聚对苯撑苯并双(口恶)唑发光及其器件制备

采用光谱技术,研究了聚对苯撑苯并双(口恶)唑(PBO)溶液的光敏发光特性,并用相对法估算出溶液发光效率在50%范围.结合光谱技术、半导体电学和电化学等研究手段,具体研究了以PBO为发光层的单层电致发光器件,研究结果显示,电致发光与薄膜的光致发光有具有相同的发光中心,峰值位于510 nm左右.同时发现,由于存制备过程中不同处理条件使得不同厚度薄膜残留的掺杂物质浓度不同,从而引起薄膜的导电性的不同.使得器件的阈值场强随PBO厚度的减小而逐渐增加.     

第十届全国固体薄膜学术会议将于下月在苏州召开

由中国电子学会电子材料分会、应用磁学分会及半导体与集成技术分会主办、河北工业大学材料学院承办的第十届全国固体薄膜学术会议将于2006年10月27日～30日在苏州召开。此次会议交流的内容将包括;薄膜科学与技术展望,新型固体薄膜材料制备技术及特性研究,薄膜生长机理及模拟,先进薄膜制备技术及特性表征,薄膜表面、界面状态、微结构以及生长动力学研究,磁性薄膜、多层膜、颗粒膜、超薄膜的磁性质、相关半导体、薄膜生长和测试设     

金属有机化合物化学汽相淀积(MOCVD)技术

<正> 一引言近年来出现了许多具有复杂结构的化合物半导体器件,如GaAsIC、高电子迁移率晶体管(HEMT)、超晶格器件和双异质结半导体激光器等。与之相应,对化合物半导体生长技术也提出了更高的要求,主要有以下三方面: 1) 能精密生长非常薄的外延层(小于几百埃); 2) 能生长含有多种元素的多层结构薄膜; 3) 能很均匀地生长大面积的薄膜。     

本期主题索引

半导体 一光电特性半导体薄膜 一氮化合物 一二氧化硅半导体材料 一能带 一缺陷 一热特性 一特征分析半导体掺杂 一镁半导体二极管 一研究半导体激光器 一国际会议 一性能半导体技术 一国际会议半导体开关 一电路 一砷化稼半导体器件 一辐射影响 一结构 一绝缘体上硅 一可靠性 一模拟技术 一筛选 一失效物理 一诊断(物理)半导体物理学半导体整流器 一影响办公室自动化包装设备 一计量薄膜 一磁控管溅射 一电致发光薄膜电感器 一结构薄膜工艺17174薄膜器件16975保护电路17757 一安全性试验保密 一动态特性保密编码17596 一可靠性分析 一理论 …     

Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳电池研究进展

Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTS)材料具有与Cu(In,Ga)Se2(CIGS)材料相似的光学性质和半导体性质,且原料丰富,是CIGS薄膜太阳电池重要的后备材料。有关CZTS薄膜制备工艺的研究和电池器件转换效率提升的研究正成为本领域新的研究开发热点。目前,有实力的薄膜太阳电池研究队伍已经针对CZTS薄膜太阳电池开展了持续的研究,试图通过不同的CZTS吸收层制备方式和优化电池组装工艺过程,进一步提高CZTS薄膜太阳电池的光电转换效率。文章阐述了CZTS材料特性,着重介绍了目前国内外所采用的CZTS薄膜制备方法,详细讨论了各种薄膜沉积技术的优缺点。最后展望了CZTS电池的发展趋势。     

砷化镓外延生长技术

具有代表性的化合物半导体的薄膜生长技术包括有利用歧化反应的汽相生长;有利用金属溶液的液相外延。然而现已发明了除了适应于Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体之外,甚至于还包括固溶体在内的各种材料的种种应用技术。本文以砷化镓为中心,叙述汽相及液相技术的最近动态和存在的问题。从器件应用的角度看,外延技术存在的问题有:(1)晶体的纯度,(2)生长层界面的控制,(3)外延层的厚度控制,(4)载流子浓度控制,(5)多层生长技术等。当前,     

