铝阳极氧化膜彩色电解着色的研究

本文研究了以磷酸溶液为氧化液、锡一镍混合盐为着色液的多彩色交流电解着色体系,控制不同的阳极氧化时间或交流电解着色时间,均可获得各种不同色彩的膜层。扫描电镜形貌观察及元素分析、X-射线衍射等测试结果表明,磷酸阳极厚氧化膜中含有PO_4~(8-),多孔层的Al_2O_3为无定形结构,膜层的孔径和厚度随氧化时间增加而增大,着色膜中的沉积物是β锡,它的沉积是从膜层与基底的界面开始的,其电解着色时间相同,其含量决定于氧化时间,氧化时间相同时,在很狭范围内与着色时间有关,在不同条件下所获得的着色膜,主要由于对可见光的干涉效应而显示不同的颜色。     

纯铝设备线夹表面氧化层激光清洗工艺研究

针对纯铝设备线夹表面氧化层的清理需求,研究纳秒脉冲激光清洗纯铝设备线夹表面氧化层的工艺。通过不同工艺参数下的对比试验,研究不同功率和光斑叠加率对激光清洗效果和清洗效率的影响。在高效率激光清洗的前提下,通过研究不同重复频率和扫描次数对激光清洗效果的影响,进一步优化纯铝设备线夹表面氧化层激光清洗工艺。结果表明：在高功率、50%的光斑叠加率工艺设定下,氧化污染表面具有良好及高效的清洗效果;在上述基础工艺上,优化重复频率和扫描次数,能进一步提升表面的清洗效果;过高的功率、光斑叠加率及扫描次数,均会造成表面的过清洗。     

选择性穿透阳极氧化工艺的三维铝封装技术研究

针对微系统高可靠集成需求,提出了一种三维铝封装集成微系统多功能器件的结构和方法。通过铝基板选择性穿透阳极氧化试验、低应力低空洞灌封试验和激光侧边电路刻蚀试验,实现了32 G固态存储器集成。研究结果表明,通过致密性氧化可实现内埋布线氧化终点的控制,采用阶梯式固化可降低灌封应力,优化的激光参数可获得侧边电路互连。首批试制固态存储器读写性成品率达73%,与同类3D-plus存储器相比,体积减少约55%,质量减轻约40%。     

铝阳极氧化技术制作三维铝封装基板

采用铝阳极氧化技术,制作了含有阵列型铝通柱的10.16 cm(4英寸)直径封装基板。由金相显微镜观察:基板的厚度在300μm左右,铝通柱的表面直径约158μm,内部最大直径约473μm。分析结果表明:图形掩膜边缘存在侧向阳极氧化效应,因而造成铝通柱实际为纺锤体结构。由半导体网络分析仪测得铝通柱和铝栅格地之间的绝缘电阻达到1011Ω;通过矢量网络分析仪反推出基板介质在1 MHz下的相对介电常数为5.97。这种三维铝封装基板制作工艺简单、成本低廉,可用于系统级封装领域。     

铝阳极氧化残存水合氧化膜热稳定性研究

采用水煮和直流阳极氧化法在铝箔表面获得残存的水合膜,研究热处理对水合膜结构和性能的影响。热重-差示扫描量热仪(TG-DSC)和傅里叶变换红外光谱分析(FTIR)测试表明,铝箔存在两个质量损失过程,200℃以下为铝箔表面吸附游离水的蒸发,200℃以上为水合膜中结构水的分解。X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:氧化膜分为内层的结晶Al2O3和外层的羽毛状Al2O3·xH2O两层,经过不同温度热处理后,水合膜的厚度和形貌无明显变化。电化学性能测试表明,热处理后样品的耐压值略有增大,比容值减小,主要是由于少量水合膜脱水转化为结晶Al2O3所致。     

彩色电镀电泳工艺

叙述了彩色电镀电泳的主要工艺流程,并对其关键工艺的机理和影响因素作了深入的探讨和研究,结果表明：其镀层具有耐腐蚀、色泽鲜艳、不易变色等优点。该工艺提供了防护装饰性涂层的新途径,对美化金属表面有着广泛的意义。     

