频段扩展较宽的砷化镓金属半导体埸效应管

以0.5微米栅长工艺为基础的砷化镓金属半导体场效应管的应用目前已高达18千兆赫。然而。系统的技术条件要求较低的噪声性能和(或)较高的工作频率。本文叙述制造0.3微米栅长器件所需的工艺及其直流特性、直至18千兆赫时的详细射频特性和直至30千兆赫的初步结果。在12、14和18千兆赫时,其噪声系数分别为1.2、1.5和2.1分贝,而相应的增益为12.5、11和9分贝。在28千兆赫时,达到的噪声系数为4.8分贝,而相应的增益为5分贝。研讨了冷却对器件噪声温度的影响。     

采用砷化镓场效应晶体管的微波放大器

本文描述了砷化镓场效应晶体管技术的现状,给出了这种器件的特性曲线,以及各种用于1～8GHz微波放大器的设计方法和要求。     

匹配型微波晶体管放大器

提出了一种采用桥接T型带通滤波器(下面简称为BPF)补偿晶体管增益的匹配型放大器的新方案,报告了设计方法及试验结果。这种匹配型放大器除用在宽频带放大器中表现出阻抗性能良好以外,特别是在多级级联使用时还具有能控制由信号源或负载阻抗变化引起幅频特性变化足够小的优点。这就是说增益补偿电路所采用的桥接T型BPF的特性几乎不随信号源或负载阻抗的变化而变化,因而具有良好的阻抗特性。而且这种结构能广泛适用于具有—6分贝/每倍频程的大部分晶体管。为适用于1.7千兆赫中频放大器,试制指标规定为:带宽400兆赫,增益大于50分贝。结果是四个两级晶体管组成的增益约14分贝的单元放大器串联起来的总增益与各单元放大器增益的简单分贝之和的差在所需带内小于1分贝。大信号输入时的调幅-调相转换增益压缩1分贝时相位变化量小于8°。     

C波段低噪声埸效应晶体管放大器

本文介绍C波段低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果。采用国产CX-50型砷化鎵场效应晶体管。通过对晶体管S参数和噪声参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接收机低噪声前端,实现了实验室內5厘米频段的指标是:(包括前置限幅器、隔离器和后置接收机噪声在内的)系统噪声系数4.0分贝,放大器增益14分贝。文中并简介放大器承受射频脈冲功率的实验情况,以及与单脈冲雷达使用有关的若干指标的初步测试结果。     

微波放大器用的低噪声砷化镓场效应晶体管

一、引言作为微波低噪声晶体管,砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管吸引着人们的注意,各厂家正在进行研究。目前的研究大体上分为微波低噪声场效应晶体管和大功率场效应晶体管两种。考虑到通信系统中频放     

微波晶体管放大器匹配网络设计研究

本文论述用集总元件和分布参数匹配网络设计微波放大器的各种技术。文章提出了一种推广雷米兹算法设计方法,从而可以用一个数字最佳程序调整增益和波纹值,以便实现器件模件的完全吸收及阻抗变换。     

砷化镓金属—半导体场效应晶体管的微波特性和器件模型的验证

用器件理论讨论了微波砷化镓金属-半导体场效应晶体管(MESFET)的小信号等效电路模型的元件与器件参数(器件结构、半导体性质和工作点)的关系。该等效电路在室温和液氮温度下通过小信号3千兆赫微波测量来实验验证。简述了用来确定等效电路参数数值的方法。     

微波晶体管放大器匹配网络设计的研究

本文讨论采用集总元件和分布元件设计微波晶体管放大器匹配网络的几种方法,提出了一种 Remez 算法的延拓近似设计方案,借助于这种方法,可利用数字最佳化程序对增益和波纹量进行调整,以便获得部件模拟元件的完全吸收以及阻抗变换     

微波功率晶体管放大器匹配电路的设计

对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法.着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果.根据本文方法,制作了某功率晶体管的放大测试电路并进行测试,其输出功率及效率均优于晶体管手册给出的典型值.     

