钼靶材变形量及热处理对薄膜微观组织及性能的影响

通过研究靶材变形量及热处理工艺对溅射薄膜的微观组织、表面粗糙度及晶形的影响,结果表明:变形量为80%的钼靶材溅射制备的薄膜晶化程度优于变形量小的靶材溅射薄膜;溅射相同的薄膜厚度,随着靶材变形量的增大,溅射薄膜的方阻越大;1 100℃退火靶材溅射薄膜的粗糙度最小,表面颗粒最细小均匀,晶粒取向明显。     

不同锻造变形量对管状溅射靶材晶粒组织的影响

选用常规钼粉作为原料,采用锻造加工方式加工出一定规格的管状溅射靶材,在不同退火温度下观察晶粒组织,得出变形量为80%、1 100℃工艺下加工出的溅射靶材晶粒大小均匀,组织性能较好,符合溅射靶材对晶粒度的要求。     

溅射靶材的应用及制备初探

随着电子及信息产业突飞猛进的发展，世界溅射靶材的需求越来越多，本文介绍了靶材的发展概况、分类和应用情况，以及靶材的特性要求．探讨Ni-Cr合金靶材的制备工艺，结果表明，产品能满足靶材特性要求。     

溅射法镀二氧化钛薄膜靶材及工艺研究进展

介绍了溅射法镀膜的基本原理，阐述了溅射法镀二氧化钛薄膜用靶材及相应溅射镀膜工艺的研究现状。溅射镀Tio2薄膜用靶材主要有金属钛、二氧化钛和“非化学计量”二氧化钛靶材3大类。由于钛的氧化态及靶材导电性不同，它们对溅射工艺（如溅射气氛等）有一定具体的要求，通过对靶材和相应工艺进行分析比较，指出应用“非化学计量”靶材是溅射法制备二氧化钛薄膜技术发展的重要方向。     

LCD溅射靶材用大尺寸钼板工艺、组织、织构与性能研究

进行了烧结、轧制工艺对比试验,研究了粉末粒度、形貌和烧结工艺对大型钼烧结板坯组织和性能的影响;轧制方式对LCD溅射靶材用大尺寸钼板微观组织、织构以及性能的影响,探讨了影响LCD溅射靶材用大尺寸钼板组织、织构及性能的主要因素。结果表明：制备大型烧结钼板坯可选用颗粒大小较为均匀、分布疏松、粗细搭配合理的中等粒度钼粉;相比普通钼板坯而言,通过延长保温时间,1900℃高温氢气中频烧结,可制备轧制大尺寸钼靶材用大型钼板坯;LCD溅射靶材用大尺寸钼板轧制总加工率需大于70％;采用1火次多道次单向轧制工艺,正常轧制的LCD溅射靶材用长条形钼板再结晶退火后可得到均匀细小的等轴晶粒组织;由于纵向开坯轧制阶段的不均匀变形（非正常轧制）,导致包覆横轧得到的LCD溅射靶材用宽幅矩形钼板再结晶退火后组织不均匀,细晶粒和粗大晶粒并存;单向正常轧制的LCD溅射靶材用长条形钼板再结晶退火后近表层无明显优先织构取向。纵向开坯轧制,然后用包覆换向横轧得到的LCD溅射靶材用宽幅钼板再结晶退火后近表层存在较强的{0,0,1}〈1,-1,0〉、{0,0,1}〈6,-1,0〉和{0,1,1}〈1,0,0〉织构。     

TiAl镀膜靶材制备工艺对硬质涂层的性能影响研究

采用常压烧结和热压烧结分别制备了TiAl合金靶材,并采用溅射镀膜法制备了TiAl硬质涂层。对两种工艺所制备靶材的硬质涂层进行显微组织和相成分分析,并进行耐高温氧化性和力学性能测试。结果表明:采用常压烧结制备的靶材硬质涂层分散不均匀,且致密性较差,氧化速率较快,显微硬度仅为1 798 HV;而采用热压烧结制备的靶材硬质涂层具有高致密度、低孔隙率,晶粒尺寸细小且分布较为均匀,抗氧化性能显著提高,显微硬度高达3 165 HV,较前者提高了76%。     

1J22合金材料应用于溅射垂直磁记录薄膜的尝试

1J22合金带作为溅射靶材的一种尝试,充分利用1J22合金冷轧带材产品具有高饱和磁感应强度、高居里温度、成分均匀、纯度高的优点．避免粉末法制备FeCo产品所产生的纯度低、成分不均匀等缺陷．磁控溅射出成分均匀、磁性能较好,用于垂直磁记录的薄膜,可以替代其它FeCo和FeNi合金靶材,成为更加理想的垂直磁记录溅射靶材．     

高性能电子溅射靶的制备

大尺寸、高性能电子溅射靶是电子及信息产业不可或缺的材料，电子靶材一直是各国优先发展的高新技术材料。此光盘膜用靶材材料极易在制备过程中碎裂，并且密度越高，裂纹倾向越大。因此，高密度、高纯度、大尺寸是相互矛盾的，难以达到完美的统一。通过选择合适的成分配比、粉原料的预处理以及合理的热压工艺以及热等静压工艺制度，解决了制备过程中易出现裂纹的难题，制备了大尺寸(直径200mm)、高相对密度(大于90％)、高纯度、密度分布均匀和组成相满足使用要求的靶材。经镀膜考核，靶材各项性能指标能够达到镀膜使用要求，与国外同类产品相当。     

高纯铜溅射靶材的发展及现状

溅射靶材主要应用于电子及信息产业，如集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等，也应用于玻璃镀膜领域和耐磨材料、高温耐蚀、高档装饰用品等行业.由于集成电路、信息存储及平面显示器等产业规模越来越大，这些高技术产业对各种超高纯金属及合金溅射靶材的需求也愈来愈多。本文简要介绍了高纯铜溅射靶材目前的市场情况、现状、应用领域和未来高纯铜溅射靶材发展趋势；并对高纯铜溅射靶材的特性要求以及微观组织控制做了简单的阐述。     

轧制变形量及退火工艺对钼靶材显微组织的影响

钼靶材作为制备钼薄膜的溅射源,其致密性、纯度、粒径及取向分布决定溅射薄膜的品质与性能。为了确定钼靶材轧制的最佳工艺,将钼靶材在60%～90%变形量下以不同工艺条件轧制,并在900～1200℃下以不同温度退火,然后采用精密测量、金相观察、扫描电镜成像（SEM）、 X射线衍射（XRD）、电子背散射衍射（EBSD）等方法表征钼靶成品的理化性能和组织结构,并分析和讨论钼靶材的致密度、晶粒度以及结晶取向等特征关系。结果表明,当轧制变形量为80%～85%时,钼靶致密度达到99.8%,经过1000℃真空退火后,组织均匀性最佳,测得平均晶粒尺寸为57.1μm,同时靶面呈现出显著的{100}晶面择优取向。