点胶成形导电橡胶在电磁屏蔽技术中的应用

点胶成形导电橡胶是一种新型的高性能电磁屏蔽复合材料,被专门设计成流体状态,以满足自动化生产中,金属或塑料外壳上应用导电弹性体的大批量、高速度增长需求.相比于传统模压或挤出工艺制备的导电橡胶材料,其独特的使用方式、准确的安装定位性能和高屏蔽性能,非常适用于具有精细和复杂结构壳体的电磁屏蔽和环境密封.在现有的抑制EMI的应用中,点胶成形导电橡胶技术因总成本最低而得到越来越多的应用.介绍了点胶成形导电橡胶的特点、使用方法、设计安装要点和国内外的研究及应用现状.     

MATLAB在微观结构SEM图像定量分析中的应用

本文介绍利用MATLAB的图像处理工具箱,开发用于微观结构SEM图像定量研究的Analysis of Microstructure系统。由SEM获取的图像经该系统处理后,可获得颗粒或孔隙微观结构定量信息以及相应的图表分析。实例分析表明,借助MATLAB处理微观结构SEM图像,可方便地满足研究者的要求。     

超音速激光沉积石墨/Cu复合涂层微观结构及耐磨损性能

为了提高铜(Cu)材料的耐磨性能,扩大Cu材料的应用领域,采用超音速激光沉积技术在纯Cu表面制备了石墨/Cu复合涂层,研究了不同石墨含量对复合涂层微观组织、显微硬度以及耐磨损性能的影响。研究结果表明,当原始粉末中石墨的质量分数从5%增加至15%时,复合涂层的沉积效率呈下降趋势。石墨作为一种软固体润滑剂,其在复合涂层中含量的提高会降低涂层抵抗塑性变形的能力,进而复合涂层的显微硬度随石墨含量的增加,从122.48 HV_0.2降至95.02 HV_0.2。此外,复合涂层的磨损率也随涂层中石墨含量的增加而降低。故当原始粉末中石墨的质量分数为15%时,所制备的复合涂层具有最优的耐磨损性能,平均摩擦系数为0.179,磨损率为0.71×10^-4 mm³/(N·m)。不含石墨时涂层的磨损机制为黏着磨损,随着涂层中石墨含量的增加,磨损机制从黏着磨损转为磨粒磨损。     

2DPIV技术在激光辐照液体贮箱中的应用

实验研究激光对液体贮箱的辐照效应时,需测量贮箱内液体的流动状态.当壳体温度不超过液体的饱和温度时,贮箱内液体为自然对流形态.利用粒子图像测速(PIV)技术,搭建了二维数字PIV系统,实现了液体平面内的速度场测量.采用粒径1～5 μm、密度1.05 g/cm3的空心玻璃微珠微粒做为示踪粒子;利用532 nm连续波激光器和三个平凸柱透镜构建了片光系统;采用装有微透镜阵列的CCD相机记录粒子图像;利用互相关算法处理粒子图像计算速度场.将此技术应用于激光辐照液体贮箱实验之中,实验结果与数值计算结果相符较好.     

IP安全结构、协议及分析

以Internet RFC为背景,描述了用于IPv4和IPv6的安全结构及协议,其中包括:安全协议SA、密钥管理、IP数据报安全封装ESP和认证AH,分析了上述机制的安全性,给出其待解决的问题。     

变频器技术分析及在工业生产中的应用

电子技术、计算机技术、自动化控制技术的发展使得变频器技术取得了巨大的进步,同时性能也得到了极大的完善,被广泛应用于工业领域。本文在分析变频器技术的基础上,就其在工业生产中的应用进行了浅要的介绍。     

工业以太网交换机、EPON技术在配电网自动化系统中的应用及优劣分析

配电网自动化的通信系统是智能电网建设的重要的基础平台,而EPON技术的发明及使用对智能电网的建设起到了很重要的作用,与此同时,工业以太网交换机与工业网络通讯更加接近,比如各种现场总线的互通互联、设备的冗余以及设备要求的实时性,所以它的作用也是极其重要的。经分析研究表明,EPON技术以及工业以太网交换机实现简单、成本低廉,是适用于配电网自动化系统中配电子站到自动化终端这个层面的一种比较优秀的通信技术。     

