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相似文献
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据《SemiconductorWorld》报道,日本冲电气工业公司在线宽0.lpm级的LSI中,采用新材料开发布线技术。把铜—锆合金用作布线材料,能实现140年以上的长寿命。随着LSI的高速化、高集成化,布线也要达到微细化和高密度化。在确保可靠性的基础上,市线的耐久性变得非常重要。存在问题之一是电徙动。由于布线中的电子流,使金属原子在晶界、布线表面等处移动(扩散),控制这种移动,可提高受电徙动影响的寿命。采用从布线材料的拆出物覆盖布线表面和界面的扩散控制法,以与此法相应的析出硬化型合金的铜一铝合金作为布线材料。在铜一错合…  相似文献   

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介绍了一种通用嵌入式存储器(SRAM)编译器时序建模的方法。通过对存储器关键路径延时分析,时序模型采用分段拓展的建模方式,用Rows、Columns来对SRAM进行分段,分别讨论各段对时序的影响。采用双线性插值法对模型进一步优化,较大程度上提高了模型的精度。最后与ARM公司0.13μm工艺的存储编译器进行了验证和对比。结果表明,该模型能够较为精确地描述存储编译器时序。  相似文献   

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世界最高速16MSRAM据日本《电子材料》杂志1993年第4期报道,日本索尼公司已研制成世界最高存取速度9us的16MbSRAM。这种SRAM在电路内进行信号放大的读出放大器中,采用了输入阻抗小的反馈式电流读出放大器,并可用作高速存取。以前的SRAM...  相似文献   

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72Mb的QDRII、QDRII+、DDRII和DDRII+存储器采用了UMC开发的工艺技术,实现了550MHzN钟速度,在36位I/O宽度的QDRII+器件中可实现高达80Gb/s的总数据传输速度,而功耗仅为90nm SRAM的一半。  相似文献   

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铜布线和SOI     
回顾LSI的发展历史,Al布线取得了巨大的成功。铜(Cu)布线与之相比,最大的优势是电阻更低,抗电迁移性强,因此随着器件频率的提高尤其是高速微处理器的出现,对铜布线实用化的期待日益升高。但是,铜布线的引入不是简单地将互连材料由铝换成铜。由于铜与铝的物理、化学、机械和电特性等的差异,引入铜布线就意味着不得不更新以铝布线为基础建立的一大批成熟技术,并且开发一系列铜布线的突破性技术如CMP(化学机械抛光)技术、以铜的CVD为基础的嵌入式(Damascene)工艺等和解决铜的抗氧化性差、层间介质平坦化等…  相似文献   

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铜布线及其设备   总被引:8,自引:2,他引:6  
介绍 I C 铝布线所存在的问题,采用铜布线替代铝布线是发展趋势,并就世界主要半导体公司已经和正在推出的多种铜布线 I C,以及相关设备作一简介。  相似文献   

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摩托罗拉公司的超宽带经营公司和全球消费电子业界的领导公司三星电子日前宣布,三星电子将在2004年1月8~11日于拉斯维加斯举办的国际消费电子展(CES)上演示业界首次实现的三种高清晰度电视信息流的同时无线广播。三星电子透露,该公司将采用摩托罗拉公司的XtremeSpectrum超宽带  相似文献   

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Intergrated Silicon Solution Inc(ISSI)是一家从事设计、开发和销售存储器的公司。1988年,在美国的三位华人看到SRAM 在主机板上的应用前景,成立了这家公司,并于1990年推出第一块用作高速缓存器的SRAM而后逐步开发了其它产品。ISSI的创办人及公司总裁李学勉说:“ISSI是  相似文献   

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日本索尼公司已研制成成世界最高存取速度gns的高速16MbSRAM。在用于电路内信号放大的读出放大器中,由于采用输入阻抗小的反馈型电流读出放大器,这种产品可用作高速存取。以前的SRAM采用电压读出放大器,而现今采用输入阻抗小的电流型读出放大器,可做到小的信号电平,实现数据传输速度的高速化。由于采用反馈型,减小小信号电平输出信号的偏移,再采用受激准分子激光光刻的最先进超微细加工技术,已达到最小线宽为0.35pm的高密度。世界最高速的16M SRAM@平凡  相似文献   

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日前,矽成积体电路股份有限公司(ICSI)推出3.3V异步高速静态随机存储器(SRAM)。该存储器系列为针对以速度为关键的宽带通信市场而设计,速度可达8ns。在数字信号处理器及微处理器速度与频宽越趋高频的同时,此系列产品可  相似文献   

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洪伟 《现代雷达》2003,25(5):47-50
介绍了数字信号处理机的高速布线设计的一些经验、规则及高速布线过程中所必须注意的事项,重点介绍了数字信号处理机电源的分配,反射、干扰的避免以及高速电路重要信号线的布线方法,使各项设计更加完美,易于实现。  相似文献   

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《通信世界》2008,(48):I0015-I0015
获奖理由:电信重组后,为了满足日益增长的三网融合趋势下的电信服务需求,能够提供完整的端到端解决方案就更显重要。摩托罗拉凭借能够提供“宽带无处不在”的独特系列解决方案,能帮助运营商为消费者随时随地提供高速语音、数据和互联网服务。  相似文献   

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本文对比分析了运放型、交叉耦合型和锁存器型灵敏放大器三种不同的SRAM灵敏放大器的基本结构并通过仿真比较了它们的优缺点,在此基础上设计了读出放大时间在最坏情况下需0.5 ns,静态维持功耗约为0.1 mW的SRAM灵敏放大器.  相似文献   

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Hous.  TW 蔡菊荣 《微电子学》1989,19(5):104-106,103
引言 随着绝缘体上硅(SOI)材料的最新发展,出现了促进电路发展的良好时机。这些电路有空间应用的抗辐照存贮器、双极SOI电路,同一芯片上的双极-CMOS复合电路以及三维集成电路。随着这些器件的发展SOI在运行系统中的第一个显著应用,看来很可能是为空间应用设计的采用CMOS电路的  相似文献   

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本文针对高速PCB板信号接地设计中存在接地噪声及电磁辐射等问题,提出了高速PCB接地模型,并从PCB设计中布线策略的分析和去耦电容的使用等几个方面讨论了解决高速PCB板的接地噪声和电磁辐射问题的方法.  相似文献   

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