Cu掺杂对Cu-Mn-Co-Ni-O薄膜结构和性能的影响

通过金属有机物热分解法制备了结构为Ag/NTC/SiO_2/Si的薄膜NTC(负温度系数)热敏电阻,研究了Cu掺杂对Cu_xMn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_(4+y)[x=0～0.25,(x+3)/(4+y)=3/4]薄膜结构和性能的影响,并对其导电机理进行了分析。结果表明,少量Cu(x≤0.2)掺杂可以迅速降低薄膜的室温电阻值,过量则会导致薄膜产生孔隙和缺陷; Cu主要以Cu~+形式存在并占据A位;随着Cu掺杂量的增加,会使Cu~+和Mn~(3+)/Mn~(4+)离子对的含量占比均增加,促进两种电子跳跃机制导电。当x=0.2时,薄膜电阻有最佳的性能:R_(25)=0.082 MΩ,B_(25/50)=3250 K。     

退火处理对氧化锌透明导电薄膜的结构及电学性能的影响

采用地具空蒸发技术，以醋酸锌和氯化铝作为蒸发物质，在加热的玻璃衬底上制备出氧化锌和铝掺杂的氧化锌秀明导电薄膜。研究了氢气，空气和真空退火处理对制备薄膜的结构及电学性能的影响。     

RF磁控溅射功率对ZnO：AI薄膜结构和性能的影响

采用RF磁控溅射技术以ZnO2Al2O3（2wt％Al2O3）为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶ZnO：Al（AZO）薄膜,通过XRD、AFM、AES以及Hall效应、透射光谱、折射率等手段研究了RF溅射功率（50-300w）对薄膜的组织结构和电学,光学性能的影响。分析表明：所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向,并且通过对不同功率下薄膜载流子浓度与迁移率的研究发现对于室温下沉积的AZO薄膜,晶粒间界中的O原子吸附是影响薄膜电学性能的主要因素。同时发现当功率为250W时薄膜的电阻率降至最低（3．995×10^-33Ω·cm）,可见光区平均透射率为91％。     

键合类陶瓷外壳结构对高频信号传输性能的影响

针对陶瓷外壳中影响高频信号传输性能的键合指、传输线、过孔和返回路径平面等结构进行仿真研究,得到了在0～ 20 GHz频带内的最优参数模型.将其应用于某CLGA49陶瓷外壳产品,高频信号传输性能实测结果与仿真结果符合较好,验证了仿真结果的准确性.结果 表明,增大键合指与键合丝连接处的宽度为与之相连接微带传输线宽2～2.3倍时,传输性能显著提高;单端阻抗为50 Ω,线宽更窄的互连线更有利于传输高频信号;过孔直径增大,接地过孔长度增长会改善传输性能;减少陶瓷外壳中返回路径平面的层数会改善高频信号的传输性能.     

RF磁控溅射功率对ZnO:Al薄膜结构和性能的影响

采用RF磁控溅射技术以ZnO:Al2O3(2 wt%Al2O3)为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶ZnO:Al(AZO)薄膜,通过XRD、AFM、AES以及Hall效应、透射光谱、折射率等手段研究了RF溅射功率(50～300 W)对薄膜的组织结构和电学,光学性能的影响.分析表明:所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向,并且通过对不同功率下薄膜载流子浓度与迁移率的研究发现对于室温下沉积的AZO薄膜,晶粒间界中的O原子吸附是影响薄膜电学性能的主要因素.同时发现当功率为250 W时薄膜的电阻率降至最低(3.995×10-3 Ω·cm),可见光区平均透射率为91%.     

真空退火时间对ZAO薄膜的结构与性能的影响

采用射频磁控溅射法制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究了真空退火对其组织结构和光电性能的影响规律.结果表明,所制备的ZAO薄膜厚度均匀、组织致密,具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构,400℃真空退火后,薄膜晶粒粗大,(002)晶面择优取向性进一步加强.延长退火时间对薄膜的相结构、组织形貌及晶粒大小没有明显的影响.随着退火时间的增加,薄膜的电阻率呈降低趋势,退火3 h时电阻率最低,为2.25×10-3Ω·cm,但长时间退火,电阻率变化不大.薄膜样品的透光率随真空退火时间的延长先降低,后升高,再降低;样品在真空退火4 h时对可见光的平均透过率最佳,在80%以上.退火后,ZAO薄膜的吸收边发生了蓝移现象,光学禁带宽度增大.     

