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制备Li_2CO_3-V_2O_5(LV)共掺杂0.6Mg_4Nb_2O_9-0.4SrTiO_3复合陶瓷,研究了LV掺杂对其烧结特性、相结构和微波介电性能的影响。结果表明:一定量LV掺杂使0.6Mg_4Nb_2O_9-0.4SrTiO_3复合陶瓷生成了Sr(NbTi)O_(3+δ)和MgO杂相,并使其致密化烧结温度降低(至1175℃);1.5%LV掺杂,在1175℃烧结5 h的样品具有较高的微波介电性能:τ_f=0.15 ppm/℃,ε_τ=20.1,Q·f=10240 GHz(at 8.5 GHz)。 相似文献
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利用传统的固相法制备BaO-Sm2O3-TiO2系陶瓷。通过复合添加氧化物ZnO、CuO和玻璃料Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2(BBZS),系统的烧结温度降至900℃。研究了玻璃料的添加量对介电性能的影响。按BaSm2Ti4O12+1%(质量分数)ZnO+1%(质量分数)CuO+x%(质量分数)BBZS(0<x≤30)配方,当x=25,预烧温度为1100℃和烧结温度为900℃时,有以下的微波特性:εr=60.51,Qf=2256GHz,τf=15.02×10^-6/℃,该陶瓷材料有望与纯Ag电极共烧,应用到LTCC领域。 相似文献
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研究液相多元添加对BaTi4O9微波介质陶瓷的烧结和介电性能的影响.通过添加(CuO和V2O5)烧结助剂来达到降低烧结温度的效果,并且使其保持较好的微波、高频性能.实验结果表明在添加合适的烧结助剂下,烧结温度为1180℃时,BaTi4O9微波介质陶瓷在1MHz下的介电性能ε=41.2,tgδ=5,τ=82×10-6/℃.基本保持了良好的介电性能. 相似文献
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采用固相反应法制备了Co3O4掺杂Mg2SiO4微波介质陶瓷,研究Co2+离子掺杂对Mg2SiO4陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响.结果表明:Co2+可以完全取代Mg2+固溶在Mg2 SiO4晶体中形成(Cox Mg1-x)2SiO4固溶体,通过调整加入的Co3O4的摩尔量可以获得介电性能优良的微波陶瓷.当x=0.025时,在1250℃下保温3h,( Co0.025Mg0.975)2 SiO4陶瓷具有良好的介电性能为:εr=7.7,Q=8850(1.8MHz),电容温度系数为50.4×10-6/℃. 相似文献
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采用传统固相法制备Mg4Nb2O9/CaTiO3复合陶瓷,研究Li2CO3-V2O5(LV)共掺杂对其烧结特性、微观结构和微波介电性能的影响.实验结果表明:一定量的LV掺杂能够使Mg4Nb2O9/CaTiO3复合陶瓷的烧结温度降至1200℃;XRD和EDX综合分析表明,样品由(Mg4-xCax)Nb2O9/(Ca1-x... 相似文献
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纳米Al2O3对纳米4YSZ复相陶瓷结构和性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
以纳米4YSZ和纳米Al2O3粉末为原料,对掺少量Al2O3的4YSZ无压烧结体的烧结特性、结构和性能进行了研究。掺适量的Al2O3可降低烧结温度,减缓4YSZ晶粒的长大。少量的交接渗透强化了晶界,烧结体断裂倾向于穿晶断裂,提高了烧结体硬度。 相似文献
