射频溅射制备氧化镍电致变色薄膜的研究

采用射频反应磁控溅射工艺，以纯镍靶为靶材，在SnO2玻璃上制备电致变色NiOx薄膜。通过对薄膜X射线衍射（XRD）、X光电子能谱（XPS）、扫描隧道显微镜（STM）、循环伏安曲线及可见光透过率的测定，探讨了NiOx薄膜的电致变色性能和微观结构之间的关系，研究了热处理过程中的结构变化和表面形貌。测试表明该氧化镍薄膜具有良好的电致变色性能和阳极着色效应，以及较高的使用寿命。     

中频磁控溅射NiO_x电致变色薄膜(英文)

采用中频孪生非平衡磁控溅射技术,制备了纳米晶结构NiOx电致变色薄膜。利用原子力显微镜、掠射X射线衍射、电化学设备、紫外分光光度计等测试手段分析薄膜结构及电致变色特性。结果表明:室温沉积获得表面质地均匀的NiOx薄膜;在±3V致色电压下,薄膜电致变色性能优异,对可见光透过率调制范围达30%以上,但薄膜寿命低。获得的薄膜为结构疏松的纳米晶结构,易于离子的注入和抽取,变色性能优异,但易发生Li+不可逆注入,薄膜寿命低。     

钛掺杂三氧化钨薄膜结构与电致变色性能研究

通过射频溅射法, 常温下制备了纯相WO₃和Ti掺杂WO₃薄膜, 采用XRD、SEM、Raman、电化学工作站、紫外-可见-近红外分光光度计等对薄膜的微观结构、循环稳定性、光学性能进行了表征和分析。研究发现: 钛掺杂对WO₃薄膜的表面形貌和光学常数影响不明显, 但使薄膜的晶化温度升高。电化学测试结果表明, Ti掺杂可以提高离子在薄膜中注入/抽出的可逆性, 提高薄膜的循环稳定性, 同时薄膜的响应速度和光学调制性能也得到提高, 掺杂后薄膜着色态和漂白态的响应时间分别由9.8、3.5 s减小为8.4、2.7 s, 因此Ti掺杂WO₃薄膜具有更好的电致变色性能。     

溅射氧化镍薄膜的电致变色特性

本文采用直流反应溅射获得了具有良好电色特性的ＮｉＯｘ薄膜。薄膜的电色特性强烈地受到制备条件的影响，在低溅射电压和高溅射压力下制得的薄膜电色效果最佳。典型的ＮｉＯｘ电色薄膜厚２００ｎｍ，可见光透过率变化范围在６３２．８ｎｍ处可达４８％，着色及退色响应时间为５～１０ｓ。Ｘ射线衍射表明薄膜呈非晶态。ＸＰＳ显示Ｎｉ￣（３＋）在电色过程中起着色心作用。红外反射谱证实电色过程有ＯＨ基的参与。     

纳米晶结构NiOx薄膜Li+致色性能研究

采用中频孪生非半衡磁控溅射方法制备了纳米晶结构NiOx电致变色薄膜.原子力显微镜(AFM)、掠入射X射线衍射(GID)、X射线反射(XRR)分析薄膜结构、形貌及薄膜厚度;利用电化学设备、紫外分光光度计等手段测试薄膜循环伏安及光谱特性.结果表明:沉积获得NiOx薄膜质地均匀,晶粒尺寸约为4.5 nm,薄膜表面粗糙度Ra=1.659 nm;以Li 离子为致色粒子,厚度60nm的NiOx薄膜在±3 V的高驱动电压下薄膜对可见光透过率凋制范围达30%以七,电致变色性能较好.     

热处理对氧化钨薄膜结构和电致变色性能的影响

电致变色(EC)材料在外加电压作用下能可逆的改变其光学性能.近年来由于其在光调节装置方面的应用潜力,引起了广大研究人员的兴趣.其中氧化钨是典型的电致变色材料.在本文中,电致变色氧化钨薄膜由电子束蒸发WO3粉末的方法沉积在ITO透明导电玻璃上,所得薄膜在空气气氛中经(250～550)℃,(1～4)h不同的热处理,处理后的薄膜用XRD观察其微观结构的变化,电致变色性能则由电化学方法测试.讨论了热处理温度变化对薄膜结构和电致变色性能的影响.     

直流磁控溅射沉积WO3薄膜电致变色性能研究

以金属钨为靶材,采用直流反应磁控溅射方法,在玻璃上制备电致变色WO3薄膜.利用X射线衍射(XRD)方法对薄膜的结构进行了分析,得出了WO3薄膜的沉积工艺.制备了WO3/TTO/Glass电致变色器件,并对其性能进行了研究.结果表明在Li+注入前后,薄膜的透射率平均变化约50%,具有较好的可逆变色特性;Li+注入后,WO3薄膜中的一部分W6+变为W5+,转化比例约为25%.     