铝膜穿透性阳极氧化技术

铝膜穿透性阳极氧化是实现阳极氧化铝薄膜多层布线基板制作的关键技术。研究了电流密度、电解质溶液温度和铝膜厚度对氧化时间的影响。绝缘电阻测定及扫描电子显微镜分析的结果证实了采用穿透性阳极氧化技术制作导带 ,导带间不存在残余铝薄膜。     

铝的等离子体阳极氧化研究

我们用等离子体阳极氧化的方法在铝表面生成厚度为40nm左右的氧化层,等离子体由射频辉光放电产生,阳极氧化时氧气压力为6.65Pa、两极间距离为18cm、直流偏压为35V,并测得氧化时样品温度约在100℃左右。     

铝-RIE刻蚀工艺

干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最大。此外 ,本文还给出 RF功率和气压的影响。采用适当的气体组合、不太高的功率和不太低的气压 (BCl3∶ Cl2 ∶ CHCl3∶ N2 =70 sccm∶ 1 5 sccm∶ 1 0 sccm∶ 0～ 5 0 sccm,2 0 0 m Torr,2 0 0 W)可以实现细线条 (0 .6μm) Al的刻蚀。     

彩色PDP烧结工艺研究

分析了在PDP厚膜制备过程中，烧结工艺引起精密图形产生形变的基本原理，提出了一种工艺途径使基板形变量控制在20μm/m以内。解决了107cm彩色PDP精密对位的技术关键；同时介绍了山崎公司152cm彩色PDP烧结炉的构造及控制原理，给出了几个典型的厚膜烧结曲线。     

彩色显像管的排气工艺

叙述了彩色显像管的排气工艺及制订排气工艺规范的考虑要点和实施方法。还叙述了在彩管厂投产初期,排气工序中影响成品率比较突出的几个问题及其解决方法。特别适用于新建的彩管生产线和调整工艺规范。     

高压铝阳极氧化膜形成技术

本利用俄歇电子能谱仪（ＡＥＳ）研究了高压铝阳极氧化膜不同深度的氧铝比,发现不同深度上偏离Ａ１２Ｏ３化学计量比是其介电性能劣化的原因。查明不同深度的形成技术条件,通过研究恒压下不同形成电汉时的最终电汉及三相交流形成后直流形成的Ｏ／Ａ１比,结果发现成膜速度太快和形成中氧化不足是现阶段阳极氧化膜Ｏ／Ａ１偏离的主要原因,针对氧铝比偏离１．５的多少对原形成条件作出相应调整,使铝阳极氧化 介电特笥得以优化。     

铝阳极氧化膜的功能性处理

一、前言铝阳极氧化膜的染色和电解着色,主要作为防蚀和装饰手段,已广泛应用于建筑材料,汽车部件和家用电器等工业。今后的新发展趋向是利用铝阳极氧化膜的特殊结构和物理、化学以及电化学的性质进行功能性的表面处理,制成具有各种电学、光学和机械等特殊性能的功能性材料。     

铝基板加工工艺探讨

本文主要介绍单面聚四氟乙烯铝基板的加工工艺流程及关键工序工艺控制要点。     

铝—RIE刻蚀工艺

干法刻铝中,ＢＣｌ３添加Ｃｌ２、ＣＨＣｌ３和Ｎ２,可改变Ａｌ的刻蚀速率、Ａｌ对ＳｉＯ２和胶的选择性、线宽和胶膜质量,其中Ｃｌ２流量影响最大。此外,本文还给出了ＲＦ功率和气压的影响。采用适当的气体组合、不太高的功率和不态低的气压（ＢＣｌ３：Ｃｌ２：ＣＨＣｌ３：Ｎ２＝７０ｓｃｃｍ：１５ｓｃｃｍ：１０ｓｃｃｍ：０￣５０ｓｃｃｍ,２００ｍＴｏｒｒ,２００Ｗ）可以实现细线条（０．６μｍ）Ａｌ的刻蚀。     

铝栅自对准工艺

铝栅自对准电路具有集成度高和性能价格比高等优点。本文从离子注入与合金(退火)两方面着手,研究铝栅自对准工艺。成功地研制出可与国外样品互换的铝栅自对准电路。