Y2O3掺杂BaTiO3陶瓷的介电特性

讨论了掺杂Ｙ２Ｏ３的ＢａＴｉＯ３陶瓷的介电特性，并计算了晶粒电阻、晶界电阻、晶界宽度和晶界势垒高度，也讨论了在掺Ｙ２Ｏ３材料中加入少量Ｌｉ２ＣＯ３对材料微观结构与宏观性能的影响。     

PMN铁电陶瓷B位有序与介电弛豫特性研究

本文采用退火热处理及掺入La³⁺离子两种方法,利用高分辨透射电镜、选区电子衍射、X射线衍射等技术对B位离子有序结构与介电弛豫性能的关系进行分析．研究表明,B位离子有序化是直接提高弥散相变（DPT）程度的原因,其机理是离子扩散,存在扩散平衡．退火仅能提高有序度,无法改变有序区尺寸;通过La³⁺离子掺杂,可有效提高有序区域大小,由于是非化学计量比,造成Nb⁵⁺离子在无序区中过度富集,形成焦绿石相．     

锆钛酸钡陶瓷的介电性能研究

采用溶胶．凝胶法制备了掺锆钛酸钡（Ba（Zr0.2Ti0.8）03，简称BZT20）介电陶瓷。通过SEM电镜观察其表面形貌，X射线衍射（XRD）分析其相结构，阻抗分析仪测量BZT陶瓷的介电温谱。结果发现，通过掺锆（Zr含量为20％（摩尔分数）），SEM电镜照片表明制备的BZT20陶瓷粒径约60gm，XRD结果说明掺锆钛酸钡BZT20陶瓷是单一的钙钛矿结构，室温下为三方相结构。锆钛酸钡介电常数温谱没有明显的频率弥散，提高测试频率，温谱的峰值未发生漂移。     

Tb掺杂LaMnO3材料的电输运与介电性能研究

采用固相反应法制备了A位掺杂的La0.95Tb0.05MnO3(LTMO)钙钛矿材料。研究了LTMO的电输运性能、磁性能以及介电性能。结果表明,LTMO表现出半导体电输运特性,其磁序结构表现出类自旋玻璃行为,而其介电性能在100K附近表现出弛豫特性,当温度高于100K时LTMO介电常数ε′随温度的升高几乎不变化,表现出介电常数的高温稳定性。     

新型的Sol-gel法制备Ba0.6Sr0.4TiO3铁电陶瓷

采用新型的Sol-gel工艺制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)超细粉体,将BST粉体进行压制和烧结,获得了晶粒尺寸在1μm以内的BST陶瓷块体.观察了BST陶瓷块体的结晶情况并测定了其电学性能.在Sol-gel工艺中,加入了有机大分子量聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone,PVP)制备BST前驱体.实验结果表明:PVP的加入可有效增加前驱体的稳定性和分散性,降低BST陶瓷的预烧温度约250℃,并在1200℃获得晶粒细小、致密的BST陶瓷.BST陶瓷,显示弥散相变特征.     

Pb1—xLaxTiO3薄膜的制备及介电特性研究

用溶胶－凝胶法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）基底上制备Ｐｂ１－ｘＬａｘＴｉＯ３（ＰＬＴ,ｘ〈０．２）薄膜,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能。在６００℃下退火１小时的ＰＬＴ薄膜表现出单一的钙钛矿结构,（１００）择优取向明显,在室温下ＰＬＴ薄膜有典型的电滞回线。在ｘ〈０．２（摩尔比）的范围内,ＰＬＴ薄膜相对介电常数则随着Ｌａ的增加而增加。     

(Pb1-xSrx)TiO3系铁电陶瓷介电特性的测试分析

采用常规陶瓷工艺掺杂不同含量的分析纯SiO2和La2O3,在不同烧结温度下, 制备了系列(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电陶瓷.对所制备的PST铁电陶瓷的介电特性进行了测试分析.1250℃烧结温度较1200℃烧结温度下样品在居里点处的温度系数α有所提高,介电常数ε略高(均在103量级),介电损耗D略有降低.随着工作频率的增加,样品介电常数有较明显的下降,介电损耗D略有增加.     

稀土元素Ln对SrTiO3陶瓷介电性质的影响

用稀土元素改性的SrTiO3陶瓷采用传统的陶瓷工艺来制备.本文研究了SrTiO3基陶瓷,(1+x)SrTiO3+x(Ln@4TiO2)陶瓷的介电性质,并且报道了稀土元素Ln(Ln=La2O3、Nd2O3、Y2O3或CeO2)对SrTiO3基陶瓷的ετ和tgδ的温度特性和频率特性的影响.     

新型的Sol-gel法制备Ba0．6Sr0．4TiO3铁电陶瓷

采用新型的Sol-gel工艺制备了Ba0．6Sr0．4TiO3（BST）超细粉体，将BST粉体进行压制和烧结，获得了晶粒尺寸在1μm以内的BST陶瓷块体。观察了BST陶瓷块体的结晶情况并测定了其电学性能。在Sol—gel工艺中，加入了有机大分子量聚乙烯吡咯烷酮（polyvinyl pyrrolidone，PVP）制备BST前驱体。实验结果表明：PVP的加入可有效增加前驱体的稳定性和分散性，降低BST陶瓷的预烧温度约250℃，并在1200℃获得晶粒细小、致密的BST陶瓷。BST陶瓷，显示弥散相变特征。     