Li_2CO_3掺杂对SnO_2基导电陶瓷结构及性能的影响

采用固相法制备了SnO_2导电陶瓷,研究了Li_2CO_3掺杂量对SnO_2导电陶瓷的导电性能和体积密度以及微观结构的影响。结果表明:Li_2CO_3的掺杂不改变SnO_2导电陶瓷的晶体结构,在一定的掺杂范围内有利于晶体的生长。随着Li_2CO_3掺杂量的增加,SnO_2导电陶瓷的电阻率先降低,然后升高;体积密度先增加然后减小。当烧结温度为1 350℃,Li_2CO_3掺杂量为质量分数0.7%时,SnO_2导电陶瓷的综合性能较好,体积密度为5.027 g/cm3,电阻率为5.638×10–3?·cm。     

溅射功率对Au与CdZnTe晶体接触结构和性能的影响

采用直流磁控溅射工艺,以Au为靶材在高阻半导体CdZnTe上制备导电薄膜.系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜结构、组织形貌及接触性能的影响.结果表明,随溅射功率的增加沉积速率增大.I-V测试表明在高阻CdZnTe上溅射Au薄膜后不经热处理已具有良好的欧姆接触性能,溅射功率为100 W时的接触性能好于功率为40 W和70 W时的接触性能.     

EBG结构散射特性对天线前后比性能的影响

仿真研究mushroom形式的EBG结构,所得结果揭示了EBG结构表面波带隙与传输特性曲线阻带不一致的原因是EBG结构在表面波带隙内的某些频段上对表面波有较强的散射,并利用微带贴片天线模型进行验证,表明EBG结构的散射特性会使得贴片天线前后比恶化。通过适当调整EBG结构尺寸,在保证表面波带隙几乎不变的情况下,将较强散射频段移出带隙范围,使得在整个表面波带隙内贴片天线前后比都有较大的改善,同时保证了表面波带隙、传输特性曲线阻带和贴片天线前后比改善频段的一致性。     

空气阻尼对扭臂式静电驱动结构pull-in电压的影响

基于扭臂式静电驱动结构的基本模型,在忽略和考虑空气阻尼作用的两种情况下,分别采用能量法和力电耦合分析方法得到扭臂式静电驱动器的pull-in电压.通过对比两种情况下的pull-in电压,得出了驱动结构参数变化时空气阻尼作用对pull-in电压的影响.结果表明,在一定范围内,随着上电极长度、上电极宽度的增加以及上下电极之间间距的减小,空气阻尼作用对pull-in电压的影响逐步增大;并且当上电极宽度增大或者上下电极之间间距减小到一定程度时,空气阻尼作用力甚至可以与驱动的静电力达到同一数量级,此时必须考虑空气阻尼作用的影响.     

表面结构对集成式石英谐振器性能的影响

在研究石英晶体谐振器力敏特性与加力方位角关系及晶体薄片内波的传播特性的基础上,设计制作了基于同一晶体基片上的集成式四电极谐振器.研究了这种结构的谐振器的力敏特性与加力方位、谐振频率稳定性与基片表面和边沿结构的关系.实验结果表明,谐振器的力敏特性与加力方位密切相关;对晶体基片表面进行抛光处理,能有效地消除表面缺陷对谐振器振动状态的影响,提高谐振频率的稳定性;对晶体基片边沿进行倒边处理,能缩短谐振波波幅在边沿区衰减的空间距离,抑制了谐振器振动能量沿晶片边沿的散失,使谐振器频率稳定性得到进一步提高.经表面抛光及边沿倒边处理后,谐振器频率波动的平均值分别下降到处理前的42%和30%.     

掺杂比与热处理温度对锑锡氧化物结构和导电性能的影响

采用水热法制备锑锡氧化物(ATO)粉体,运用差热–热重分析(DTA-TGA)、X射线衍射(XRD)等测试手段对粉体进行了表征。研究了掺杂比、热处理温度等工艺条件对ATO粉体结构和导电性能的影响。实验结果显示:粉体仍为四方相的金红石结构;锑锡掺杂比(摩尔比)为11%时达到最佳导电性能,随掺杂量增加,粉体晶粒度变小;随热处理温度升高,电阻值降低,粉体晶粒度变大。     

溅射功率对Zr,Al共掺杂ZnO薄膜结构和性能的影响

室温下,采用直流磁控溅射法,在载玻片衬底上制备出了Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜。研究了溅射功率对薄膜的组织结构、表面形貌和光电学性能的影响。结果表明,制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。当溅射功率为150W时,薄膜电阻率达到最小值1.66×10–3Ω·cm,在可见光区平均透过率超过93%。     

偏置电压对PECVD法沉积TiO2薄膜的结构和性能影响

该文采用射频等离子体增强化学气相沉积法制备了TiO<,2>薄膜样品,并通过椭圆偏振仪、红外光谱仪和扫描电子显微镜测量了薄膜厚度、组织结构和光学特性.结果表明:沉积速率随偏置电压升高而增大,在偏置电乐为10V时,沉积速率达到最大值为3.9nm/min,然后沉积速率下降,偏置电压在20V以后,沉积速率基本不变为3.0nm/...     

