采用BSIT（或SITH）的高载波SPWM变频器

介绍一种电压型ＰＷＭ静音式变频器，其主电路选用新型全控型器件－－双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）和静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）。系统采用高载波（２０ｋＨｚ）ＳＰＷＭ结构，提高了变频器的性能。文中还提出了一种对两种新器件都实用的驱动电路和高载波ＳＰＷＭ波形生成法，最后给出了试验结果。     

一种新的大功率电力半导体器件的烧结工艺

在现有的硅－铝－钼（Ｓｉ－Ａｌ－Ｍｏ）烧结工艺的基础上，引入了铬（Ｃｒ），镍（Ｎｉ），银（Ａｇ）金属阻挡层，并将这一新的金属阻挡层烧结工艺应用到双向晶闸管的生产中。结果表明，该工艺能得到浅而平坦的烧结合金结，并能改善器件的反向阻断特性和通态特性的一致性，提高器件的成品率。     

CMOS—LCD组合显示器件

ＣＭＯＳ器件与ＬＣＤ（液晶显示器）数码显示器组合在一起形成ＣＭＯＳ－ＬＣＤ组合器件，其最大特点是低功耗，适用于便携式在野外工作中使用，中分别介绍了三种ＣＭＯＳ－ＬＣＤ组合显示器件，ＬＣＬ００３，ＬＣＬ１０３。ＬＣＬ１０４的三种功能与特点。     

国外片式机电元件的技术发展

随着电子整机产品向簿、轻、短、小、数字化、高可靠以及智能化方向发展，电子元件正向微小型化、片状化、低噪音、高性能和复合化方向发展，电子组装技术也发展采用表面安装技术ＳＭＴ。片式元件分片式无源元件、片式有源器件和片式机电元件。该文着重介绍国外近期发展的片式机电元件中的片式开关、片式连接器（ＳＭＣ）、片式继电器（ＳＭＲ）和簿型微电机等典型结构和技术发展动向及其应用情况。     

无刷直流电动机控制电路栅极电源的获得方式

无刷直流电动机控制电路栅极电源的获得方式钟仁人（西安徽电机研究所７１００７７）１无刷直流电动机桥路中ＶＭＯＳ（或ＩＧＢＴ）的栅极电源无刷直流电动机广泛采用桥式电路，而ＶＭＯＳ管或ＩＧＢＴ是其主要应用的功率器件。图１绘出了ＶＭＯＳ管的三相桥路（绕组星形...     

DSP单片微机及其在高性能控制中的应用

本文从体系结构、性能特卢、与系统组成等方面分析了ＤＳＰ单片微机ＴＭＳ３２０Ｃ２Ｘ在高速运算、多处理器应用和外设接口等方面与其他单片机相比所具有的优势，论述了ＤＳＰ器件（尤其是ＴＭＳ３２０Ｃ２Ｘ）将是高性能工业控制中的首选器件这一观点，并叙述了它们在工业控制中的应用与开发。     

用于表面安装再流焊器件的热塑性工程材料的尺寸稳定性

表面安装技术（ＳＭＴ）正逐步在电子工业中得到应用。由于表面安装器件（ＳＭＤ）的引线间距减小到它原有尺寸的１／２－１／４，因此，ＳＭＤ的尺寸稳定性便显得更为重要。再流焊时受到高温的作用，应当减少连接器和插座壳体的收缩、弯曲和翘曲，以便保障接面的牢固性，ＳＭＤ复杂的结构型式可能存在着模塑时产生的应力，受高温作用时，这种应力会导致元件收缩，变曲或翘曲，从而可能导致昂贵的印制电路板报废或使用中的产品失效。     

电力半导体器件的低温特性

以器件的实验结果和二维模拟结果为依据，讨论了ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＳＣＲ和电力二极管在高于液氮温度（７７Ｋ）时的特性。     

MOS功率器件的新成员—MBSIT

介绍了一种新型ＭＯＳ控制功率器件－ＭＢＳＩＴ，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＾＋衬底上生成ｎ＾－外延层。该器件被设计为常开器件，它的阳极电流通路完全被ＢＳＩＴ沟道中的自建电场所夹断，当外加一个正向栅压时，器件可通过阳极电流。该器件具有低的导通电阻，高速和大的导通电流密度，是一种很有发展前任的大电流，高速度，高效率开关器件。     

MOS控制晶闸管（MCT）的特性,驱动及应用

ＭＯＳ控制晶闸管（ＭＣＴ）的特性、驱动及应用Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ，ＤｒｉｖｅａｎｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆＭＣＴ￥／／西安电力电子技术研究所俞苹１国内外ＭＣＴ研制发展现状本刊１９９０年第四期曾介绍过ＭＣＴ的基本结构、工作原理及与其它器件...     

