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本文提出一种用非球面光学和薄圆片形激活元件的紧凑的固体激光器系统,用半导体激光阵列的辐射从底面泵浦激活元件。共振反射镜、二极管阵列、激活元件和致冷系统连接在一个装置中。表明在激光器的组成中采用混合式的装置——不稳谐振腔,能减小聚焦激光束衍射的散射并导致在焦点处功率密度的增加。所探讨的激光器系统在建立最小 相似文献
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N/A 《激光与光电子学进展》1970,7(12):33
使用美帝通用电话和电子学实验室研制的红外激光扫描显微镜,能改进半导体工业中的检验方法。在加工前及加工过程中,激光束穿过半导体片产生明亮的“阴影图”。 相似文献
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陈彩廷 《激光与光电子学进展》1983,20(1):38
过去一年中的发展,使人们清醒地意识到,在半导体工业中,大规模应用激光处理半导体,远远落后于当初人们的设想。在将来的应用中,它将面临着其它技术的激烈竞争。过去的一年内,用相当廉价的热源,如条状加热器进行激光再结晶已处于发展之中。尤其是为了半导体器件进一步小型化的需要,今后几年特殊的激光处理可能会行得通。 相似文献
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张荣康 《激光与光电子学进展》1982,19(5):48
专门研究地球物理学的F.兹比研制成一种激光多普勒速度计,用于测定海洋湍流。这种装置的优点是,釆用半导体激光替代以往的He-Ne或Ar激光,无需大电源和冷却装置,但是,相干距离和激光发散角较差。对此种激光多普勒速度计的光学系统稍加改进,然后试用,据说噪声比过去的小,在海面下8英尺处的试验进展顺利。 相似文献
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《微电子技术》2000,(1)
TA8 5 76AFN是一种半导体激光控制用的LSI。它主要用于光磁盘装置和DVD -RAM装置。输出电流的上升 /下降时间比标准的1 5ns还短许多。东芝公司中的原来产品 ,其输出电流的上升和下降时间标准为 2 5ns。输出电流最小为 2 0 0mA。高频叠加振荡频率为 2 0 0MHz~ 35 0MHz。电源电压为 5V±1 0 %。封装为 2 0管脚的SSOP式。样品价格为 40 0日元。另外还有TA85 77AF电路 ,它是一种经过激光驱动用的信号波形整形了的LSI。该电路与TA85 76AFN配合使用。记录时的激光输出设定为 5级。输出电流的上升… 相似文献
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陈彩廷 《激光与光电子学进展》1980,17(11):33
讨论了大地干涉测距中应用半导体激光器的可能性。利用工作在室温下的脉冲半导体激光器进行了模拟实验。在逐步减小辐射源相干长度的情况下,通过确定干涉图样反差的最大值,使干涉仪的臂达到相等。证明了有可能使这种方法比目前所采用的显箸简化,而且使测距精度也显著提高。 相似文献
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侯印春 《激光与光电子学进展》1987,24(12):39
日本同志社大学工程系大田建久教授等人的研究小组,用半导体激光器研制成高速动作的光元件。利用改变半导体激光器的输入电流其振荡波长便会产生很小漂移的现象,制成了光运算、光记忆元件。这种元件比以往使用的液晶元件运算速度提高10倍以上, 如能小型化,甚至可能用于光计算机。 相似文献
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