“磁传感器及其应用技术”讲座 第四讲 磁敏电阻传感器(一)

一、概述磁敏电阻(Magnotoresor)是一种基于磁阻效应而制作的电阻体。它在外施磁场的作用下(包括外施磁场的强度及方向的变化)能够改变自身的阻值,是一种新颖的传感元件。它可分为半导体磁敏电阻及强磁性金属薄膜磁敏电阻两大类。半导体磁敏电阻的研制始于60年代初,在这方面联邦德国西门子公司较为权威,继而是日、美、苏、西欧等国。在60年代中期即有商品销售,因其和普通电阻一样,具有两个端子、结构简单、灵敏度高、安装方便等优点,其应用较为普遍。我国电子工业部某所在1974～1976年间,曾组织过半导体磁敏电阻的研制与应用。强磁性金属薄膜磁敏电阻是用强磁性合金材料制成的一种薄膜型的磁敏电阻器件,其作用原理是强磁性体的磁阻效应,它和半导体磁敏电阻不同,除对磁场     

强磁性金属薄膜磁敏电阻的特点与应用

一、前言强磁性金属薄膜磁敏电阻是一种磁敏传感元件.该元件不仅对磁场强度敏感,而且对磁场方向也非常敏感.这种磁敏传感元件具有灵敏度高、温度特性好、坚固耐用、应用范围广等优点.强磁性金属薄膜磁敏电阻,在国际上还是70年代中期刚刚问世的     

InSb磁敏传感器及其应用（中）

五、InSb磁敏电阻和传感器及应用 1、InSb磁敏电阻 与霍尔器件不同,InSb磁敏电阻像其它电阻器一样是一种纯电阻性两端元件,所不同的是它的电阻随磁场的变化而变化。根据图2中几何磁阻效应原理制造的InSb磁敏电阻的基本结构和电阻值与磁场的特性曲线如图10所示。 由图10(a)可见,一个长方体InSb材料被5条In短路条(它具有金属性质)分割     

基于InSb磁敏电阻器的齿轮转速传感器

分析了InSb磁敏电阻器的工作原理和温度特性,讨论了利用偏置磁场作用于半桥磁敏电阻构成齿轮转速传感器的测试原理;针对半导体材料对温度十分敏感的特点,提出了利用浮动零点跟踪技术测试齿轮转速的方法,很好地克服了环境温度及磁场变化对磁敏电阻的影响.实验表明:其响应频率为0.5Hz～12kHz.     

“磁传感器及其应用技术”讲座 第五讲 磁敏电阻传感器(二)

上一讲介绍了半导体磁敏电阻及强磁性金属薄膜磁敏电阻的结构、工作原理和特性。本讲将着重介绍这两种器件组成的各类磁传感器的具体应用。一、位移测量 1.半导体磁敏电阻构成的位移传感器利用磁场外磁敏电阻的相对位移所引起磁敏电阻值的变化可精确地检测位移。图1所示的磁变阻器是由磁钢和半导体磁敏电阻构成的一种结构简单的位移传感器。图中所用的半导体磁敏电阻具有带狭缝的匚型结构。并将其固定,磁钢采用等强度的均匀磁钢,当磁钢如图向右移动X时,由于半导体磁敏电阻感受到感应强度增大,其阻值也会相应的增加。此种磁变阻器具有位移传感器的特性,即R(X)/R(l)和X=b/l的关系如图1所示。这     

2ACM型磁敏二极管——介绍一种新型磁电转换器件

一、磁敏二极管简介磁敏二极管是继霍尔元件和磁敏电阻之后发展起来的一种新型磁电转换元件。由于它有体积小、磁灵敏度高等优点,可广泛应用于磁场的检测、自动磁力探伤、工业自动化装置和电子技术以及国防工业的应用领域中。目前使用的半导体磁电转换元件只有霍尔元件及磁敏电阻。霍尔元体是根据霍尔效应原理制成的,这种元件的特点是它的输出     

当代磁敏电阻型传感器的发展与应用

磁敏电阻制备技术及相应传感器的开发与应用是磁敏感技术近二三十年来最蓬勃发展并实现产业化的新兴分支。它依据物理学磁致电阻效应，将磁场的变化无接触转化为材料的电阻率变化，从而把与磁场变化相联的各种运动形式转化为电信号输出，形成各种各要的传感器。     

半导体磁敏电阻和传感器

ＩｎＳｂ磁敏电阻元件用磁敏电阻传感器是一种新型的，重要的磁敏元件和传感器。首先，简要介绍了ＩｎＳｂ磁敏电阻元件和磁敏电阻传感器的工作原理，结构，性能等；分别介绍磁敏电阻传感器，磁性墨水文字图形识别传感器，齿轮传感器，磁性编码器，直线位移传感器，齿轮传感器，磁性编码器，直线位移传感器，无接触电位器等工作原理，结构，主要技术性能和应用。     

YBa_2Cu_3O_(7-y)的磁敏特性

本文使用YBa_2Cu_3O_(7-y)块试制了高T_c超导磁敏元件.研究了电极对磁敏元件输出的影响,及液氮温区磁敏元件的输出电压与磁场的关系.研究结果表明高T_c超导磁敏元件在弱磁场下有较高的灵敏度,有可能在弱磁场检测方面得到应用.     