TAB和FPD器件的返修和修理

返修和修理ＴＡＢ（载带自动键合器件）和ＦＰＤ（精细间距器件）的过程是非常精细的，其复杂性超过了返修以前的间距为０．０５＾〃的ＳＭＤ器件。在返修和修理这些器件时，维修人员将面对更为精细的引脚间距、非常脆弱的引脚和共面的关系以及对定位、焊接的高精密度要求等一系列技术问题。     

新型电力半导体器件

电力半导体器件的发展是不断实现器件特性理想化的过程，该文中介绍了ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、ＳＩＴＨ、ＭＣＴ和ＰＩＣ等新型器件，并指出目前水平是ＩＧＢＴ为３０００Ｖ、１０００Ａ，ＳＩＴ为１５００Ｖ、３００Ａ、ＳＩＴＨ为４５００Ｖ、２５００Ａ、ＭＣＴ为３０００Ｖ、１０００Ａ、ＰＩＣ是智能化的功率集成电路。同时列表比较ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、ＳＩＴＨ和ＭＣＴ四种电力半导体器件的性能。最后指出：ＭＣＴ、ＰＩＣ器件处在不     

新型自动耐压测试仪的设计

本文介绍了一种自动耐压测试仪的新设计方法，它利用ＭＣＳ９６单片机产生ＳＰＷＭ波（正弦脉冲宽度调制）经放大后驱动电力电子功率器件（ＩＧＢＴ０得到幅度可调的正弦交流电，再经升压变压器升压输出，对被测装置进行了耐压试验，测试仪能输出０～１万伏失真度小于８％的无触点电压输出。     

带有转向器的MOS双门极EST晶闸管

对带有ｐ型转向器的ＭＯＳ双门极ＥＳＴ晶闸管（ＤＧＥＳＴＤ）进行了研究,该ｐ型转向器与双门极的结合使得空穴电流分流,从而明显改善了传统ＥＳＴ的正向偏置安全工作区（ＦＢＳＯＡ）,提高了其开开关能力。用ＴＭＡ ＭＥＤＩＣＩ商用器件模拟软件对ＤＧＥＳＴＤ特性进行了模拟验证。     

少数载流子寿命的简易测试法

少数载流子寿命的简易测试法ＳｉｍｐｌｅＭｅａｓｕｒｍｅｎｔｏｆＭｉｎｏｒｉｔｙＣａｒｒｉｅｒＬｉｆｅｔｉｍｅ￥／／株洲电力机车研究所丁肃秋（株洲４１２００１）１概述在电力半导体器件的生产中，如何从工艺上控制器件ｎ基区的少数载流子寿命（以下简称少子寿命...     

能量管理系统（EMS）第2讲 EMS的硬,软件平台

介绍了能量管理系统（ＥＭＳ）对硬件系统的要求，认为采用开放式计算机体系结构是ＥＭＳ技术发展的方向，同时还介绍了ＥＭＳ的数据类型，数据库及ＥＭＳ的人机界面。     

IGBT模块的研制

ＩＧＢＴ模块的研制ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅｓ￥／／北京电力电子新技术研究开发中心李福旺（北京１０００８８）１前言绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）是集功率ＭＯＳ和双极型晶体管优点于一身的电压控制型器件，具有输入阻抗高、驱动功率小、通...     

一种新型MOS控制功率器件

介绍了一种被称为ＭＢＭＴ的ＭＯＳ控制功率器件，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＾＋衬底上生长ｎ＾－外处层。该器件被设计中常开器件，当外加一个正向栅压时就可使器件通过阳极电流。该器件具有导通电阻低，开关速度快，导通电流密度大的优点，是一种发展前途较大的大电流，高效率开关器件。     

配电管理系统（DMS）的概念,特点和功能要求

首先根据国内外配电管理系统（ＤＭＳ）的发展现状，提出了ＤＭＳ系统的概念，分析了其特点，然后提出了ＤＭＳ系统应具备的功能，并详细分析了每个功能的具体要求。     

直径2mm电磁型微马达的研制及其气隙磁场的分析

微机电系统（ＭＥＭＳ）是正在国际上发展的新兴学科,微马达是微机电系统中的关键器件,本文介绍了研制成的直径为２ｍｍ、高０．７ｍｍ的电磁型微马达的结构特点,并对气隙磁场分布进行了分析讨论。