ULSI掩模缺陷检查技术研究

本文以KLA－221型自动掩模缺陷检查系统硬件资源为研究工具。详尽地描述了ULSI掩模缺陷检查的实际意义、缺陷检查的原理、检查模式。提出了如何保证缺陷检查的捕俘率以及降低伪缺陷的方法。对单层掩模版的图形品成率和整套掩模版图形成品率的正确预测做了分析研究，并可由预测的结果揭示出IC芯片生产中的成品率应达数。还讨论了掩模秧陷的分类和产生的工艺因素。     

光刻掩模缺陷对IC成品率的影响

本文叙述了光刻掩模的缺陷对IC成品率的影响，着重介绍了缺陷产生的原因及消除的方法，并对国内外光刻掩模生产现状作简要介绍。     

可检查2μm条宽的掩模缺陷检查设备

日本公司最近推出了20MD—61型掩模缺陷检查设备。该设备对2μm条宽掩模进行缺陷检查,其分辨率为1μm。检查结果用打印机、绘图机和计算机外部输出。缺陷检查速度随掩模最小条宽(2μm、3μm、4μm、6μm)而变化,具有四种检查方式。掩模条宽为2μm时,检查速度为6.4秒/厘米~2,掩模条宽为6μm时,检查速度为0.8秒/厘米~2。该设备可检查的掩模的最大尺寸为500×500毫米~2,最大测定范围为480×480毫米~2,可检查的掩模厚度为10毫米。该设备使用100伏30安的电源。     

空间滤波技术应用于光掩模缺陷的检查

一、前言 光掩模的图形质量对LSI的电路性能和成品率影响很大。根据经典统计分布原理,可推得随机缺陷密度与IC成品率的关系是: Y=multiply from l=1 to(1/(1 D_lq_lA))(1) 式中:D_l——第l块掩模上的平均缺陷密度; A——IC单元电路芯片面积; l——光刻次数; q_l——缺陷的置命度。 根据式(1)可得到图1所示的曲线,这组曲线     

掩模自动检查系统提高了大规模集成电路的成品率、性能和可靠性

在日本,大规模集成电路光刻掩模的缺陷自动检查,现已成为不可缺少的事了。掩模缺陷自动检查设备是四前年投入实际使用的,它的迅速普及已使人们能用到优质的光刻掩模。进而,这又大大提高了大规模集成电路的性能,可靠性和生产成品率。近来,用常规光刻掩模制造高集成度集成电路——超大规模集成电路的可能性也终于得到证实。     

一神光掩模缺陷检查技术

这里介绍的光掩模缺陷检查技术(MDI)是应用了方向性空间滤波原理,其检查速度比常规显微镜的快2-3倍,可检测的最小缺陷约为3μm.这种检查技术操作简便,为实现光掩模缺陷的自动检测打下了基础.     

采用激光检查光刻掩模的缺陷

富士通研究所最近发明了一种完全自动的激光光束扫描型的光刻掩模检查法。这种方法是采用激光光束在光刻掩模上进行扫描。只要光刻掩模有缺陷,就会从缺陷处产生紊乱的拆射光,并在布郎管上显示出缺陷的位置。在实验中采用此法能够发现甚至1微米左右的缺陷。此法据说具有完全实用的特点。该研究所正在研究将这种方法用于集成     

集成电路掩模缺陷的检查

16.1、序言在集成电路制造工艺中,如果集成电路的图形尺寸超过了光的波长,那么用于光刻的光掩模今后也将继续使用。集成电路掩模的检查项目中,包括掩模材料的平面度、图形尺寸和重复节距等的尺寸精度及有无缺陷等。这些项     

光掩模激光修补技术

本文论述了掩模缺陷成因、类型，掩模修补的重要性和掩模修补（包括相移掩模修补）的原理和方法。比较详细地介绍了中科院光电所研制的ＬＭＲ－１型掩模缺陷激光修补仪的主要性能指标，给出了实验结果。对于激光气化法修补时溅射物产生原因和改善修补质量的方法做了分析，并对用于透明缺陷激光修补的激光化学气相沉积方法和装置作了介绍。     

语音合成集成电路中掩模ROM的解决方案

在语音合成集成电路(IC)中,需要存储大量的程序和语音数据,因此内存储器的集成度、读取速度及可靠性成为影响一款芯片生产成本和性能参数的关键指标。存储器有很多分类,掩模只读存储器(ROM)以其较高的集成度和较低的成本在中低档消费类语音合成IC中有着较为广泛的应用。给出一种语音合成IC中掩模ROM的解决方案,分别介绍3个组成部分:存储单元阵列、地址译码器和读出放大器的设计实现。采用该方案可以有效提高掩模ROM的集成度、读取速度及可靠性,有效降低语音合成IC的生产成本、提高其性能和市场竞争力。     

基于深度学习的电子元件焊点缺陷检测方法

提出一种用于训练掩模区域卷积神经网络（Mask R-CNN）的半自动生成焊点图像掩模的方法。由于传统的通过人工标注获取掩模的方法费时费力,提出了一种简便快捷的基于GrabCut获取图像掩模的方法。该方法由两个阶段组成：第一阶段为基于GrabCut的焊点图像分割,输出像素级分割结果,从而获得所输入图像掩模;第二阶段实现基于Mask R-CNN的焊点表面缺陷检测方法,可以实现对缺陷的定位、分类和分割。试验结果证实了该方法的有效性,在保证Mask R-CNN方法检测精度的前提下,能快速、简单地获取训练Mask R-CNN所需的焊点掩模。     