YBa2CuO3的磁敏特性

本文使用?? ?? !) # ? ? & 一, 块试制了高几超导磁歌元件+ 研究了电极对磁教元件 价出的影响, 及液氮温区磁敏元件的输出电压与磁场的关系 + 研究结果表明高,) 超导磁 敏元件在弱磁场下有较高的灵歌度, 有可能在弱磁场检浏方面得到应用+     

磁敏元器件及传感器

本文概述了磁敏元器件及传感器的种类和原理,具体分析了强磁性金属薄膜磁敏电阻及传感器的特性、原理及应用,重点介绍强磁性金属薄膜磁敏电阻。     

高灵敏度InSb磁敏电阻的研究

高灵敏度InSb磁敏电阻是制造无接触电位器的核心部件。本文研究的磁敏电阻已被装配到WMC-1型磁敏电位器中,实测结果表明它完全符合设计要求。该磁敏电阻是一种三端式结构,InSb单晶片尺寸为10×10mm~2的正方形,厚度d≈30μm,用环氧胶粘贴在陶瓷基片上。其电阻值R=1～3kΩ,灵敏度;ΔR/R≥50％(B=0.3T)。     

中国科学院上海冶金研究所研制成功GaAs霍耳磁敏元件并通过鉴定

<正> 中科院上海冶金研宄所研制成功离子注入高线性GaAs霍耳磁敏元件,并于1985年9月通过鉴定。 GaAs霍耳磁敏元件是根据半导体在磁场中产生的霍耳效应而制成的一种磁敏     

分立型InSb磁敏电阻的研究

本文研究了利用N型InSb单晶生长中形成的,与[111]生长方向相垂直的载流子密度分布的层状不均匀性,研制出灵敏度磁阻比值R_B/R_O=3(B=0.3T)的磁敏电阻。它们的零磁场电阻R_O分别是20～100Ω和2×10～2×50Ω。同时对这种元件的可靠性进行了试验研究,失效率λ(t)达到小于1×10~(-5)h~(-1)的水平。     

低成本的高分辨率磁编码器的研制

高分辨率磁敏电阻式编码器的研制综合了功能材料制备,薄膜技术应用,半导体加工悄磁磁鼓的制备,现代电子技术和传感器设计等多种高新技术。磁敏电阻是对磁通量变化灵敏度非常高的敏感元件,本文讨论了具有磁敏电阻传感器元件和多极磁化磁鼓结构２的讷经增量型磁偏码顺器的研制过程。     

基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路

研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μm CMOS工艺实现.该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁场的同时,实现了在屏蔽磁场的参考工作模式下对磁敏传感信号进行噪声校正的功能.经过集成电路芯片的测试验证,同步取样模式具有较好的噪声校正功能,工作频率为20 kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62 V/T.     

“磁传感器及其应用技术”讲座：第七讲 磁敏晶体管传感器（一）

磁敏晶体管分为磁敏二极管和磁敏三极管两类。它们都属于PN结型器件,其电特性随外施磁场的改变有显著的变化。磁敏二极管出现于60年代末期,磁敏三极管出现于70年代,现我国皆有生产与应用。由于它们具有体积小、灵敏度高(比霍尔器件约高百倍左右)、使用简单等优点,故作为磁传感器可用来检测磁场、电流、位移、液位、加速度、角度等参数,也可以用其构成无刷直流电机和各种非接触开关等。一、磁敏二极管磁敏二极管简称MD,目前可分为磁性整流器(CMD)和磁敏二极管(XMD)等。由于CMD的灵敏度     

锑化铟磁敏电阻的研究

讨论了锑化铟(InSb)磁敏电阻的工作原理、设计与制备工艺,并介绍了InSb磁敏电阻作为一种非接触敏感器件的典型应用。     

三维磁敏传感器的设计及误差分析

采用三维磁敏传感器有助于降低磁场测量系统的复杂性和提高磁场测量速度.介绍了基于霍尔元件的三维磁敏传感器的设计方法,分析了霍尔元件的粘贴角度偏差、传感器的体积对测量精度的影响,并对传感器的总体误差进行了估算,其分析结果对三维集成磁敏传感器的设计具有指导意义.     

“磁传感器及其应用技术”讲座：第八讲 磁敏晶体管传感器（二）

二、磁敏三极管磁敏三极管是继磁敏二极管后出现的一种新型的三端结型元件。它分为PNP型和NPN型两种。所用符号同晶体三极管只在旁边加一磁场符号×以示磁敏三极管。目前国内已有这种器件的生产,其中3CCM型硅磁敏三极管的主要参数见表3。3BCM型锗磁敏三极管的主要参数见表4,把两只3CCM型磁敏三极