关注,并形成了很多加工方法,其中半固态流变成形工艺效率高、成本低,具有较好的发展前景。由于铜合金熔点普遍较高,目前针对其进行的半固态工艺研究较少。简要综述了针对铜合金的半固态流变成形及制备技术的研究新进展,包括各新工艺的加工过程、最优工艺参数选择及工艺过程的机理等,分析了各工艺目前尚存在的问题和原因。阐述了半固态流变制备工艺模型及机理的新进展,并对其发展趋势进行了分析和展望,认为半固态流变成形技术未来的研究方向有半固态浆料制备新方法、新型半固态合金和半固态组织演变机制及其控制方法等。