一种用于智能化激光显示系统的CuBr激光器

专门设计了激光放电管的套筒结构及合页式圆筒状加热装置,并在激光器脉冲放电电源系统中,采用了单级磁脉冲压缩器,使CuBr激光器在输出功率、稳定度及器件寿命等性能得到显著提高.     

新型偏振式CO2波导激光器

为了简化偏振式CO2波导激光器的结构与制造工艺,提出了一种具有新型起偏装置的偏振式CO2波导激光器.该起偏装置就是一矩形波导型阴极.利用位于放电波导口处的矩形波导型阴极对腔内光束的特殊作用,使得只有某一偏振方向的光束才能在光腔内形成稳定的振荡,从而输出稳定的偏振光.从理论上分析了该器件的起偏机理,并通过实验测定了该器件的偏振度指标.该新型器件具有结构与工艺简单、价格低廉等特点,其输出光的线偏振度大于98%.     

便携式CO_2激光治疗仪

最近以来长春东北电力设计院五七工厂生产了一批可供巡回医疗用的便携式CO_2激光治疗仪.该产品的特点是制作简易,取材不难,造价便宜,使用安全,因而便于广泛应用.此治疗器由交流电源箱、CO_2激光器并带有可见光指示的张角式激光输出头以及活动三角架等组成.激光器放电管的直度可微调,以便获得优质光斑和提高输出功率.该器件是由GG-17~＃玻璃作放电管,而水冷套则由塑料管制成,由于避免了双层玻璃接头,因而消除了暂停水可能使玻璃管炸裂的危险.电极采用旁置式结构,大大减缓了对腔片的污染速度,延长了器件寿命.     

非对称异质波导半导体激光器结构

提出了一种非对称异质波导半导体激光器外延结构,即通过优化选择材料体系和结构厚度,对器件外延层的P侧限制结构和N侧限制结构分别设计,从而降低器件的电压损耗,使其满足高输出功率以及高的电光转换效率的要求.从载流子的输运和限制等微观机制出发,对器件的主要输出特性进行了理论分析和数值模拟,并以此为根据设计和制作了一种1060 nm In Ga As/Ga As单量子阱非对称异质波导结构半导体激光器,并对器件的主要输出特性进行了测试.实验结果表明,非对称异质结构是降低器件的电压降、增大限制结构对注入载流子的限制,提高半导体激光器电光转换效率的有效措施.     

GaAlAs／GaAs欧量子阱增益耦合型DFB激光器电吸收型调制器单片光子…

我们在国际上率先提出将增益耦合分布反馈式（ＧＣ－ＤＦＢ）半导体激光器作为激光器／调制器单片集成器件的光源，为了简化制作工艺，进一步提出激光器的有源层与调制器波动共用同一组分和同一结构，本理论上分析了新型器件的可行性，优化设计了器件结构，在此基础上，采用金属有机化合物化学汽相外延技术（ＭＯＣＶＤ）在国际上首次研制成功了该种增益耦合型ＤＦＢ激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件，器件电流为３５ｍＡ。     

稳定工作的二次模半导体激光器

首次报道了一种稳定工作的二次模半导体激光器,该器件具有全新的远场特性.该器件的设计中采用了模式扩展层结构.利用模式扩展层抑制基模,加强二次模,并避免了模式不稳定的问题.使用常规的工艺手段成功制作了该器件,初步测试结果显示该器件的模式稳定,远场光斑为对称的三瓣结构,并且光功率与阈值电流均为正常水平.这种新器件的研制成功表明,这种特殊的器件结构能够造成半导体激光器的远场模式,而特殊的远场模式可能带来一些新的应用.     

内脏式简易He-Cd激光器的制作

简述He-Cd金属蒸气激光器的工作机理.给出一种简单的分段结构的内腔式He-Cd激光器的制作工艺和初步的实验结果.此种结构也可按使用的需要而制成半内腔式或外腔式的激光器.     

一种激光直写式光刻光路系统

针对曲面栅网器件的光刻工艺,提出了一种可动态调焦的激光直写式光刻系统,该系统将紫外激光器的光束经过整形扩束、动态z向调焦、x/y振镜、聚焦等单元使器件上相应位置涂覆的光刻胶直接感光,再经过显影、刻蚀等工艺直接制作出相应器件. 它可以应用到一些精度要求不太高的平面或非平面器件的光刻加工工艺, 取代传统的使用掩模版的光刻工艺或其它的加工工艺.     

基于垂直腔面发射激光器的收发模块研究进展

垂直腔面发射激光器因与传统的边发射激光器有不同的结构,所以在光互联、光存储、光通信等方面得到了越来越广泛的应用.文章概述了近年来以垂直腔面发射激光器为发光器件的收发模块结构的最新研究与进展,并讨论了其发展方向.     

