非晶态As2S8半导体薄膜波导的热处理效应

研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm.     

As2S8非晶态薄膜波导光学截止效应研究

报告了As2S8非晶态薄膜波导的光学截止（optical-stopping)效应的实验过程，初步结果和机理分析，介绍了硫系非晶态As2S8薄膜波导的制备工艺。以及实验光路和光学截止现象的过程，在实验基础上，结合有关硫系非晶态半导体中的其他一些光诱起现象的报道，我们提出了以微结构变动为前提，结合半导体能级理论的电子泵浦模型，解释了实验现象。     

As_2S_8非晶态薄膜波导光学截止效应研究

报告了As_2S_8非晶态薄膜波导的光学截止（optical-stopping）效应的实验过程、初步结果和机理分析.介绍了硫系非晶态As2S8薄膜波导的制备工艺,以及实验光路和光学截止现象的过程.在实验基础上,结合有关硫系非晶态半导体中的其他一些光诱起现象的报道,我们提出了以微结构变动为前提、结合半导体能级理论的电子泵浦模型,解释了实验现象.     

As2S8薄膜光致折射率效应及其在条波导制备中的应用研究

分别采用紫外光和He-Cd激光辐照，实验研究了As2S8非晶态薄膜的光致折射率变化以及膜厚变化的现象，归纳了实验规律，初步分析了机理。利用光诱起折射率变化效应试制了As2S8玻璃条波导，实现了良好的导波特性。     

非晶As2S3半导体薄膜在激光作用下的性能及结构研究

在激光辐照或退火作用下 ,As2 S3非晶半导体薄膜的光学吸收边出现红移现象 ,并且随着激光功率的增大和辐照时间的延长 ,红移值增大 ,并最后达到饱和。这种红移在先经过退火处理再激光辐照的薄膜中是可逆的。从扫描电镜的形貌图中也可以看出 ,经激光辐照后 ,薄膜表面有晶相出现 ,且随着激光功率的增加 ,晶相出现增多。As2 S3非晶半导体薄膜中光致效应的产生是由于光致结构变化所致 ,对其产生原因 ,进行了机理分析     

As_2S_8薄膜光致折射率效应及其在条波导制备中的应用研究

分别采用紫外光和He—Cd激光辐照,实验研究了As2S8非晶态薄膜的光致折射率变化以及膜厚变 化的现象,归纳了实验规律,初步分析了机理。利用光诱起折射率变化效应试制了As2S8玻璃条波导,实现了良好 的导波特性。     

Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响

采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜.首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4h制备一系列Mg2Si半导体薄膜.采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品的结构、表面形貌、剖面进行表征,研究了Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜生成的影响.结果表明,在Si衬底上制备出以Mg2Si (220)为主的单一相Mg2Si薄膜,且Mg2Si (220)的衍射峰强度随着Mg膜厚度的增加先增大后减小,Mg膜为2.52 μm时,制备的Mg2Si薄膜表现出了良好的结晶度和平整度.最后,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜方块电阻的影响.     

As2S8平面波导：退火-光照-退火循环作用下折射率的变化及光传输特性

蒸发沉积态的非晶半导体As2S8薄膜在退火-饱和光照-退火循环处理下,其折射率变化存在可逆。而对于在退火-非饱和光照-退火的连续处理,发现As2S8薄膜折射率先增加达到最大值,然后在退火作用下才出现可逆。退火处理引起S-S键态变化,导致非晶半导体As2S8薄膜结构达到一定稳定状态,伴随着薄膜厚度的减小。As2S8平面波导在130C 温度退火,然饱和光照,又经过130C 温度退火处理后,显示出约为0.27 dB/cm低的传输损耗,在波长632.8 nm导模下有良好的光传输性能。     

As2S3-CdI2系统玻璃的微结构与热属性

运用传统的熔融淬冷技术成功地制备出了均匀的玻璃样品(1-x)As2S3-xCdI2(x=0．015，0．035，0．050)。对样品进行了X线衍射和热综合分析以及拉曼散射等测试。随着CdI2含量的添加，样品系统玻璃的热属性基本上没有变化。基于实验结果，被研究玻璃系统的微结构被认为是：离散的AsS3分子和Cd-S原子键或原子簇均匀地分散在由硫桥连接的[AsS3／2]单元组成的玻璃网络中。     

As_2S_8 planar waveguide:refractive index changes following an annealing and irradiation and annealing cycle,and light propagation features

The refractive index of as-evaporated amorphous semiconductor As₂S₈ film upon an annealing and saturation irradiation and annealing cycle is reversible.Upon successive treatment with annealing and non-saturation irradiation and further annealing,the refractive index of the as-evaporated amorphous semiconductor As₂S₈ film reaches a maximum value and then its reversibility occurs upon annealing.The annealing of the amorphous semiconductor As₂S₈ films results in the stabilization of the structure through changes of the S-S bonds in the nearest environment,accompanied by a decrease of film thickness.The As₂S₈ planar waveguide after annealing（130℃） and saturation irradiation and annealing（130℃） shows a good propagation characteristic with ca.0.27 dB/cm low propagation loss of the 632.8 nm guided mode.     

非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展

薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能.近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏显示、3D显示、柔性显示以及透明显示等新一代显示领域.综述了AOS TFT沟道层的研究进展,重点介绍了AOS TFT用AOS沟道层在材料体系、成膜技术、薄膜的后续处理工艺、材料体系中各元素含量以及掺杂等方面的研究成果,并分析了AOS沟道层对AOS TFT性能的影响以及存在的问题,对AOS TFT的未来发展趋势进行了预测和展望.     

微波退火非晶硅薄膜低温晶化研究

多晶硅薄膜晶体管以及其独特的优点在液晶显示领域中起着重要的作用。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温制备（＜600℃高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺;微波退火非晶硅薄膜固相晶化法,利用X射线衍射、拉曼光谱和扫描电镜分析了微波退火工艺对非晶硅薄膜固相晶化的影响,成功实现了低温制备多晶硅薄膜。     

由W0.95Ni0.05金属薄膜形成光弹波导结构的热稳定性

InGaAsP/InP双导 质结构外延片在直流负偏压120V作用下,利用射溅射和光刻剥离技术在样品表面淀积厚为110nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条,并在该应条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹波导结构。W0.95 Ni0.05金属薄膜及由其形成的光弹波导器件在氢氮混合气体的保护下,分别在250℃、350℃、450℃、450℃和600℃温度下各退火30min以后,W0.95Ni0.05金属薄膜中压应变减少了十分之一。光弹波导器件输出椭圆形近场光模长、短轴这比由原来的2.0增加到2.2(对2um条宽）和2.5增加到2.9(对4um条宽）。实验结果证明,这种波导结构具有很高的热稳定性。