CoCr垂直磁记录薄膜的温度特性研究

本文利用射频磁控溅射方法制备了CoCr垂直磁化膜样品,研究了其磁光克尔效应及其不同温度下的磁光克尔回线。并利用CoCr膜的磁光克尔效应的温度特性来说明CoCr膜具有很好的温度稳定性。     

对向靶溅射参数对CoCr膜性质的影响及CoCr软盘的研究

本文系统地研究了对向靶溅射参数P_Ar、I_s、T_s、V_b对CoCr膜结构和磁性的影响。结果发现较低的P_Ar和适当的V_b对提高CoCr膜C轴的取向度有利,T_s、I_s对CoCr的磁性有很大影响。在此基础上研制出了CoCr软磁盘。     

对向靶溅射参数对CoCr膜性质的影响

<正> 本文系统地研究了对向靶溅射参数对垂直磁记录介质 CoCr 膜结构和磁性的影响。一、引言近年来,随着垂直磁记录介质研究的发展,关于二极溅射、磁控溅射和射频溅射的溅射条件对 CoCr 膜性质的影响已有许多研究,但新型对向靶溅射仪溅射条件对 CoCr 膜性质的影响还不甚清楚。对向靶溅射中影响 CoCr 膜性质的因素很多。通过实验研究,我们发现氩气压力 P_(Ar),溅射电流 I_s,基板温度 T_s和基板负偏     

垂直磁记录介质钴铬膜的磁性

<正> 近年来,对垂直磁记录介质及其记录特性的研究得到非常广泛地开展。由于它具有很强的垂直膜面的磁单轴各向异性,和近于零的相邻位的互退磁效应,因而信息记录密度可获得高达10~8位/吋~2的潜在可能。     

非晶Sm-Co溅射膜的垂直各向异性

非晶稀土(RE)-过渡金属(TM)膜的一个共同特征是具有单轴各向异性,这个单轴各向异性的强度和取向,主要取决于非晶膜的成分、基片温度和膜的制造方法。非晶Sm_(25)Co_(75)溅射膜在控制溅射条件下可获得大的垂直各向异性。非晶膜的磁各向异性的起源可以有若干个机构,主要有磁各向异性微结构和原子对有序(短程有序)机构等。本文具体讨论了非晶Sm-Co溅射膜的垂直各向异性的来源可能有三个方面:(1)柱状微结构的形状各向异性;(2)负偏压的作用导致原子对有序和柱状微结构的细化;(3)垂直静磁场感生的垂直单轴各向异性。     

垂直磁记录的研究

本文介绍了纵向磁记录在高密度记录中遇到的困难;分析和讨论了垂直磁记录的特点、所用的磁头及记录介质,讨论了垂直磁化模式的记录过程及再生过程。     

垂直磁记录的晚近发展

<正> 一、引言自岩崎等人提出单极磁头和Co-Cr+NiFe双层记录介质相组合的垂直磁记录系统后,垂直磁记录的研究经历了突破性的发展。近年来在理论研究和应用方面均取得了显著地进展。1982年以后,日本的东芝、ANALVA、日立、富士     

双层膜垂直磁记录介质的噪声

通过频谱分析和MFM观察,研究了双层膜垂直磁记录介质的噪声源。双层膜介质噪声分为起因于垂直磁化层和软磁性衬底层的两种噪声。一般认为,前者显示准白型固有噪声频谱,与单层薄膜介质相同的位间反磁畴为噪声源;后者是与随记录密度增加的纵向记录介质一样的过渡性噪声,但固有噪声频谱包含超低频成份。要实现双层膜介质的低噪声化,除减少垂直磁化层引起的噪声外,还必须降低软磁性衬底层引起的噪声。通过改变制作软磁性衬底层的条件,可降低衬底层引起的噪声。     

双层膜垂直磁记录介质的噪声

通过频谱分析和MFM观察,研究了双层膜垂直磁记录介质的噪声源。以腊介质噪声分为起因于垂直磁化层和软磁性衬底层的两种噪声。一般认为,前者显示准白型固有噪声频谱,与单层薄膜介质相同的位间反磁畴为噪声源;后者是与随记录密度增加的纵向记录介质一样的过滤性噪声,但固有噪声频谱包含超低频成份。要实现双层膜介质的低噪声比,除减少垂直磁化层引起的噪声外,还必须降低软磁性衬底层引起的噪声。通过改变制作软磁性衬底层的条件,可降低衬底层引起的噪声。     

从生产观点谈垂直磁记录

本文回顾了当前垂直磁记录的发展状况。从工业生产的观点来看,环形磁头在钡铁氧体颗粒介质上记录。最接近于实际应用.东芝公司已经开发了一种采用3.5英寸钡铁氧体磁盘的4MB软盘存贮器。垂直记录除了应用于数据有贮之外,还应用于音频和视频。结论:垂直磁记录将逐步取代传统的纵向磁记录,前途无量.     

