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位和位错偶沿单一滑移系从裂纹尖端的发射 总被引:1,自引:0,他引:1
采用计算机模拟了位错和位借偶沿单一滑移从裂纹尖端的发射,考察了滑移面取向,外加载荷,晶格摩擦力以及位错发射的临界应力强度因子对所发射的位错数量,塑性区与无位错区大小以及裂尖残余应力强度因子的影响。 相似文献
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采用分子动力学方法模拟金属Mg的二阶锥面c+a刃位错在温度为300 K下的运动过程,研究不同大小及方向的外加剪切应力作用下的位错运动特性和结构演化规律。结果表明,实际驱动位错运动的有效剪切应力低于外加剪切应力;位错运动速率随外加剪切应力的增大而线性增大,在同等剪切应力下,对应于c轴拉伸变形时的位错运动速率高于c轴压缩,相应的拖曳系数显著高于同等温度下基面和柱面刃位错。位错运动特性的拉-压非对称性本质上与外加剪切应力对扩展位错宽度的影响有关。 相似文献
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对晶粒组元因晶体生长时沿晶界发生旋转的铜双晶体进行了恒定塑性应变幅下的循环形变研究,塑性应变幅为1.5×10-3.通过扫描电子显微镜-电子通道衬度技术(SEM-ECC)对滑移形貌和位错组态的演化进行了观察,发现由于晶粒内部的几何效应使沿晶界的位错组态随着晶粒的旋转方向的变化也相应发生变化,逐渐表现为由滑移带与晶界的相互作用过渡到形变带与晶界的相互作用.形变带Ⅱ(DBⅡ)对于主滑移有着明显的阻碍作用.晶界无位错区(DFZ)伴随着形变带Ⅱ在晶界的出现而产生.胞状结构的形成是由于次滑移系的开动使形变带Ⅱ中的位错墙结构先破坏而后形成. 相似文献
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本文用密度泛函理论框架下的离散变分方法(DVM)研究了bccFe[100](001)刃型位错体系的电子结构,给出了结合能、原子间相互作用能以及电荷转移信息。结果表明:通过结合能的计算可确立用于电子结构研究的团簇平衡构型。此外,原子间相互作用能的计算以及差分电荷密度分析表明在位错芯的压缩区,沿滑移面的原子对之间的化学键较强,而垂直于滑移面的键较弱。反之在位错的膨胀区,沿滑移面的原子对之间的化学键较弱,而垂直于滑移面的键较强,预期与位错承受外力作用时的原子错动变化以及位错在晶体中的运动相关。 相似文献
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T1(TI2CuLi)相间的弹性交互作用对相稳定性及形核行为的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用TEM技术观察了2090铝锂合金中,亚晶界上沉淀的T1相列的形状特征及小尺寸T1相的析出行为。观察和研究发现:亚晶界上的T1相列中,各T1相长厚比相近而且往往其长度明显小于周围的T1相,表现出对相的粗化过程存在着一定的抑制作用;计算结果证明该现旬符合Perovic判据,表明T1相列中维持T1相间弹性交互作用能的平衡是T1相尺寸稳定的关键;尺寸较小的T1相,往往易于出现在已存在的不同一T1相间的 相似文献
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用基于密度泛函理论的自洽离散变分方法研究了bcc Fe中[100](010)刃型位错扭折处掺S的电子结构,计算了杂质偏聚能、原子间相互作用能、电荷密度及态密度.计算结果表明:S引入体系后,电荷发生了重新分布,S原子得到电子,其周围Fe原子失去电子,且S原子的3p轨道与近邻Fe原子的3d4s4p轨道之间杂化,使得它们之间的成键有较强的方向性,可影响材料的韧性;而近邻Fe原子因失去电子使自身之间相互作用比未掺杂时减弱,有利于扭折的迁移,可能影响材料的强度. 相似文献
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从细观的晶体塑性力学出发,研究了在单向拉伸下的单晶体单滑移的变形和稳定性问题,定量给出了滑移面的方位和滑移方向随应变ε的变化规律.定义了失稳参数S,把用正应力和正应变表示的塑性变形稳定性条件,变换成适合于细观塑性力学应用的用切应力和切应变表示的稳定性条件.结果表明:材料滑移面向拉伸方向偏转并趋于一致,即应变ε增加时,滑... 相似文献
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运用位错之间的交互作用理论,对各种轴向Cu晶体的循环形变行为进行了分析和比较,确认晶体循环形变的应力-应变响应以及形成的位错组态是由各滑移系统的位错反应的模式和强度决定的,根据晶体轴向在标准取向三角形中的位置,可以推断其循环形变行为. 相似文献