MoO3薄膜的电化学及电致变色性质

用真空热蒸发方法在ＩＴＯ导电玻璃上镀制了ＭｏＯ３薄膜，在２５０℃条件下于空气环境中将薄膜进行一小时热处理。用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）方法分析薄膜的微观结构，用扫描电镜（ＳＥＭ）观察薄膜的表面形貌。在二电极恒电流方法中，相应于致色过程测量了薄膜的Ｔ－Ｑ曲 并得到薄膜在７００ｎｍ，５５０ｎｍ和４００ｎｍ的电致色效率。用三电极方法测量了薄膜的循环伏安特性曲线，同时彡分光光度计原位测量了薄膜的透射率变化。用Ｇ     

氧分压对氧化镍薄膜表面形貌和光电性能的影响

采用射频溅射法在SnO2衬底上生长了NiOx薄膜,制备的薄膜是非理想化学计量的微晶薄膜.研究了氧分压对NiOx薄膜的溅射速率、表面形貌和光学电学特性的影响.研究结果显示,O2分压在1∶10时,可得到最快的沉积速率;低的氧分压沉积的薄膜表面比较疏松;随着氧含量的增加,方块电阻呈上升趋势,当氧分压达到一定值时,膜电阻又开始下降;随着氧分压的升高,颜色会逐渐加深,透射率降低.     

溶胶-凝胶法与射频磁控溅射法制备ZnO薄膜及其表征对比

分别对溶胶-凝胶法和磁控溅射法制备ZnO进行了详细的介绍,并借助X射线衍射、原子力显微镜、拉曼光谱分析、紫外吸收等检测手段对这两种方法生长的薄膜进行了分析比较.分析显示:相同石英基底,相同退火温度下生长ZnO薄膜,磁控溅射法生长的ZnO薄膜要比溶胶-凝胶法生长的ZnO薄膜有更优异的c轴取向特性,生长的薄膜结晶更加均匀、致密.     

磁控溅射硅钼薄膜的抗氧化性能研究

用射频磁控溅射法在单晶Si基体上制备了硅钼薄膜,对薄膜进行真空退火处理以及高温氧化实验,借助SEM和X射线衍射仪(XRD)等仪器对退火前后的薄膜以及高温氧化后的薄膜进行了分析。结果表明沉积态的硅钼薄膜为非晶态,高温真空退火使薄膜由非晶态转变为晶态,致密的复合氧化物是硅钼薄膜具有良好的抗氧化性能的主要原因。     

锡基氧化物薄膜的制备及结构表征

采用直流反应溅射并结合热处理工艺制备锡基氧化物薄膜（SnOx，1≤x≤2），利用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDX）、x射线衍射仪（XRD）考察退火温度对薄膜表面形貌、组成和结构的影响，并通过恒流充放电初步考察薄膜的电化学性能。研究结果表明，在400-600℃退火温度下制备的SnOx薄膜表面光滑、结构致密；随着退火温度的升高，薄膜中SnO的含量逐渐减少，SnO2的含量逐渐增加，薄膜的晶粒尺寸增大，大小为30-50nm；600℃退火2h获得的SnOx薄膜具有良好的电化学循环稳定性，有望成为高性能的全固态薄膜锂电池阳极材料。     

薄膜厚度对ITO膜结构与性能的影响

本文对所研究的直流磁控溅射法制备的ITO透明导电薄膜,采用X射线衍射技术进行了膜层晶体结构与薄膜厚度关系的分析, 并测量了薄膜电阻率及透光率随薄膜厚度的变化情况.实验结果表明,当控制薄膜厚度达70 nm以上时,可获得结晶性好、电阻率低和透光率高的ITO透明导电薄膜,所镀制的ITO膜电阻率已降到1.8×10^-4 Ωcm,可见光透过率达80%以上.最后还对所镀制的ITO透明导电薄膜的质量指标作了评估.     

纳米WO3薄膜的制备及其光学性能研究

以钨酸钠为原料，采用溶胶技术结合浸渍镀膜方法制备出WO3薄膜，利用透射电子显微镜、紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪对薄膜的性质进行了研究。实验结果表明：草酸浓度的大小对产物粒径和紫外-可见透过光谱特性均有影响，随着草酸浓度的增大，产物的粒径减小，在可见光附近的透过率增大。热处理温度对产物的光透过性有影响，处理温度越高，光透过率越大。     

反应磁控溅射沉积氧化铜薄膜及其电化学性能研究

以金属铜为靶材,氧气为反应气体,采用射频磁控溅射法在不同温度的不锈钢基片上制备了氧化铜薄膜电极.采用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的组成和形貌进行了表征分析.电化学测试表明,在基片温度为室温条件下沉积得到的薄膜电极比300℃基片温度沉积得到的薄膜电极首次放电容量高,达到785μAh/(cm2·μm),但循环100次后后者放电容量较高.用交流阻抗法测得锂离子在氧化铜薄膜中的扩散系数为2.46×10-15cm2/s.     

T颗粒X线胶片和矽肺X线摄影

本文以实例表明用柯达T颗粒感绿X线胶片配合专用的硫氧化钆/铽稀土元素绿增感屏进行矽肺肺摄影可以取得优越的临床诊断效果:细微结构清晰、信息量增加,有利于早期病变的检出。X线投照量仅需作对比用的常规富士感蓝X线胶片和钨屏组合的五分之一至三分之一。     

靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响

应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6 sccm,氧流量为15 sccm,溅射时间为30 min的条件下,通过控制靶基距改变TiO2薄膜的光学性质.应用n&k Analyzer 1200测量,当靶基距增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷先短波后长波之后再短波;靶基距对消光系数k影响较大;随着靶基距的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势,但当靶基距达到一定的量值时折射率的变化趋于稳定.通过XRD和SEM表征发现,随着靶基距的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变,薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密.