力学分析、预调技术及其在工程中的应用

简述力学分析和预调技术原理及其在辅助大口径抛物面天线结构设计中的意义和作用；成功应用力学分析和预调技术于20m国际卫星通信地球站抛物面天线结构设计的工程实际，经济效益显著，对同类工程具有参考和借鉴作用。     

主动防御技术体系分析及在网络安全中的应用

伴随着互联网时代的到来,网络带给人们很大的便捷,网络安全也受到了人们的普遍重视.主动防御技术是新兴技术下的产物,其主要作用就是保障网络安全运行.本文主要介绍了几种网络安全中的技术手段.站在安全角度考虑,传统的网络安全技术只能起到防御的作用,不能掌握主动权.利用主动防御技术可以实现网络自身不受侵犯,同时还能自动对网络系统进行优化和检测,建立一种双重安全保护机制.     

高分辨电子显微像的定量分析与应用I.基于图像处理的高分辨像定量分析方法

本文通过研究高分辨电子显微像的图像处理技术,系统地建立了两种高分辨原子像亮点中心精确定位的处理方法:灰度梯度检测法和峰谷提取-灰度平均法.基于原子像亮点中心定位技术,使用最小二乘法,建立了测量高分辨像中局部点阵参数和晶格畸变的实际处理过程.结合像模拟、图像匹配等手段,详细研究了从高分辨像中提取元素分布、原子结构等信息的定量分析方法;并建立了一套UNIX平台上的高分辨像定量分析程序包,具有较高的精度和广泛的用途.     

超音速喷涂界面的微结构与界面结合强度

超音速火焰喷涂界面结构强度因喷涂材料和衬底材料的变化而异，本文通过对几种不同材料的ＨＶＯＦ喷涂界面微结构的研究揭示了影响喷涂界面结构强度的微观结构本质 。     

空域红外图像的背景噪声分析及预处理

文中就如何提高空域背景下弱小目标的信噪比问题展开讨论，基于对背景噪声的统计分析提出了自适应滤波和小波分析两种图像预处理算法，达到抑制背景噪声，增强小目标的目的，并将二者进行了性能分析。     

基于XML的移动通信网管数据处理层的设计实现

以移动通信网管功能为出发点、TMN体系结构为基础,设计了移动通信网络管理系统数据处理层总体软件结构,并给出了基于XML的详细设计。     

负极性电火花加工时的电极损耗机理及积碳层的减损作用研究

本文基于场致发射理论,对负极性电火花加工时电极材料的损耗情况及极间做功能量进行了研究,设计并分别进行了不同工艺参数下紫铜电极和A3#钢电极单孔负极性电火花加工对比实验.实验研究结果表明:相同工艺参数下,紫铜电极比A3#钢电极加工时的极间放电能量大,加工效率高且电极材料的损耗率低:表面积碳层对紫铜电极材料有着良好的减损作用,而对A3#钢电极则作用甚微;且对紫铜电极而言,在保证有效消电离的情况下,极间有效放电时间比越高,加工效率越高,电极的损耗率越低,而相应的积碳层对电极材料的减损率则减小.     

铸件内部缺陷红外无损检测的有限元模拟及分析

随着汽车工业和航天航空业的高速发展,红外无损检测技术在铸件内部缺陷检测中得到越来越广泛的应用,但对缺陷做到准确判定还有一定的距离.以铝铸件内部孔洞检测为研究对象,将有限元分析方法应用于红外无损检测中,通过构建缺陷模型,计算被测物体表面的温度分布,借助有限元分析软件COMSOL得到表面热特征,重点研究缺陷的大小、位置与表面温度间的关系,从而为制定准确可靠的红外无损检测标准提供依据.     

