周期性多孔低介电常数材料机械特性的表面波测量模型

研究了纳米通孔的分布对于表面波方法测量多孔低介电常数薄膜机械特性的影响,提出了用横观各向同性表征周期性多孔介质材料结构特性的表面波传播理论模型,给出了表面波在low-k薄膜/Si基底分层结构中的传播方程.通过数值算例揭示出表面波在不同传播方向的频散特性,以及low-k薄膜的弹性常数即杨氏模量E,E'和剪切模量G'对频散特性的影响.结果表明E'和G'在垂直于通孔的传播方向不能被测出.     

表征ULSI低介电常数互连材料机械特性的表面波频散特性

研究了在Si(100)衬底上淀积低k薄膜的分层结构中表面波沿Si［100］和［110］晶向传播的速度-频率色散特性，给出了表面波色散特性的理论推导，得到了低k薄膜的杨氏模量、密度、厚度和泊松常数对色散关系的影响.     

表征ULSI低介电常数互连材料机械特性的表面波频散特性

研究了在Si(100)衬底上淀积低k薄膜的分层结构中表面波沿Si[100]和[110]晶向传播的速度-频率色散特性,给出了表面波色散特性的理论推导,得到了低k薄膜的杨氏模量、密度、厚度和泊松常数对色散关系的影响.     

新型低介电常数材料研究进展

在超大规模集成电路中,随着器件集成度的提高和延迟时间的进一步减小,需要应用新型低介电常数(k<3)材料。本文介绍了当前正在研究和开发的几种低介电材料,其中包括聚合物、掺氟、多孔和纳米介电材料。     

同轴探头法测量片状介质材料的微波介电常数

提出了一种可用于测量片状介质材料微波复介电常数的同轴探头技术,该技术将同轴探头紧贴有导电衬底的片状介质,通过测量探头终端的矢量反射系数来确定介质的微波复介电常数。详细介绍了所采用的理论模型和测量系统。测量了一些常见介质材料的介电常数,测量值与理论值基本吻合。文章的同轴探头技术不仅可用于测量厚度较小的片状介质,而且可用测量样品量有限的液体。     

高温超导微波电路衬底材料复介电常数的测量

本文讨论了在液氮温度下高温超导微波电路介质衬底材料复介电常数测试技术。     

高温超导微波电路衬底材料复介电常数的测量

本文讨论了在液氮温度下高温超导微波电路介质衬底材料复介电常数测试技术。利用TMono模高Q圆柱形谐振腔,对高温超导常用的几种单晶介质材料进行了测试。结果表明,该测试技术在不同温度下,可对低耗单晶和各向同性介质材料进行准确的测试,且测试简便、迅速、自动化程度高,具有测试介质材料某一方向复介电常数的优点。     

低介电常数多孔二氧化硅薄膜的制备与性能研究

利用Sol-Gel的方法制备了多孔二氧化硅薄膜。通过优化薄膜制备工艺,实现了多孔二氧化硅薄膜厚度在450nm～3000nm范围内可控,薄膜孔率为59%。用FTIR光谱分析了不同热处理温度下多孔二氧化硅薄膜的化学结构。研究了多孔二氧化硅薄膜的介电常数、介电损耗、漏电流等电学性能,结果表明多孔二氧化硅薄膜本征的介电常数为1.8左右,是典型的低介电常数材料。并通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了表征。     

低介电常数材料在超大规模集成电路工艺中的应用

本文概述了低介电常数材料(Low k Materials)的特点、分类及其在集成电路工艺中的应用.指出了应用低介电常数材料的必然性,最后举例说明了低介电常数材料依然是当前集成电路工艺研究的重要课题,并展望了其发展前景.     

一种测量低损耗材料介电常数的三点传输／反射法

本文提出一种测量低损耗材料介电常数的三点传输／反射法。在这种方法中，介电常数的测量误差：１）接头处的失配 ；２）夹具的导体损耗；３）空气填充的传输线中样本位置的不确定；４）校准套件的不完善等均可用一个样本在三个不同位置所测量的数据来消除掉。本文同时给出了一种低损耗的工程塑料的实验结果。     

电迁移物理模型参数统计特性提取新方法

随着ＶＬＳＩ技术的发展，电迁移已成为集成电路最主要的失效原因之一，其可靠性评估技术也显得愈加重要。要改进该技术，不仅需要确定可靠性物理模型参数，而且要求掌握参数的统计分布特性。基于电迁移物理模型，提出一种提取参数统计分布特性的新方法。与传统方法相比，此方法不仅所需实验样品少、实验次数少，能真正得到反映样品离散性的物理模型参数的统计分布特性，而且也可用于其它失效机理（如栅氧击穿）物理模型中。