微波砷化镓场效应晶体管放大器在低温下的噪声性能

对贝尔实验室微波砷化镓场效应晶体管放大器在液氮制冷(78°K)下4千兆赫的噪声温度已进行了测量,得到的最佳噪声温度大约是30°K(0.4分贝的噪声系数),而4千兆赫下噪声温度的室温值是152°K(1.8分贝)。     

超宽带有源匹配FET反馈放大器的分析与设计

本文提出用广义S参数设计有源匹配FET反馈放大器的方法，给出了共源、共栅、共漏反馈电路单元的广义S参数计算公式。最后举例说明了共栅－共漏和共栅－共源－共漏放大器的优化设计方法。     

宽带砷化镓场效应晶体管放大器的设计

实现了具有电抗补偿器和分节阻抗变换器的砷化镓场效应晶体管放大器,并对其特性作了测量。砷化镓场效应晶体管的输入和输出阻抗的虚部用电抗补偿器转换成任意电阻,然后再用分节阻抗变换器转换成50欧姆特性阻抗。对于采用 f_(max)-15千兆赫砷化镓场效应晶体管的放大器,在6.5千兆赫时得到2千兆赫1分贝带宽和5分贝的增益,且其值大致与计算值相符。己实现7分贝的噪声系数。     

离子注入的砷化镓微波场效应晶体管

用硫离子直接注入掺铬半绝缘衬底作成沟道区,制成了砷化镓微波场效应晶体管,这样就避免了生长外延层。这一离子注入法已用于制作0.25微米厚、厚度及载流子浓度均匀的n型层,对不同的样品载流子迁移率在2410～3620厘米2/伏·秒范围。由于均匀性好,用此注入层制作的场效应晶体管同一个片子上各个管芯的跨导和夹断电压重复性好,其偏差不超过±10％。通常,掺铬的砷化镓满足于制作场效应晶体管,然而为了获得最高的迁移率希望铬的补偿最小。表征微波特性的S参数测量推算出f_(max)=20千兆赫,然而因阻抗失配和管壳参量的影响,传输增益大约在7千兆赫截止。     

微波砷化镓场效应晶体管的进展

一、发展概况早在五十年代初期,肖克莱就提出了关于场效应晶体管的基本工作原理。由于材料和工艺方面的原因,在相当长的时间内进展迟缓。自1966年C.A.Mead提出砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管(GaAsMESFET)以来,普遍认为它可望成为一种很好的微波器件,竞相投入力量进行研制。1970年后,在砷化镓材料和制管工艺方面都有重大突破,从而使器件性能水平迅速提高。 1972年,GaAsMESFET已达到在10千兆赫下,噪声系数3.5分贝,增益6.6分贝。远远超过硅双极晶体管的性能。而且也提出了考虑到载流子速度饱和谷间散射的噪声模     

微波砷化镓场效应晶体管的可靠性

业已证明,砷化镓场效应晶体管的失效常常发生在较小的制造过程中造成的缺陷的部位上。可用扫描电镜和光学检查去除有这些缺陷的器件。失效常常可用能量脉冲来探测,能量脉冲能使材料从局部区域冲出。由正或负脉冲所引起的失效有不同的特性:栅上的正脉冲倾向于引起紧靠栅键合压点处或栅电阻大的区的失效;负脉冲倾向于引起制造过程中造成的缺陷的失效。该损伤可能不至于使器件电性能变坏,但将严重地降低其寿命。     

微波反馈放大器匹配及增益带宽的研究

本文介绍的是小信号微波反馈放大器的分析与综合。放大器是采用通常的增益级的框图,并取并联反馈。文中提供全部网络元件值的估算和预测闭环宽频带增益、带宽和双端口的匹配值。简述匹配值与增益用图解法的权衡。最后描述了综合方法并举例说明设计实例。     

砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管微波放大器的设计和性能

本文叙述了一个X波段的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管放大器的设计和性能。该放大器在8.0～12.0千兆赫的频率范围上在典型噪声系数为5.5分贝(最大为6.9分贝)时增益达到20±1.3分贝。输入和输出端的电压驻波比不超过2.5:1。1分贝增益压缩的最小输出功率为 13分贝毫瓦。讨论了实际的宽带耦合网络的设计,这些网络在整个X波段内使放大器的噪声系数最小并保持恒定的增益。     

微波反馈放大器的匹配和增益带宽的探讨

本文介绍了小信号微波反馈放大器的分析与综合。放大器采用通常的增益级框图表示和并联反馈。文中提供了全部网络元件的估算值和闭环宽频带增益、带宽和双端口的匹配值。用图解法对匹配值与增益进行了权衡。最后用实例描述了综合方法。     

用于微波仪器的砷化镓场效应晶体管

自从 C.A.Mead 在1966年提出砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管(GaAs ME-SFET)以来,就普遍认为它将是应用于微波领域里的器件。GaAs FET 的早期发展是缓慢的,但在1970和1971年在制造工艺和材料制备上有重大突破后,使得所希望的器件得以实现。最高振荡频率 f_(max)达50千兆赫且直到18千兆赫仍有有用增益的1微米栅长的MESFET,在许多研究室都能制得。今天我们在微波半导体工业里看到的情况,可称之为“砷化镓场效应晶体管革命”。