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提出采用 自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题.基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板.采用多胞串并联网络结构设计大功率倒装单片集成LED芯片,芯片尺寸为1.5 mmx4.5 mm.在200 mA的驱动电流下,大功率倒装单片集成LED芯片的正向电压为8.3 V,反向漏电流小于100 nA.当输入电流为2 A时,大功率倒装单片集成LED芯片的输入功率为20W,其最大光输出功率为8.3 W,插墙效率为42.08%,峰值热阻约为1.23 K/W,平均热阻约为1.17 K/W. 相似文献
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采用超薄贴合技术,通过改进封装散热结构来解决大功率倒装发光二极管(LED)芯片散热和电学绝缘之间的矛盾。采用串并联的内部拓扑结构和三角电极原理开发了一款尺寸为5 mm×5 mm的单片集成大功率倒装LED芯片。使用起芯片电学延伸作用的金属片和绝缘导热凸台这一散热结构对LED芯片进行封装。在驱动电流为0.1 A时,芯片的开启电压为29 V,芯片可正常发光。在2 A的恒流电源驱动下,芯片到散热器的峰值热阻为0.44 K/W,平均热阻为0.38 K/W。加装透镜后,蓝光LED的插墙效率达到42%,白光LED的光效达到86.19 lm/W。使用超薄贴合技术成功地制备了75 W单片集成大功率倒装LED,为开发单片集成大功率LED提供了有效的途径。超薄贴合技术对单片集成大功率倒装LED的发展具有一定的推动作用。 相似文献
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高压(HX)倒装LED是一种新型的光源器件,在小尺寸、高功率密度发光光源领域有广泛的应用前景.设计了4种不同工作电压的高压倒装LED芯片,进行了流片验证,并对其进行了免封装芯片(PFC)结构的封装实验,在其基础上研制出一种基于高压倒装芯片的PFC-LED照明组件.建立了9V高压倒装LED芯片、PFC封装器件及照明组件的模型,利用流体力学分析软件进行了热学模拟和优化设计;利用T3Ster热阻测试分析仪进行了热阻测试,验证了设计的可行性.结果表明,基于9V高压倒装LED芯片的PFC封装器件的热阻约为0.342 K/W,远小于普通正装LED器件的热阻.实验结果为基于高压倒装LED芯片的封装及应用提供了热学设计依据. 相似文献
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大功率LED结温测量及发光特性研究 总被引:6,自引:1,他引:5
介绍了基于正向电压法原理自行研制的大功率LED结温测试系统,结温定量测量精度可达±0.5 ℃.利用该系统对不同芯片结构与不同封装工艺的大功率LED热阻进行了测量比较,并对不同结温的大功率LED发光特性进行了研究.结果表明,不同结构芯片温度-电压系数K明显不同;采用热导率更高的粘结材料和共晶焊工艺固定LED芯片,会明显降低封装层次引入的热阻.结温对光辐射功率有直接影响,若保持结温恒定,光辐射功率随电流增大线性增加;若保持外部散热条件不变,热阻大的芯片内部热量积累较快,导致结温上升速度更快,光效随电流增加而下降的趋势也更为严重. 相似文献
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散热是大功率LED封装的关键技术之一,散热不良将严重影响LED器件的出光效率、亮度和可靠性。影响LED器件散热的因素很多,包括芯片结构、封装材料(热界面材料和散热基板)、封装结构与工艺等。文章具体分析了影响大功率LED热阻的各个因素,指出LED散热是一个系统概念,需要综合考虑各个环节的热阻,单纯降低某一热阻无法有效解决LED的散热难题。文中还对国内外降低LED热阻的最新技术进行了介绍。 相似文献