可调激光器技术及其在光标记交换中的应用

可调激光器是WDM光网络系统的理想光源,同时可以用作光分组交换网络结构器件、接入网波长路由器等方面,是当今光通信技术的研究热点之一。介绍了一些常用类型的可调激光器的工作原理和结构,并介绍了在光标记交换中使用可调激光器实现光标签头的产生和再生方案。     

N_2分子激光器Blumlein电路开路输出电压的研究

解回路微分方程得到了Blumlein电路开路输出电压的表示式,对W.A.Fitzsimmons等给出的Blumlein电路开路输出电压近似式以及《激光器设计基础》的表示式给以补充修正。找出了影响提高器件脉冲峰值功率的电路参数。纠正了文章《N_2分子激光器》的结论,给出了电容器转换电路开路输出电压的表示式。     

光纤通信中一些新型光器件的研究与发展现状

本文介绍了光纤通信中使用的光开关及其阵列、组合型光无源器件、光纤光栅、光纤激光器、光纤放大器、全光波长变换器、MEMS器件、光电集成器件等的近期研发现状,并展望了光器件未来的发展趋势.     

光纤通信中一些新型光器件的研究与发展现状

本文介绍了光纤通信中使用的光开关及其阵列、组合型光无源器件、光纤光栅、光纤激光器、光纤放大器、全光波长变换器、MEMS器件、光电集成器件等的近期研发现状,并展望了光器件未来的发展趋势.     

结构简单的中红外半导体激光器

日本ATR环境适应通信研究所等制成发射波长6 μm的结构简单的中红外光半导体激光器.该器件是实现发射从几微米到十几微米中红外激光的量子级联激光器的基础. 量子级联激光器是利用半导体超晶格性质新原理的半导体激光器.该器件是在GaAs基片是重复堆叠GaAs和AlAs层,其优点是晶体生长容易.今后该所还将进行室温连续振荡的实用型量子级联激光器的研制.     

多段式半导体激光器的研究进展

综述了多段式半导体激光器的研究进展.按结构不同,将它们分为两段式、三段式和四段式激光器进行讨论.重点介绍了几类具有典型结构的单片式集成激光器,总结了它们的设计背景、设计目的、基本设计思想、性能特点和基本用途,讨论了这些器件结构的共同点,指出两段式、三段式和四段式激光器研究上的关联和各自的研究重点.分析了多段式半导体激光器的发展趋势,展望了它们的应用前景.     

国内大功率半导体激光器研究及应用现状

近年来,国内外在大功率半导体激光器方面的研究均取得了很大的进展。其中,大功率半导体激光器列阵的研究和应用成为最大的亮点,如超高电光转换效率、高亮度和高可靠性等主要光电特性均实现了巨大的突破。针对国内大功率半导体激光器主要研究内容和关键技术进行了总结,在外延片结构中广泛采用应变量子阱结构、无铝有源区宽波导大光腔结构及非对称波导结构来提高端面光学灾变损伤光功率密度,还从腔面光学膜、器件封装、器件可靠性、光束整形与耦合以及器件应用等几个方面给予介绍。     

GaAlAs／GaAs多量子阶增益耦合型DFB激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件

我们在国际上率先提出将增益耦合型分布反馈式（ＧＣ－ＤＦＢ）半导体激光器作为激光器／调制器单片集成器件的光源．为了简化制作工艺，进一步提出激光器的有源层与调制器波导共用同一组分和同一结构．本文从理论上分析了该新型器件的可行性，优化设计了器件结构．在此基础上，采用金属有机化合物化学汽相外延技术（ＭＯＣＶＤ）在国际上首次研制成功了该种增益耦合型ＤＦＢ激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件．器件阈值电流为３５ｍＡ，在—５Ｖ调制电压下消光比达５ｄＢ．静态调制过程中，激射波长与阈值没有变化．     

全内腔式He-Ne激光器光束偏振特性的改善

全内腔式激光器是He-Ne激光器的一种典型结构。由于其结构简单,使用方便,稳定性好和价格便宜等优点,深受人们的重视,并在许多领域获得了广泛的应用。然而,该激光器输出通常为部分偏振光,其光束振动的矢量在空间随时间变化且呈现明显的不对称性,通过偏振器件后难以获得稳定的偏振光,这就使得其在许多与偏振有关的技术领域的     

异质结场效应激光器

<正>目前的半导体激光器多为二极管激光器,若将激光器制成具有和晶体管相同结构的晶体管激光器,则将会使光集成电路的制造变得较为方便.1990年9月份英刊《ElectronicsLetters》报道了首次提出的异质结场效应激光器(HJ—FET Laser),其结构如图所示.当栅-源(或漏)正向偏置,载流子注入GaAs有源层时,器件工作有如一个埋层异质结激光器.当栅处于反向偏置时,器件则如一个晶体管.     

一种封装激光棒的结构

用于工业生产的中小功率固体激光器件,在设计激光棒的封装结构时,必须考虑到工厂的使用条件,并且应该具有装卸方便、密封可靠、稳定性好等特点.对于灯、棒和聚光腔分别水冷的钕玻璃激光器,我们过去封装采用过如图1所示的结构.