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根据静磁表面波的基本理论建立了静磁表面波带通滤波器的设计模型 ,以实用化的静磁表面波带通滤波器为目标 ,重点考虑了静磁表面波带通滤波器的中心频率与带宽控制问题 .依据模型对滤波器进行了设计、制作和测试 .实际制作的滤波器性能指标为 :中心频率调谐范围为 4 .2~ 5 .2GHz、3dB带宽 180MHz± 6MHz、插损 11dB左右、带外抑制大于 30dB ,与理论设计结果基本一致 ,从而得到了实用化静磁表面波静磁波带通滤波器的原形 .进一步提高器件的中心调谐频率 ,在毫米波段将有广阔的发展前景 . 相似文献
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电调谐电流加权静磁波带通滤波器研究 总被引:1,自引:1,他引:1
一种新型的采用电流加权结构的静磁表面波电调谐带通滤波器已经实现,其指标为:三分贝频带宽度约40MHz(S波段),带外抑制比约35dB,电调谐范围1GHz。该器件可望在信号处理系统中得到应用。 相似文献
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本文主要介绍了一种工作于2~6GHz,3dB带宽大于200MHz的磁调谐带通滤波器的设计原理及方法,这种宽带宽的磁调谐带通滤波器利用多晶铁氧体材料制作,采用了新的耦合结构,为实现宽频带调谐,采用了与传统YIG滤波器磁路结构不同,具有不同磁场梯度的新型磁路结构设计.并通过实验验证了设计的正确性,实验结果表明该种结构设计的磁调谐带通滤波器,不仅工作频段宽,与一般的YIG带通滤波器相比具有3dB带宽,调谐方便的优点,拓展了磁调谐带通滤波器的应用. 相似文献
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本文简要介绍了360MHz声表面波带通滤波器的研制,设计原理、思路和实验结果。已研制出的这种带通滤波器的主要性能是0.5dB带宽⊿f0.5dB 40MHz±8%,带内波动⊿R≤0.5dB,阻带抑制SS≥40dB。 相似文献
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使用Remez交换算法优化设计带有MSC的声表面波带通滤波器 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了将线性相移FIR数字滤波器的优化设计方法-Remez交换算法应用到带有多条耦合器的声表面波带通滤波器的设计中。该方法可以兼顾矩形系数、阻带抑制和带内波纹等多种因素,实现最优设计。还将两个变迹叉指换能器的同步中心选择到了带外,因而可以采用单指结构,降低了工艺要求。最后给出了一个70MHz的中频声表面波滤波器设计实例。 相似文献
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本文采用金属剥离技术在LiNbO3基片上成功地制备了140MHz声表面波带通滤波器。通过选择最佳工艺参数,提高了声表面波滤波器的性能。 相似文献
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The characteristics of a magnetically tunable wideband filter utilising the property of a pass bandwidth of magnetostatic surface waves (MSSW) are given. The pass bandwidths of MSSW obtained experimentally through the Ga-YIG slab having the saturation magnetisation, 1100 Gs and the ordinary transducers consisting of wire antenna vary from 230 to 55 MHz for the operation frequency, 1 to 8 GHz, corresponding to the external static magnetic field. These results could fully be explained by the theory. Loaded Q values of this filter vary from 20 to 270 at the same frequency range as above. 相似文献
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The anisotropy of magnetostatic surface wave (MSSW) propagating in finite width YIG/dielectric/metal layered structure is analyzed. This problem is solved by finding the rigorous solution of each layer from Maxwell equation and the appropriate transmission Green's function matrix (G). From the relationship of Green's function matrixes of dielectric layer and ferrite layer, the dispersion equation is obtained.The MSSW filter is designed to verify the dispersion characteristics. The experiment results are in good agreement with the calculating data from the model. 相似文献
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阶梯接地式静磁表面波延迟线的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文利用阶梯式接地结构来控制静磁表面波(MSSW)延迟线的色散特性,阶梯各级平面的长度及其与磁性薄膜的距离被优化选取以得到期望的延迟-频率特性,利用这种技术设计并研制出中心频率为4.0GHz、带宽为400MHz的时间延迟与频率呈线性关系的MSSW线性色散延迟线,和中心频率为3.95GHz、带宽为200MHz的时间延迟不随频率变化的MSSW非色散延迟线. 相似文献
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A tunable microwave photonic filter with complex coefficient based on slicing spectrum and stimulated Brillouin scattering 下载免费PDF全文
In this paper,we propose a method to realize microwave photonic filter(MPF) with complex coefficient,whose central frequency f 0 and 3 dB bandwidth are tunable.The complex coefficient is realized by multi-wavelength optical source and stimulated Brillouin scattering(SBS).The central frequency of the filter is tuned by adjusting the phase shift caused by SBS without changing its frequency response.The frequency selectivity of filter can be improved through increasing the bandwidth of broadband optical source(BOS) or decreasing wavelength separation to increase the taps of MPF.The mainlobeto-sidelobe suppression ratio(MSSR) of the filter is affected by the weight of each tap.When the length of fiber is 0.5544 m in birefringence fiber loop mirror(FLM),the MSSR is improved by 18.55 dB compared with that without the weight controlling. 相似文献
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一种带宽自适应的滤波器 总被引:1,自引:1,他引:0
设计了一种全新的带宽自适应滤波器。主要特点是:在输入信号频率不确定或时变的情况下,能够通过对输入信号频率的探测而自适应的调节滤波器带宽。该结构被成功地应用在了模拟处理器内,有效地实现了对频率不确定或时变的输入信号进行低通或带通滤波处理。滤波器由四阶的全差分开关电容电路实现,带宽可在直流到40kHz内自适应调节。整个电路基于0.18μmCMOS工艺实现,电源电压3.3V,功耗为560μW。芯片测试结果表明,电路具有良好的自适应滤波性能。 相似文献
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本文完整地展现了磁光薄膜中任意倾斜的外加直流偏置磁场对微波静磁波激发模式及其带宽的影响,实现了对不同静磁模的统一考虑,为进一步分析磁光Bragg器件的衍射性能提供理论基础.计算分析表明:(1)当外加偏置磁场的大小不变时,传统磁化情形下的静磁波带宽最大,此时基于MSBVW的磁光Bragg器件较相应的MSFVW器件有更高的工作频率;(2)在适当倾斜的偏置磁场作用下,静磁反向体波(MSBVW)、静磁正向体波(MSFVW)和静磁表面波(MSSW)均可被激发,它们的激发频率依次增大;(3)通过倾斜偏置磁场可使MSFVW的频带向高频移动. 相似文献
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The properties of magnetostatic surface wave (MSSW) devices are disturbed by the finite length of the YIG film. Such disturbances, causing interference phenomena of MSSW reflected from both film ends, can be measured in the time domain by multiple reflections or in the frequency domain by a passband ripple. These reflections can be eliminated by adequately loading the film ends with semiconductive samples. 相似文献