CIGS薄膜太阳能电池结构分析

阐述了影响铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池性能和效率的技术因素,包括CIGS半导体材料的晶体结构、电池的结构组成、衬底材料的选择以及CIGS薄膜的Na掺杂等。分析了多元共蒸发法、硒化法沉积CIGS吸收层以及化学水浴法沉积Cd S缓冲层的具体工艺和特征,介绍了柔性CIGS薄膜太阳能电池的卷对卷技术,最后就CIGS薄膜太阳能电池的研发与商业化生产中遇到的挑战及解决方法进行了分析与归纳。     

外延GaN基薄膜表面应变演变RHEED分析

介绍了反射式高能电子衍射仪(RHEED)衍射原理以及半导体薄膜表面原子间距与其衍射图像间距成反比例关系。分析了采用ECR-PEMOCVD生长技术,在α-Al2O3衬底上低温外延GaN基薄膜(氮化层、缓冲层、外延层)工艺过程。通过对RHEED图像分析软件获取不同工艺过程中的外延薄膜衍射条纹间距的数据分析、计算、比较,得到薄膜表面衍射图像间距的大小,依据RHEED衍射图像与原子面间距之间的对应关系,分析薄膜表面的应变状态演变情况。分析计算结果表明生长20min氮化层、20min缓冲层的表面原子层处于压应变状态,而生长180min的AlN外延层,表面则处于完全弛豫状态。     

Ge团簇组装纳米薄膜的制备及光学性质

用惰性气体凝聚淀积技术制备半导体Ge团簇及其构成纳米薄膜。利用透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)及光谱分析方法对所获得的样品进行分析研究。分别在室温和液N2冷却条件下获得了具有2种不同微结构和形貌特征的氧化层包裹的Ge团簇组装薄膜。紫外一可见光光谱分析表明,这类纳米结构薄膜具有1．0～2．9eV的光学带隙蓝移,并可用量子限制效应来解释其起源。     

科技简讯

具有光学功能的薄膜　　日本庆应义塾大学的研究人员现已开发出一种具有阻挡紫外光功能的光学薄膜。该薄膜是将有机化合物和陶瓷薄膜以几纳米厚的精度层叠的多层膜。该薄膜具有低成本及多功能的特点。(No .1 0 )不需掩模的曝光装置　　美国半导体公司最近推出一种不使用照相掩模也能形成电路图形的曝光装置。该装置的特点是利用带微透镜的显示器件复制电路 ,采用制作球状半导体的曝光技术可以制造 1 μm线宽的电路。印刷线路板和LCD、半导体的电路形成以往均采用以下方法实现 :即对刻有电路的光掩模照射光 ,将电路复制到基板上。然而一块…     

Si基薄膜体声波谐振器(FBAR)技术研究

介绍了目前国际上主流的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术,分析了FBAR谐振器的结构设计和压电薄膜选取方案。依托Si基半导体工艺平台,采用牺牲层技术完成了空气腔的制作,利用磁控反应溅射技术制备的高质量(002)AlN薄膜作为压电材料,基于FBAR多层立体结构,实现了空气腔型FBAR谐振器的制作工艺,实际制作了FBAR谐振器样品。实测FBAR谐振器样品典型指标:Q值≥300,谐振频率为1.46 GHz,谐振频率覆盖L波段。测试结果验证了设计方案及工艺路径的正确性与可行性,为后续产品的研发提供了技术基础。     

高失配半导体薄膜材料的纳米异质外延新技术

纳米异质外延技术是制备高失配半导体薄膜的一种纳米制作技术路线,随着超大规模集成电路纳米图样加工技术的进步,它将在制备无缺陷密度且单晶品质完美的高失配半导体薄膜材料中发挥巨大的作用。详细地综述了纳米异质外延技术的原理,介绍了纳米图样制作技术并展示了运用纳米异质外延技术在Si(111)衬底上实现高失配GaN(失配度为20%)薄膜材料及在Si(100)衬底上实现InP薄膜材料的高品质单晶外延生长。     