超高密度垂直磁记录材料研究进展

回顾了超高密度垂直磁记录介质的研究历史,综述了目前超高密度垂直磁记录介质的3种主要侯选材料:CoCr基薄膜,L10相颗粒薄膜和图纹结构材料的最新研究进展情况。     

垂直磁记录和钡铁氧体磁粉

<正> 一、引言迄今为止,磁记录技术已经历了许多重大的革新和改进。同时,磁记录材料的研究也取得了飞速发展。目前,磁记录技术发展的标志之一就是记录密度的不断提高。由于记录装置的小型化和轻量化,对磁带的记录密     

垂直磁记录媒体及工艺方法

<正> 一、前言随着垂直磁记录技术研究的发展,垂直磁记录媒体的研究也在继续深入。新的、性能更好的垂直各向异性膜不断出现,工艺方法有了突破性的进展,预示着今后几年内,垂直磁记录产品将趋于实用化。本文介绍了国外已研究过的几种垂直磁记录媒体及其工艺方法,并对各自的性能特点作了概括。     

三星硬盘采用垂直磁记录技术

以前硬盘所使用的记录技术都是纵向或称水平磁记录（LMR，Longitudinal Magnetic Recording），每个1存储位的磁极粒子平辅在一个平面上。虽然磁记录材料的不断进步，但极限已到，在相同的面积上加入更多的磁极粒子虽然有助于提高存储密度，但也加大了平面排列的磁粒子之间的互斥干扰，即使容量可以进一一步提高，但记录的质量则不能得到有效的保证。     

垂直磁记录介质的发展与回顾

<正> 自研究垂直记录以来,十多年过去了。开发出的各种垂直记录介质中,首推溅射 Co—Cr介质。这些介质普遍表现出良好的垂直磁记录性能。但是,Co-Cr 膜耐用性不够,需附加保护层强化表面。而保护层又有其他副作用。预计 Co—Cr 蒸镀介质不久将成为商品化的高密度磁记录介质。颗粒钡铁氧体的耐用性好,已成     

SmCo_5垂直磁记录薄膜的研究进展

SmCo5垂直磁化膜具有极高的单轴磁晶各异性,能有效克服当前垂直磁记录介质所面临的超顺磁效应问题,是未来超高密度磁记录介质的候选材料。本文叙述了SmCo5垂直磁记录薄膜制备的国内外发展现状,着重介绍了底层材料和结构对SmCo5垂直磁化膜微观结构和磁性能的影响,同时对今后SmCo5垂直磁记录薄膜的研究方向作了展望。     

SmCo5垂直磁记录薄膜的研究进展

SmCo5垂直磁化膜具有极高的单轴磁晶各异性,能有效克服当前垂直磁记录介质所面临的超顺磁效应问题,是未来超高密度磁记录介质的候选材料。本文叙述了SmCo5垂直磁记录薄膜制备的国内外发展现状,着重介绍了底层材料和结构对SmCo5垂直磁化膜微观结构和磁性能的影响,同时对今后SmCo5垂直磁记录薄膜的研究方向作了展望。     

射频溅射CoCr双层膜及软磁盘的研究

本研究利用射频溅射法制备了垂直磁记录用正CoCr单层膜及NiFe/CoCr双层膜。研究了溅射压力Prf、基板温度Tsb对CoCr合金层(002)面△θ50角,矫顽力Hc⊥、Hc∥有效各向异性场HK*及正方比S⊥、S∥的影响。可以控制溅射条件使单层CoCr膜(002)面△θ50在5°以内,双层膜CoCr层△θ50在10°以内,而在较宽的范围内调整Hc⊥、Hc∥值。选择一定溅射条件制备了NiFe/CoCr双层膜软盘,并利用市售普通纵向记录的51/4英寸软盘机驱动装置及其环形磁头对该盘进行了读写实验,表明可以实现垂直方式的写入和读出。     

从第三届垂直磁记录国际会议看磁记录发展动态

94年10月10～14日东京第三届垂直磁记录国际会议的规模虽不大，但比较集中地反映了垂直磁记录历经“高低高”，正走出低谷，采用接触记录和继承了薄膜集成微型磁头及复合镀膜磁记录介质等国际先进技术，在微型硬磁盘高密记录、实用化和产品化有所突破。并反映了磁记录正满怀信心地向10Gbpi2，基至Tbpi2的高记录密度进军，在一些新技术前沿方向活跃地积极深入研究和发展