光纤智能金属结构应力应变理论分析及仿真

为了探索光纤智能金属结构中光纤布喇格光栅(FBG)的温度灵敏度,必须对温度变化时光纤智能结构中FBG所受的应力应变进行分析。分析了FBG经过保护再埋入金属后温度变化时的应力应变,推导了FBG埋入金属后的温度灵敏度公式。以FBG埋入铝合金为例,对埋入金属后的FBG受温度变化时的应力应变进行了理论分析并用ANSYS软件进行了仿真(有限元分析),理论和仿真得到了一致结果。     

The impact of nitridation and nucleation layer process conditions on morphology and electron transport in GaN epitaxial films

A systematic study has been performed to determine the characteristics of an optimized nucleation layer for GaN growth on sapphire. The films were grown during GaN process development in a vertical close-spaced showerhead metalorganic chemical vapor deposition reactor. The relationship between growth process parameters and the resultant properties of low temperature GaN nucleation layers and high temperature epitaxial GaN films is detailed. In particular, we discuss the combined influence of nitridation conditions, V/III ratio, temperature and pressure on optimized nucleation layer formation required to achieve reproducible high mobility GaN epitaxy in this reactor geometry. Atomic force microscopy and transmission electron microscopy have been used to study improvements in grain size and orientation of initial epitaxial film growth as a function of varied nitridation and nucleation layer process parameters. Improvements in film morphology and structure are directly related to Hall transport measurements of silicon-doped GaN films. Reproducible growth of silicon-doped GaN films having mobilities of 550 cm²/Vs with electron concentrations of 3 × 10¹⁷ cm⁻³, and defect densities less than 10⁸ cm⁻² is reported. These represent the best reported results to date for GaN growth using a standard two-step process in this reactor geometry.     

生物组织介电测量分析计算模型对比研究

针对生物组织介电特性高频同轴测量几种常用分析计算模型,在100 MHz~1 GHz 频段对不同浓度NaCl 溶液的介电特性进行实测计算,在适用范围、分析计算复杂性、准确性和稳定性等方面对这些模型进行对比研究。实际测量计算结果显示:含辐射项的等效电路模型计算误差较低,计算稳定性较高,对确定其模型参数的标准物要求较高;不含辐射项的等效电路模型易于理解、计算简单,但计算精度有待提高,计算结果受被测物、测量频率的影响较大,且同样需要较好的标准物确定其参数;准静态场分析模型不需要标准物确定参数,但模型分析较为复杂,计算耗时较高,且计算结果稳定性不足。本研究结果将为生物组织介电特性高频同轴测量分析计算模型的选用提供可靠参考。     

The Zn(S,O,OH)/ZnMgO buffer in thin film Cu(In,Ga)(S,Se)2‐based solar cells part I: Fast chemical bath deposition of Zn(S,O,OH) buffer layers for industrial application on Co‐evaporated Cu(In,Ga)Se2 and electrodeposited CuIn(S,Se)2 solar cells

This paper is focused on the basic study and optimization of short time (<10 min) Chemical Bath Deposition (CBD) of Zn(S,O,OH) buffer layers in co‐evaporated Cu(In,Ga)Se₂ (CIGSe) and electrodeposited CuIn(S,Se)₂ ((ED)‐CIS) solar cells for industrial applications. First, the influence of the deposition temperature is studied from theoretical solution chemistry considerations by constructing solubility diagrams of ZnS, ZnO, and Zn(OH)₂ as a function of temperature. In order to reduce the deposition time under 10 min, experimental growth deposition studies are then carried out by the in situ quartz crystal microgravimetry (QCM) technique. An optimized process is performed and compared to the classical Zn(S,O,OH) deposition. The morphology and composition of Zn(S,O,OH) films are determined using SEM and XPS techniques. The optimized process is tested on electrodeposited‐CIS and co‐evaporated‐CIGSe absorbers and cells are completed with (Zn,Mg)O/ZnO:Al windows layers. Efficiencies similar or even better than CBD CdS/i‐ZnO reference buffer layers are obtained (15·7% for CIGSe and 8·1% for (ED)‐CIS). Copyright © 2009 John Wiley & Sons, Ltd.