栅结构缺陷对GaN HEMT器件性能影响的研究

GaN HEMT器件在使用中会发生突发烧毁的现象,这种失效与缺陷是正相关的,其中一种已知的缺陷为栅结构缺陷。通过直流特性测试、器件热分布、微区分析讨论了栅结构缺陷对器件性能的影响。势垒特性、击穿特性均无法表征出栅结构异常的器件,低漏压的转移特性也无明显差异,仅高漏压条件下的阈值电压能够表现出明显的变化,而且漏压越高阈值电压变化量越大。器件热分布图像能够定位出器件异常栅结构的位置,且高漏压比高电流更能够表征异常器件的缺陷位置。微区分析准确定位了异常栅结构缺陷的具体形貌和位置,为缺陷的工艺优化提供指导。     

缓冲层对太阳电池用ZnO:B薄膜结构及其光电性能的影响

通过优化ZnO缓冲层(buffer layer),有效地改善了由金属有机化学气相沉积(MOVCD)法制备的ZnO:B薄膜的光电特性。结果表明,"富氧"的缓冲层有效增加了ZnO:B-TCO的近红外区域透过率,使其更适应宽光谱薄膜太阳电池的发展要求。经过优化的ZnO:B,"类金字塔"状晶粒尺寸约300～500nm,波长550nm处绒度(haze)为10.8%,薄膜电子迁移率为20.7cm2/Vs,电阻率为2.14×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.41×1020cm-3,且在400～1 500nm波长范围内的平均透过率为83%(含2mm厚玻璃衬底)。     

N2和CO2气体发泡电缆的结构差异对性能的影响

射频同轴电缆发泡绝缘广泛采用N2或CO2气体注气,因两者的性能和电缆加工工艺存在一些差异,造成发泡绝缘气孔的大小和均匀性等有很大的不同,通过光学放大镜观察发泡绝缘切片的微观结构,从而研究其对电缆的电气性能和机械性能的影响。     

PDLC的膜厚对其性能的影响

用光聚合相分离的方法制备了不同厚度的聚合物分散液晶(PDLC)膜,研究了膜厚对于PDLC膜形态和电光性能各方面的影响,考察了不同厚度PDLC膜的聚合物网络形貌、饱和电压及对比度等方面.研究发现随着膜厚的增加,PDLC膜中聚合物网络的网眼分布均匀;其暗态的透过率降低,对比度明显增大;PDLC膜的饱和电压也随着膜厚的增加而升高.试验结果表明,当膜厚在30μm左右时,PDLC膜综合性能较好.     

La_2O_3掺杂对TiO_2系压敏陶瓷结构和性能的影响

采用传统的固相法制备了La2O3掺杂的TiO2系压敏陶瓷,通过XRD和SEM分析,测试其结构及压敏性能、介电常数和晶界势垒特性。结果表明:La2O3掺杂对所获陶瓷的结构和性能有显著的影响,在1380℃烧结条件下,掺杂x(La2O3)为0.70%的陶瓷表现出优良的综合电性能,其压敏电压为7.6V/mm,非线性系数为5.2,相对介电常数εr为9.96×104,介电损耗tanδ为0.32,这与该陶瓷具有最高的晶界势垒高度相一致。     

倾斜腔结构对量子点光有源器件性能的影响

Quantum-dot laser diodes （QD-LDs） with a Fabry-Perot cavity and quantum-dot semiconductor optical amplifiers （QD-SOAs） with 7° tilted cavity were fabricated. The infuence of a tilted cavity on optoelectronic active devices was also investigated. For the QD-LD, high performance was observed at room temperature. The threshold current was below 30 mA and the slope efficiency was 0.36 W/A. In contrast, the threshold current of the QDSOA approached 1000 mA, which indicated that low facet reflectivity was obtained due to the tilted cavity design. A much more inverted carrier population was found in the QD-SOA active region at high operating current, thus offering a large optical gain and preserving the advantages of quantum dots in optical amplification and processing applications. Due to the inhomogeneity and excited state transition of quantum dots, the full width at half maximum of the electroluminescence spectrum of the QD-SOA was 81.6 nm at the injection current of 120 mA, which was ideal for broad bandwidth application in a wavelength division multiplexing system. In addition, there was more than one lasing peak in the lasing spectra of both devices and the separation of these peak positions was 6-8 nm, which is approximately equal to the homogeneous broadening of quantum dots.