SnO2:Pt薄膜和SnO2/SnO2:Pt双层膜气敏响应的次方因子

用粉末溅射方法制备了体掺杂型SnO2Pt薄膜和表面层掺杂SnO2/SnO2Pt双层膜,测量了薄膜在不同CO体积分数下的灵敏度和电导. 研究了两种薄膜对CO响应的次方因子,测定了工作温度和薄膜厚度对次方因子的影响.实验结果表明,由室温至200 ℃,这两种薄膜对CO气体都显示了较高的灵敏度和选择性,两种薄膜电导对CO的响应服从次方定律关系,薄膜工作温度及厚度对次方因子均有影响,次方因子在0.5～0.8之间,次方因子在膜厚60～70 nm附近存在极大值.对两种薄膜测量结果的比较说明,这两种薄膜的气敏响应主要发生在薄膜表面.     

粉末溅射SnO_2-Pt薄膜的气敏特性

用粉末溅射方法制备了体添加型SnO_2-Pt薄膜材料。该材料不仅对CO气体有很高的灵敏度、良好的选择性和较低的工作温度,而且其电导在CO气体中有振荡现象。振荡波形除锯齿形、简谐波形外,还出现了“拍振”等更为复杂的波形,振荡频率可达5.2Hz。     

粉末溅射SnO2／CeO2薄膜酒敏元件

介绍粉末溅射SnO2/CeO2酒敏薄膜特性的研究和气敏元件及气敏层参数的设计。介绍元件热功耗的规律,反应温度的规律,测试电压对灵敏度的影响的规律。讨论了用相对灵敏度消除湿度影响的设想,以及对低功耗元件,简单气敏元件集成电路研制等问题。     

粉末溅射SnO2/CeO2薄膜酒敏元件

介绍粉末溅射SnO     

ITO气敏薄膜的研制及应用

本文阐述了ＩＴＯ气敏薄膜的制作过程、工作原理与气敏特性的测试方法和它的应用前景，对掺入Ｐｔ前后的ＩＴＯ气敏薄膜的灵敏度进行了对比研究。     

气敏半导体薄膜内载流子浓度的研究

气敏半导体薄膜内的载流子浓度与薄膜表面吸附氧密度的关系,可以反映气敏薄膜的敏感性。本文采用刚性能带模型,计算了不同厚度的ZnO薄膜内载流子浓度与表面吸附氧密度的关系,并对结果进行了讨论。计算结果表明,适当选取薄膜的厚度等参数,可以得到高的气敏性。     

Nd2O3—SnO2薄膜气敏元件的研制

研究了Ｎｄ２Ｏ３－ＳｎＯ２复合薄膜气敏元件的制作工艺和敏感性能，测量结果表明，这种元件对乙炔气体敏感，且具有选择性好，灵敏度高等优点。     

粉末溅射金属氧化物气敏薄膜和元件Ⅰ．粉末溅射金属氧化物气敏薄膜

利用反溅,发展了粉末溅射工艺;指出了粉末溅射对研制稳定的薄膜气敏元件的重要性;给出了粉末掺杂比与薄膜掺杂比关系的实验结果;给出了SnO2（100-x）／CeO2（x）最佳灵敏度的掺杂x％的范围;给出了灵敏度随膜厚变化的特征,以及一些薄膜的最佳膜厚l^x的数值;给出了响应时间随膜厚变化的规律．     

氧化铁系气敏薄膜的研究

用粉末射频溅射法制备了不同厚度和掺杂的氧化铁系气敏薄膜,并对其微观结构和性能进行了鉴定和测试,对添加剂的作用进行了探讨和分析。结果表明:溅射薄膜为晶粒微小、且具有一定择优取向的α-Fe_2O_3多晶薄膜;该薄膜对乙醇气体具有良好的气敏性和选择性,且响应快、附着力强;对氧化铁薄膜进行适当的掺杂可以明显地改善其电导性能和气敏性能。     

Ga2O3薄膜气体传感器工作机理的研究

根据缺陷化学理论和半导体表面化学吸附理论，对体电导和表面电导分别提出了两个简化模型－单电离氧空位模型和一维积累层模型，解释了Ｇａ２Ｏ３薄膜在两个不同温区的不同的气体敏感特性。理论与实验结果的一致，表明了这两个简化模型的正确性和有效性。     

金属氧化物半导体气敏特性研究（Ⅰ）实验研究（待续）

研究了气敏电导次方定律的指数和灵敏度随薄膜样品膜厚的变化，随温度的变化，气敏电导响应时间和恢复时间随膜厚的变化，随温度的变化；气敏电导振荡现象和规律。     

微型薄膜气敏元件芯片的传热系数和热功耗

热功耗是关系到气敏元件的应用、热特性分析和工艺设计的重要参数，至今无计算气敏薄膜元件热功耗的实用公式；在研究微型薄膜气敏元件引线的散热量，芯片传热系数随芯片尺寸和温度变化的规律的基础上，给出了热功耗的相关计算方法和公式，据此计算得出微型薄膜气敏元件的热功耗数值，与实验结果一致。     

气敏薄膜电导响应的扩散反应和传感理论（Ⅱ）：实验结果与讨论

本文通过实验结果证实了扩散反应模型，证实了Ｆｉｃｋ扩散定律可推广用于有表面反应的金属氧化物多孔材料中，支持了以兰缪－亨希尔伍德机理和传感理论为基础建立起来的扩散反应电导气敏响应的理论，提出了一种通过气敏电导现象的观测和分析来研究表面化学物理有关问题的方法。     

ITO气敏薄膜的研制及应用

本文阐述了ＩＴＯ气敏薄膜的制作过程、工作原理与气敏特性的测试方法和它的应用前景，对掺入Ｐｔ前后的ＩＴＯ气敏薄膜的灵敏度进行了对比研究     

气敏元件电导响应过冲现象

此文针对气敏器件的某些实验曲线采用适当的数学模拟，全面分析了用针孔注入还原气体闭室测试气敏器件的电导响应及测试过程中出现的过冲现象，找出了其中的规律，探讨了过冲现象产生的机理。     

SnO2纳米材料气敏特性研究

为了提高SnO2纳米材料的气敏特性,研究其性能与结构关系,采用物理气相沉积法在管式炉内制备SnO2纳米材料．通过控制管式炉内材料的生长温度得到不同形貌的SnO2纳米材料．采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对所得纳米结构进行表征分析．将所得纳米材料制备成旁热式气敏元件对其在还原性目标气体环境中进行气敏性能测试．研究结果表明：不同形貌的纳米结构气敏性能差异明显,SnO2纳米线对指定目标气体的气敏性能优于菊花状纳米结构．气敏性能与材料的表面形貌及比表面积关系密切,长径比高的线状纳米结构具有更高的气敏性能,在酒精蒸汽、CO和CH4的环境中其数值分别为42、21和18．