GaAs pHEMT外延层转移技术研究

<正>随着化合物半导体技术日益成熟,利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现Si CMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路/系统性能,既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。南京电子器件研究所开展了基于外延层转移技术的晶体管级异构集成方面的研究,在国内首次将1.5|im厚的76.2 mm(3英寸)GaAs pHEMT外延层薄膜完整地剥离并转移到Si衬底上(如图1所示),     

氮化镓薄膜的研究进展

主要讨论了Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料氮化镓(GaN)薄膜的制备工艺、掺杂、衬底和缓冲层等相关问题，并提出了目前GaN研究中所面临的主要问题以及氮化镓材料的应用前景。     

原子层沉积制备ZnO薄膜研究进展

随着半导体技术的发展,ZnO作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、载流子漂移饱和速度高和介电常数小等优点,更适合制作蓝光和紫外光的发光器件。与传统的薄膜制备技术相比,原子层沉积技术(ALD)在膜生长方面具有生长温度低、厚度高度可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备ZnO薄膜的主流方法。综述了ALD制备ZnO薄膜的反应机制、生长机制和掺杂方面的研究进展,针对当前ZnO薄膜p型掺杂的难点,指出了V族元素中的大半径原子(磷和砷等)掺杂有可能成为制备高质量、可重复和稳定的p型ZnO的潜力研究点,最后总结和展望了ALD制备ZnO薄膜的应用前景和研究趋势。     

高精细DVD用蓝色半导体激光器

可录制和回放2h高质量电视图像的下一代DVD需要现行的DVD有3倍以上的信息量。用蓝色半导体激光器作光源,通过电流注入而使之产生室温脉冲振荡。这种激光器是采用有机金属气相生长技术把氮化镓(GaN)和氧化铟等半导体薄膜多层沉积在基板上,选择适当的方法控制超薄膜晶体界面,从而实现了沉积几个原子厚薄层的多重量子阱结构。由于实现了蓝色激光振荡,从而进一步扩大了实现高精细DVD的可能性。1.前言     

CdS薄膜的制备、结构和光致发光性能

CdS薄膜是一种n型半导体材料,用于CdTe多晶薄膜太阳电池的窗口层,其质量直接影响太阳电池的光电转换效率和寿命。用磁控溅射法制备了CdS薄膜,通过对薄膜进行X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光和紫外-可见光谱等测试,研究了CdS薄膜的制备工艺对薄膜结晶度、表面形貌和禁带宽度的影响关系。研究发现,随着CdS薄膜溅射功率的升高,薄膜的结晶度变好,晶粒增大,薄膜增厚,光致发光峰强度增加,禁带宽度减小;随着溅射气压减小,薄膜厚度增大,光致发光峰强度减小,禁带宽度减小。     

小带宽半导体的外延生长

已用真空淀积研究了小禁带宽度半导体Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te,Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te和Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜。以前有关真空淀积Hg_(1-x)Cd_xTe的报告中,对于Hg易于由层中失去的这种估计很不一致。本文作者通过利用以下三种不同技术——(1)瞬时蒸发,(2)用装在扩散容器内的额外的汞进行瞬时蒸发,(3)从分开     

ITO薄膜厚度和含氧量对其结构与性能的影响

在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与薄膜厚度和氧含量的关系,并测量了薄膜电阻率及透光率分别随膜厚和氧含量的变化情况。以低氧氩流量比(1/40)并控制膜厚在70nm以上进行镀膜,获得了结晶性好、电阻率低且透光率高的ITO透明半导体薄膜,所镀制的ITO膜电阻率降到1.8×10–4?·cm,可见光透光率达80%以上。     

退火温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响

为了获得光电性能好的ZnS窗口层薄膜,采用电子束蒸发法在玻璃基片上沉积ZnS薄膜,研究退火温度(200~500℃)对ZnS薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明:所制备的薄膜均为闪锌矿结构的β-ZnS多晶薄膜,导电类型为n型。随着退火温度的增高,薄膜结晶度和光电性能都变好。但是,当退火温度过高(500℃)时,薄膜的半导体特性反而变差。退火温度为400℃时,ZnS薄膜的性能最佳,此时薄膜的透过率较高;电阻率较低,为246.2?.cm。