Si（Li）探测器系统噪声的测量及低能X射线能量分辨的计算

从实验和理论讨论分析了Ｓｉ（Ｌｉ）探测器、前置放大器的噪声对Ｓｉ（Ｌｉ）探测器的探测范围的影响，分析了目前国产Ｓｉ（Ｌｉ）探测器、前置放大器的噪声情况，得出我国目前探测器系统的噪声技术可以实现Ｏ、Ｆ等轻元素的测量，并计算了测量Ｃ、Ｎ元素时探测器系统的极限噪声值（对Ｆｅ源的５．８９４ｋｅＶ）。     

电致冷高分辨率Si（Li）能谱仪

电致冷高分辨率Ｓｉ（Ｌｉ）Ｘ射线能谱分析仪采用电阻反馈前置放大器，灵敏面积为２８ｍｍ＾２Ｓｉ（Ｌｉ）探测器，对＾５５Ｆｅ５．９ｋｅＶＸ射线，能量分辨率（ＦＷＨＭ）为７００ｅＶ左右，对探测器在不同温度下随偏压的变化，致冷功率与温度关系，冷却温度与时间关系进行了研究。     

大面积Si（Li）探测器

测量了不同温度条件下面积为４９ｍｍ×４９ｍｍ、厚３．５ｍｍ的Ｓｉ（Ｌｉ）探测器的Ｉ－Ｖ特性。Ｓｉ（Ｌｉ）－Ｅ－１和Ｅ－２探测器对＾２３８Ｐｕ５．４９９ＭｅＶ α粒子的能量分辨率例如为５４．４ｋｅＶ和５７．０９ｋｅＶ。     

Si（Li）探测器漂移电源

本文介绍了一种在Ｓｉ（Ｌｉ）探测器漂移过程的漂移电原，这种电源和其它普通电源安全不同，它主要由双向可控硅和双向触发二极管等新型器件组成，使输出直流电压从０～１０００Ｖ范围内连续可调，输出的电流最大为１００ｍＡ，当硅片在漂移过程中，由于温度升高而电流增加时，漂移电压可随之下降，从而保持加在硅片上的功率基本不变，这样保证了不致造成损坏硅片现象，用此电源已成功地漂移出４０块Ｓｉ（Ｎｉ）探测器，现已投入在     

三探头Si（Li）探测器对HL—1M装置中电子温度和重金属杂？…

本文叙述了用三探头Ｓｉ（Ｌｉ）漂移探测器测量ＨＬ－１Ｍ托卡马克芯部等离子体辐射的软Ｘ射线能谱，得到等离子体温度及重金属杂质水平随时间变化，其时间分辨达５０ｍｓ，探测系统的测量范围１．２５￣２５ｋｅＶ之间。     

一种监测低能X射线的Si探测器

低能(50keV以下)光子探测器广泛应用于外大气层核爆监测,天体物理现象研究。采用半导体探测单元试制了低能X射线探测器模块。说明了配置多探测器系统的方法,并介绍了探测单元模块的设计、主要试验和技术指标。室温下噪声等效输入光子能量为2.1keV。     

超薄窗Si（Li）探测器在实验中的应用

用超薄窗Ｓｉ（Ｌｉ）探测器测量低能Ｘ射线，将传统的ＰＩＸＥ谱测量范围推广到如Ｓｉ、Ａｌ、Ｎａ等低原子序数元素。还对超薄窗Ｓｉ（Ｌｉ）探测器的具体应用作了描述。     

Si(Li)探测器对体状X射线源的探测效率

本文用蒙特卡罗方法确定Si(Li)探测器对体状X射线源的探测效率。在体状源被压缩到近似点状源的情况下,用模拟方法所得的效率与能量的关系曲线,同标称值有很好的符合。     

Si(Li)探测器低能区的效率刻度

通过测量19keV电子束轰击厚碳靶产生的韧致辐射能谱，在低能区（>1keV）对Si(Li)探测器进行了探测效率刻度。厚碳靶的理论韧致辐射能谱由Monte-Carlo程序PENELOPE计算，并用²⁴¹Am标准放射源确定出效率刻度曲线的绝对值。采用本工作的刻度方法确定的效率刻度曲线误差主要来源于用标准放射源绝对化的误差，约为5%。将所得初步实验结果与理论计算值进行了比较，并采用最小二乘法对探测器各厚度参数进行了拟合，除Au接触层厚度外，拟合的各厚度值与探测器生产商提供的数据较为吻合。     

硅（锂）线阵列探测器脉冲计数方式实验研究

硅(锂)阵列探测器原设计用于同步辐射冠状动脉血管造影实验的电流测量模式下的X射线光强的测量。根据这种类型探测器的噪声分析,有可能用于脉冲计数模式下的33keVX射线光强的测量。本文介绍了按此设想进行的实验及其结果。     

大面积硅锂漂移探测器制备及其性能

制备了大面积硅锂漂移探测器,其性能为:探测器的灵敏面积123.6 cm~2;灵敏层深度2 mm;在室温和300 V反向偏压的工作条件下漏电流小于20 μA;对~(241)Am 5.486 MeV α粒子的能量分辨(FWHM)为77.67 keV。     

Si（Li）电子谱仪的研制

研制了“无窗”的Ｓｉ（Ｌｉ）电子谱仪，测量了＾２０７Ｂｉ的内转换电子能谱，对能量９７５．６２ｋｅＶ的电子取得了２．０７ｋｅＶ的能量分辨率。     

运用α扫描分析研究影响Si（Li）探测器性能的某些因素

文章讲述了α扫描分析原理和方法，描述了建立的α扫描分析系统，并运用该系统进行了测量分析工作，取得了有意义的结果。