异相陶瓷界面对多层陶瓷电容器介电特性的影响

借助于电子显微镜和介温谱仪,研究了热稳定型复相多层陶瓷电容器中存在的异质、异相陶瓷界面的互扩散对其介电特性的影响。结果表明,异质界面之间存在明显的扩散层。其中不同铁电陶瓷之间过渡层的形成虽有助于改善电容器的容温特性,提高界面的粘接强度,但这民在一定程度上破坏了原先的结构设计,改变了元件的电容值。另外,由于不同铁电陶瓷相的烧结特性的不匹配易导致出现界面裂纹和空洞等共烧缺陷,从而提高了元件的介电损耗,相对疏松的界面易出现在涂覆端电极时镀液的渗入,降低了可靠性。     

SrTiO3基陶瓷的介电谱研究

采用标准的固相反应法制备成０．９１（Ｓｒ０．８４Ｐｂ０．１６）ＴｉＯ３＋０．０９（Ｂｉ２Ｏ３·３ＴｉＯ２）介电陶瓷（缩记为ＳｒＴｉＯ３基陶瓷），并详细地研究了此种陶瓷的介电谱，即介电温度谱和介电频率谱。由介电谱确定了此种陶瓷的结构相变、居里温度、介电弛豫频率和介电弛豫时间，并对它们进行了讨论。     

钇掺杂改性PbTiO3纳米陶瓷介电特性及复阻抗研究*

报道了sol-gel技术制备Pb1-x YxTiO3纳米陶瓷(x=0.1%,0.2%,0.4%,0.8%,1.2%,1.6%).试样采用介电分析仪测试.结果发现,当钇掺杂量高于0.4%时,可以烧结得到致密陶瓷片,不同掺杂量的PbTiO3在居里温度区域都出现电容量激增现象.在该区域介电损耗(tgδ)出现突变峰,峰高依次为0.8%,0.4%,1.2%,居里点以下,tgδ大小顺序为0.4%＞0.8%＞1.2%.陶瓷复阻抗虚部随温度升高而降低,实部几乎不随温度变化.且居里点以上,实部和虚部复阻抗趋同.     

掺锰钛酸钡PTC陶瓷复合材料介电特性的研究

应用标准的陶瓷制备工艺制备掺锰钛酸钡ＰＴＣ陶瓷复合材料，在不同电场频率下测试样品的相对介电常数－温度特性，发现当温度高于居里点后，开始不同掺锰浓度样品的相对介电常数随温升级慢变化，到达某特殊温度时，出现异常跃升；异常跃升的起始温度依赖于掺杂浓度和测试电场频率，其峰值随测试电场频率的降低而增大。通过分析相关的物理过程应用离子极化理论对测试结果进行讨论。     

PBLZT弛豫铁电陶瓷的动态及偏压介电和压电特性

测量了３ｍｏｌ％Ｂａ掺杂的ＰＬＺＴ１０／６５／３５弛豫铁电陶瓷的电滞回线、横向场诱应变、偏压下的介电常数和压电常数,并根据电滞回线和场诱应变曲线的斜率计算了动态介电常数和压电常数．实验表明,电场＜８ｋＶ／ｃｍ时,动态介电常数比偏压介电常数大很多,电场＞８ｋＶ／ｃｍ时,差值随电场增大而减小;电场在３～１５ｋＶ／ｃｍ之间时,动态压电常数比偏压压电常数大很多,电场＜３ｋＶ／ｃｍ及＞１５ｋＶ／ｃｍ时,动态压电常数和偏压压电常数相差不大．     

PbTiO3基陶瓷介电频谱的研究

在１ｋＨｚ－３．０ＧＨｚ范围内研究了ＰｂＴｉＯ３基陶瓷的介电频谱，给出了此种陶瓷在高频和超高频以及微波频率领域中应用的一些重要信息。     

La2O3掺杂的SrTiO3陶瓷的介电性质

SrTiO_3陶瓷是一种具有多功能特性的介质材料。用La_2O_3掺杂改性的SrTiO_3陶瓷,可以提高其介电常数和降低介质损耗,对其介电温度特性和介电频率特性也有明显的改善.本文主要报道 La_2O_3对SrTiO_3陶瓷介电性质的影响。     

(1-x)BaTiO3-xCaTiO3陶瓷介电特性与La掺杂半导化研究

制备了(1-x)BaTiO3-xCaTiO3(x=0.0～1.0)陶瓷(BCT系)和La掺杂(1-x)BaTiO3-xCaTiO3(x=0.2～0.3)陶瓷(BCTLa系).研究了BCT系和BCTLa系陶瓷的微观形貌、结构和介电性能,验证了BCT系陶瓷在Ca组分x=0.24～0.90之间的复相结构.研究发现,BCTLa系陶瓷的性质与预期相差甚远,介电常数增长10倍以上,损耗急剧增大,电阻率锐减,较纯BaTiO3下降5～6个数量级,绝缘性能变差,实现了半导化,并分析了半导化原因.     

{110}cub切型Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3单晶铁电相变的研究

测试了PMNT68/32{110}_cub切型单晶的介电、压电性能和电滞回线,发现单晶铁电性能与所施加的极化电场及单晶中PbTiO3含量的变化密切相关.研究结果表明,相结构的变化是引起铁电性能变化的主要原因,即在<110>取向施加电场诱导出来的正交相是本征亚稳的,它的稳定性不仅取决于所施加的极化电场大小,而且与单晶中PbTiO₃含量的变化密切相关.     

垂直铁电反铁电相界的PSZT陶瓷材料的相变研究

利用 Goldschmidt 因子计算具有垂直铁电(F)反铁电(AF)相界的 PSZT 三元系材料,并由实验证实。透射电镜观察到 F、AF 两相在同一晶粒内共存。用电滞回线、热释电、介电等方法测试了该相界附近材料的宏观电性能,研究了它们在外电场和静压力下的诱导相变行为及变化规律。