一种新型结构的静电感应晶体管

提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模拟结果和实验结果一致.实验表明这种深槽结构能够有效截断寄生路径,消除寄生电流的影响,优化器件性能.同时,文章详细描述了这种器件的设计和制造工艺.     

一种具有变深槽电容的横向功率p-MOSFET

提出了一种含介质深槽的横向p沟道功率MOSFET(p-MOSFET)。深槽内填充了线性组合的高介电常数(high-k)介质和二氧化硅,以调变寄生的深槽电容(CDT),使CDT充电电荷增大且使该充电电荷沿纵向接近均匀分布。在深槽一侧,通过提高p型漂移区剂量来提供负极板充电电荷,在深槽另一侧,通过增设n型区来提供正极板充电电荷。两侧漂移区的电荷补偿效应均得到增强,器件性能获得提高。仿真结果表明,当击穿电压VB为450 V时,器件的比导通电阻RON,SP为9.5 mΩ·cm²,优值达21.3 MW/cm²,优值为现有器件的2.7倍。该项研究成果为功率集成电路提供了更优的器件选择。     

基于CQFP 64线外壳的封装寄生参数研究

封装寄生效应对高频器件性能的影响越来越明显.为了在高频器件设计中充分考虑寄生参数的影响,需对封装的寄生效应进行模拟,以便保持高频电路封装后信号的完整性.利用Anfost公司的软件Q3D和HFSS,对CQFP 64管壳的引脚和键合线进行电磁仿真分析,提取出三维封装结构的RLC参数和高频下的S参数;分析管壳在封装前后、不同频率、不同封装环境下寄生参数的变化情况;将仿真结果与实验结果进行了对比,为设计人员设计产品提供依据.     

深槽腐蚀工艺的研究

硅器件深槽腐蚀工艺广泛应用于硅内层玻璃钝化二极管、高压整流器、硅整流桥堆、低频功率器件以及高压功率集成电路.众所周知,对于高压整流器、高压功率器件,为了提高其反向耐压性能,经常采用台面结构.台面的形成工艺,始终是影响器件性能的关键工艺,然而在已往(或者当前)众多工厂仍然得不到圆满的解决.不少工厂台面的形成工艺采用黑胶保护,然后用HF、HNO_3     

Improvements on the Voltage Resistant Capability and Ⅰ-Ⅴ Characteristics of Static Induction Transistor with Buried Gate Structure

静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致Ⅰ-Ⅴ特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率.在器件有源区周围设计了保护沟槽,形成了槽台结构的孤岛,从物理上有效地切断了可能的寄生电流,改善了器件的耐压能力,优化了Ⅰ-Ⅴ特性.槽台结构通过对表面的台面造型来控制表面电场,能有效提高器件的击穿电压,改善器件电性能.     

台槽刻蚀对埋栅型静电感应晶体管特性的影响

对埋栅型SIT,为切断栅极和源极（或阴极）之间在外延过程中形成的连体,打开栅电极区,进行外延后的台面刻蚀,对台面刻蚀的深度和形状进行研究;为消除栅墙外划片边界造成的各种寄生效应,在有源区的外面挖深槽,以保证栅源击穿发生在内部、实现击穿接近理论值。对先刻蚀台面还是先刻蚀槽的问题做了实验对比,结果发现先台后槽更有利于器件特性的改善。     

具有混合I- V特性的静电感应晶体管的电性能

研究了具有混合型I- V特性的静电感应晶体管,提出了实现混合I- V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之间的最佳匹配关系.工艺实践表明沟道尺寸在确定器件特性是混合型、类三极管型还是类五极管型方面有着重要作用.讨论了静电感应晶体管性能控制的一般原则、方法和制造参数的控制判据以及控制因子β的作用.研究结果对静电感应晶体管的设计和制造,特别对具有混合型I- V特性的静电感应晶体管有实用价值.     

深槽对0.35 μm CMOS管抗闩锁性能的影响研究

相比于P+衬底CMOS工艺,P-衬底0.35 μm BiCMOS工艺中CMOS管的抗闩锁性能更差。为了提高CMOS管的抗闩锁性能,利用光触发方式,基于Medici器件,仿真研究了BiCMOS工艺中深槽对CMOS管闩锁性能的影响。结果表明,深槽可以提高CMOS管的抗闩锁性能。在光触发脉冲宽度为50 ns,深槽深度为3、5、7 μm时,深槽BiCMOS工艺中CMOS管的闩锁触发电流分别是无深槽BiCMOS工艺中CMOS管的3.13,6.88,11.12倍。     

具有混合I-V特性的静电感应晶体管的电性能

研究了具有混合型I-V特性的静电感应晶体管,提出了实现混合I-V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之间的最佳匹配关系.工艺实践表明沟道尺寸在确定器件特性是混合型、类三极管型还是类五极管型方面有着重要作用.讨论了静电感应晶体管性能控制的一般原则、方法和制造参数的控制判据以及控制因子β的作用.研究结果对静电感应晶体管的设计和制造,特别对具有混合型I-V特性的静电感应晶体管有实用价值.     

高压SOI PLDMOS的寄生双沟道特性分析及其改进结构

分析了存在于高压SOI PLDMOS器件中的寄生双沟道效应的产生机理,并提出了改进型的新结构.该结构有效地抑制了SOI PLDMOS器件的寄生双沟道效应,不但显著提高了器件的击穿电压,同时还改善了器件可靠性.借助二维器件仿真分析了器件耐压与电场分布和器件结构的关系.模拟结果表明,该结构使器件耐压由传统结构的109 V提高到213 V,突破了传统SOI PLDMOS器件的耐压值,明显地改善了器件特性.