基于纹理抑制的磁环表面缺陷检测方法研究

针对磁环表面缺陷图像具有对比度低、纹理背景复 杂、缺陷种类多和亮度不均匀等问题,提出了一种基于改进自适应Canny算法和掩模技术的 磁环表面缺陷提取方法。首先,在分析磁环表面图像中不同 区域灰度特征和梯度特征的基础上,通过拟合磁环内外轮廓构造掩模图像,以便屏蔽磁环背 景区域的干扰; 然后,利用提出的基于8邻域各向异性滤波的改进自适应Canny边缘检测算法,抑制磁环表面 纹理的干扰;最后, 利用图像数字形态学增强边缘连通域,并利用构造的掩模图像提取磁环表面缺陷。利用开发 的样机 进行了大量的在线实验。实验结果表明,本文缺陷提取算法稳定性好,鲁棒性强,能够准确 、快速地提取 出磁环表面图像各区域的缺陷,表面缺陷检测的准确率为97.3%。     

印制电路与集成电路

SPIE-Vol.3665 01036961999年 SPIE 会议录,卷3665:1998年第15届欧洲集成电路与微元件掩模技术会议=1999 proceedings ofSPIE,Vol.3665:15th European conference on masktechnology for integrated circuits and microcomponents'98[会,英]/SPIE-the International Society for OpticalEngineering.—1999.—180P.(PC)本会议录收录了于1998年11月16～17日在德国 Munich-Unterhaching 召开的第15届欧洲集成电路与微元件掩模技术专题讨论会上发表的24篇论文。内容涉及各种掩模技术,包括先进的掩模技术,掩模缺陷与检查,光掩模图形制作,掩模计量与测量,光学接近校正和分辨率增强技术,以及利用上述方法所获得的经验交流等。     

用澈光检验光掩模的缺陷

光掩模的缺陷形状，虽然一般可用与参考图案比较的方法检查出来，但也可通过其不规则的边缘更迅速地鉴别出来。这种观察法有适合于计算机化的优点，基于激光器的系统既可以检验又可以修正薄膜混合电路用的光掩模，它仅需要以前光靠技术人员的时间的20%。     

缺陷对极紫外掩模多层结构反射场的扰动研究

极紫外光刻掩模具有特殊的多层膜堆叠的反射式结构,在工艺制造过程中极易产生缺陷,引起多层膜结构变形,从而对掩模反射场产生干扰。这种掩模缺陷是制约极紫外光刻技术发展的难题之一。建立了含有缺陷的极紫外掩模多层膜结构模型,在此基础上采用时域有限差分(FDTD)法分析了缺陷尺寸和缺陷位置对掩模多层膜结构反射场分布的影响。结果表明,多层膜结构反射场受干扰程度是缺陷的高度和宽度综合作用的结果,并且与缺陷结构的平缓程度有关。反射场受干扰程度也与缺陷在多层膜结构内部的高度位置有关,引起多层膜结构靠近底层变形的缺陷对反射场的影响较小,而引起多层膜结构靠近顶层变形的缺陷对反射场有明显的干扰。     

采用激光热解沉积法修补光掩模透明缺陷

<正> 掩模车间的大部分工作都集中在缺陷的探测、分类和修补上。所以,在修补和探测用设备上所花的成本同加工用设备的成本差不多是毫不奇怪的。这样花费是合理的,因为每个光掩模缺陷都会直接转移到硅片上,从而产生不合格的或不能用的器件。 镀铬石英(或玻璃)掩模上的缺陷可分为不透明型和透明型两类(图1)。引起光掩模缺陷的原因已为人所知。光掩模缺陷的起因可归咎于原料(铬成份变化,抗蚀剂层中的针孔     

掩模缺陷及其修补方法

本文主要叙述光掩模和中间版产生缺陷的原因、缺陷的类型及缺陷修补的一些方法和系统。     

国外信息

国外信息检验光掩模的共焦激光芯片的多步骤光刻工艺过程需密切加以监测，以提高生产的经济效益。其中最重要的是光掩模的质量，因为有毛病的光掩模将在发现它的缺陷之前导致生产出许多不合格的半导体晶片．采用共焦显微技术直接测量光掩模特征，用紫外或蓝色光激光器作光...     

EB制作1：1UT Stepper掩模的工艺技术研究

一、前言UltratechStepper1500是一种比较特殊的1：1投影光刻机。它只能使用3”X5”的掩模，掩模上除用户提供的主芯片图形和PCM图形外，还要由掩模制造厂附加许多辅助图形。UltrachStepper1500对俺模的特征尺寸控制、套准精度、缺陷检查、保护膜安装等都有很严格的要求。国内使用UltratchStepper1500光刻机的用户以前只能委托台湾或国外的掩模生产厂家制作掩模，制作周期长，成本也比较高。掩模工厂引进ZBA23电子束以后，客观上基本具备了制作1：IUTStepper掩模的条件。八年初开始。在用户的配合下，据模工厂开始研究1：IUTSteppe…     

图形缺陷检查设备

发明的详细说明本发明主要谈图形缺陷检查设备方面的问题,更详细地说就是关于检查半导体光掩模上的微细图形中所含有的针孔及残渣等缺陷的装置。在半导体器件的制造中,要进行杂质扩散及布线等使半导体衬底上形成各种图形。为了提高