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为降低CaSiO3陶瓷的烧结温度,通过在CaSiO3粉体中添加1wt%的Al2O3以及不同量的V2O5,探讨了V2O5添加量对CaSiO3陶瓷烧结性能、微观结构及微波介电性能的影响规律。结果表明:适量地添加V2O5除了能将V2O5-Al2O3/CaSiO3陶瓷的烧结温度从1 250℃降低至1 000℃外,还能抑制CaSiO3陶瓷晶粒异常长大并细化陶瓷晶粒。在烧结过程中,V2O5将熔化并以液相润湿作用促进CaSiO3陶瓷的致密化进程;同时,部分V2O5还会挥发,未挥发完全的V2O5将与基体材料反应生成第二相,第二相的出现将大幅降低陶瓷的品质因数。综合考虑陶瓷的烧结性能与微波介电性能,当V2O5添加量为6wt%时,V2O5-Al2O3/CaSiO3陶瓷在1 075℃下烧结2h后具有良好的综合性能,其介电常数为7.38,品质因数为21 218GHz。 相似文献
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讨论了低温烧结(Zr0.8Sn0.2)TiO4微波介质陶瓷的晶相组成与制备工艺、掺杂离子的关系,结果表明粉体的合成温度对烧结体的晶相构成有很大的影响,进而影响材料的谐振频率温度系数τf,稍高的合成温度有利于提高α-PbO型ZST相的稳定性,使谐振频率温度系数τf由107 ppm/℃降至20.88 ppm/℃.采用Nb5+离子掺杂能更有效地抑制烧结过程中游离氧化物相的析出,当Nb5+达到0.15mol%时,920℃烧结样品的介电常数为25,谐振频率温度系数τf为-2.44 ppm/℃,品质因数Q·f达4868GHz(5GHz). 相似文献
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通过传统的固相反应方法制备了低温烧结微波介质陶瓷BiMg2VO6, 研究了该陶瓷与银的化学兼容性、物相、形貌及在720~840℃内的密度和微波介电性质, 并测试了陶瓷的红外反射光谱。结果表明: 陶瓷在780℃条件下与银共烧不发生反应, 相对密度大于93.8%。在780℃条件下烧结2 h得到的陶瓷具有最好的微波介电性能: 介电常数为13.4, Q×f值为15610 GHz (f = 8.775 GHz), 温度系数为-87.2×10-6/℃。红外反射谱数据处理显示, BiMg2VO6的光频介电常数ε∞ = 3.4, 微波频段的外推值为13.5。BiMg2VO6陶瓷好的微波介电性能和低的烧结温度, 使其有望用作新的低温共烧陶瓷。 相似文献
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基于玻璃形成理论和能量最小原理了玻璃组元与PCLFN陶瓷的微波介电性能之间的关系。PbO-B2O3基玻璃添加剂能够降低PCLFN陶瓷的烧结温度100-150℃。当PCLFN在1000-1050℃空气中烧结,Qf=3945-4796GHz,介电常数K=100。PbO-B2O3基玻璃的组成也会影响PCLFN陶瓷的微波介电性能。三种PbO-B2O3基玻璃中,PbO-B2O3-V2O5玻璃是最有效的烧结助剂。 相似文献
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微波介质陶瓷在现代化的移动通信技术中发挥着越来越重要的作用,而多层片式结构是实现微波电路元器件进一步小型化的重要途径。多层片式结构需要实现微波介质陶瓷同高导电率的电极如Ag、Cu的共烧,然而Ag(961℃)、Cu(1064℃)的熔点相对陶瓷的烧结温度比较低。因此,在保证陶瓷材料良好介电性能的同时,寻找能够与Ag、Cu共烧的低温烧结的微波介质陶瓷将是今后发展的方向。我们研究了一种新的微波介质陶瓷Ca3Li Ni V3O12(CLNV),其最佳烧结温度在900℃,可以达到和熔点较低的Ag电极的共烧,共烧时样品和Ag电极界面处并没有界面反应和发生明显的扩散现象。CLNV陶瓷的相对介电常数εr=11.84;相对密度D=3.48g/cm3。 相似文献
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研究了复合烧结助剂ZnO-B2O3-SiO2(ZBS)玻璃和LiF添加量对Ca0.6La0.8/3TiO3-Li0.5Nd0.5 TiO3(CLLNT)陶瓷相结构、烧结特性及介电性能的影响.加入复合烧结助剂(ZBS玻璃和LiF)后,CLLNT陶瓷的烧结温度从1400℃降至1000℃;当ZBS玻璃的添加量为4%(质量分数,下同)、LiF的添加量小于3%时,CLLNT陶瓷样品中没有发现第二相,主晶相仍为斜方钙钛矿结构;当ZBS玻璃的添加量为4%、LiF的添加量为1%时,CLLNT陶瓷在1000℃烧结3h获得最佳性能,介电常数εr=97,Q×f=1286GHz,TCF=43×10-6/℃(4GHz). 相似文献