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一、LCD组件的结构图1和图2分别示出松下公司研制的TFT—LCD的剖面图及非晶硅薄膜晶体管阵列的显微镜照片。 a-Si TFT阵列在56.6×42.7mm~2的显示面积内以节距89(高)×87(宽)μm~2形成了480×650象素。这种a-Si TFT阵列可用5次光刻制作而成。 相似文献
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低温多晶硅(LTPS:Low-temperature poly-Si)技术已经成为薄膜晶体管(TFT:thin film transistor)制作中最具吸引力的技术,并应用在AMOLED显示器中.P-type 技术能够简化 TFT 的制作过程.本文提出了一种应用 p-type 多晶硅 TFT的 AMOLED 驱动电路结构,包括栅极驱动器、数据驱动器以及像素阵列.数据驱动器采用分块方法,使得显示屏的输出线数大大减少.作者采用一种改进的 p-type 移位寄存器实现逐行选通的功能,并采用由 4 个 p-type 反相器级联构成的缓冲器来提高电路的驱动能力.为了验证上述电路结构的正确性,作者采用 HSPICE 软件进行仿真分析.结果表明,电路工作正常.利用韩国汉城国立大学及 Neo Poly 公司在多晶硅制作方面的优势,我们已经合作完成了应用上述电路结构的分辨率为96×3×128的有源 OLED 的制作. 相似文献
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由西北工业大学航空微电子中心研制的、名为龙腾T1芯片的手机用TFT彩色液晶显示驱动控制电路芯片,日前通过陕西省科技厅组织的成果鉴定.这种芯片是国内首家研发成功具有完全自主知识产权的我国首款手机用TFT彩色液晶显示驱动芯片. 相似文献
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大屏幕TFT液晶显示器栅极/源极显示驱动解决方案 总被引:2,自引:0,他引:2
本文首先对TFT液晶显示技术进行了简要的介绍,随后对大屏幕TFT液晶栅极/源极显示驱动技术进行了详细的解析,最后对典型的大屏幕TFT液晶显示系统给出了完整的栅极/源极显示驱动芯片解决方案. 相似文献
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TFT的低功耗特性能够减少电子设备的能量消耗,从而达到节省能源、延长电池寿命、降低使用设备温度、提高显示质量的目的。因此,低功耗TFT在电子设备的设计和制造中具有十分重要的作用。TFT基板的结构有很多种类,通常可分为一般型、高温多晶硅型、低温多晶硅型、金属氧化物半导体型和柔性材料基板型。本文对现有的TFT基板显示器件的低功耗研究进行总结分析,主要包括两大方面:对TFT基板本身驱动进行优化;对TFT基板外设驱动进行优化。本文对两大方面的低功耗研究进行了综述,并对近年来国内外TFT低功耗方法研究进行详细介绍。根据所介绍的方法的特点与其尚未攻克的困境,对TFT基板显示设备低功耗驱动的未来发展进行了展望。 相似文献
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分析了a—Si:H—TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx:H栅绝缘层和a—Si:H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a—Si:H—TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿周值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的。 相似文献