硅片处理系统与光刻

<正> 半导体器件的集成度越来越高,最小加工尺寸越来越小,硅片尺寸越来越大,这无疑越来越增加了光刻的难度,对光刻技术与硅片处理系统提出了更高的要求。 光刻,是一种图象复印同刻蚀(化学、物理、或二者兼而有之)相结合的综合性技术。在集成电路的制造过程中,需要经过每次光刻,其质量是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素之一。 光刻的质量,可以由分辨率、光刻精度     

硅技术的发展使先进网络接入单元更具综合性能

越来越多的技术被综合进更小的网络接入单元中,这就意味着半导体器件销售商必须把更多功能集成到以DSP为中心的硅片上。     

金属净洗剂6501及6503在半导体器件工艺中的应用

半导体硅片的清洗工艺是半导体器件生产中最关键的工艺之一,它对器件的特性及其可靠性有着决定性的作用.迄今为止,在半导体器件生产工艺中几乎全部都使用具有强烈腐蚀性的氧化剂或无机酸,如硝酸、硫酸、双氧水、盐酸等试剂.这些试剂因为具     

现代电子制造

扩散炉是IC和半导体器件生产线前工序的关键设备之一、主要用于对硅片进行掺杂、氧化等加工。随著IC工艺的不断进步,尤其是硅片大直径和加工微细化,对扩散炉提出了越来越高的要求,这些要求主要体现在增大炉管口径、严格微机控制、提高自动化程度、减少对硅片污染等方面。达到国内一流水平的5440型扩散炉,是由我国68家专用电子设备生产企业之一—北京建中机械厂最新研制成功的。     

MMST RTP的控制：柔性生产技术的重复性,均匀性和集成化

在ＲＴＰ半导体器件制造设备中，为控制硅片温度的均匀性和重复性，采用了一种实时多变的策略。它基于工艺的物理模型，采用实验设计程序来估算模型参数。轴心对称加热区域中多区阵列灯的功率采用内部模型控制法则（ＩＭＣ）的设计方法来进行自动计算以获得硅片的温度均匀性。通过硅片上多点的高温测定法进行温度探测提供实时反馈信息，从而进行控制。为获得温度控制的技术要求，除了ＩＭＣ外还使用了好几种模块，包括模型规划及防过     

O.16微米CMOS工艺技术

和舰科技自主创新研发的0.16微米硅片制造工艺技术在原有比较成熟的0.18微米工艺技术基础上,将半导体器件及相关绕线尺寸进行10%微缩(实际尺寸为0.162微米),大大降低了芯片的面积尺寸;且能与现有的0.18微米制造工艺相互兼容,大幅度缩短了新产品达到量产的时间,具有低成本、高效能、高良率、工艺成熟的优点;可以为客户生产更具有技术和价格竞争力的产品,并填补了国内晶圆厂在该领域的空白.     

示踪法优选半导体清洗剂

一、前言 在半导体器件生产工艺中,硅片的清洗是一个相当重要的环节,对成品的合格率是有很大影响的。硅片上的污染可分为有机物、金属离子和金属原子等。对于硅片的清洗,一般使用腐蚀性较强的酸、碱等。本工作是采用无腐蚀性的表面活性剂,对硅片进行清洗。其清洗机理,主要是通过表面张力差异,去除液体的排代作用达到清洗的目的。我们从79年开始选用了多种表面活性剂进行多种实验,从而选出了合适的清洗剂。并在半导体器件的生产工艺中得到了验证。     

卡诺PLA—500FA、PLA—500F型接近式掩模对准仪

一、激光扫描自动对准仪近年来,半导体器件研制中要求硅片的直径越来越大。卡诺公司的接近式掩模对准仪,在满足这种要求方面迈出了第一步。卡诺PLA—500FA以及500F型机就是一种用来制作φ5英寸硅片的接近式掩模对准仪。其中PLA—500FA型是一种正规的可以批量生产的装置,它具有采用激光的世界上最早的掩模全自动对准机构。卡诺的接近式掩模对准仪现已付诸使用的有PLA—300F等类型。大多数半导体制造厂都赞扬这些对准仪具有下述特征:     

半导体产业的整合解决方案——蔚华集成电路上海有限公司

半导体及平面显示器产业包含设计硅片制造封装和测试等不管那一个环节都会与多种设备和配件打交道。在这个追求Time-to-market的时代我们常常会去思考我们将会遇到什幺样的问题﹖如何才能快速解决遇到的问题﹖当我们对半导体趋势半导体制造流程以及对一些似曾相识的问题的了解后我们会找到一些答案。1半导体技术发展趋势如图1所示半导体的线宽越来越窄、硅片尺寸越来越大、集成的功能越来越多、产品速度越来越快、售价越来越低、封装尺寸越来越小、产品测试变得越来越重要、将会遇到许多挑战、并行测试能力越来越强、硅片级的测试和老化、…     

超薄介质测厚技术研究报告

一、引言 硅片上厚度在100以下的超薄氧化层在一些半导体器件的制造中起关键作用。随着超大规模集成电路的发展。它越来越受到人们的重视。在这一领域进行探索,对Si-SiO_2界面性质的研究也有重要意义。超薄氧化层的制备首先要求提供一种方便、精确、非破坏性的,能测量低到几埃介质膜厚的仪器和技术。椭园偏振仪     

优化的FPGA方案用于大批量应用

多年来，对于中等批量设备的设计者使用FPGA尝到了低风险和产品快速上市的甜头，这在核心网络、工业和高性能的计算设备中处处可见。大批量的设计则采用ASIC，诸如成本敏感的消费电子产品、无线通信和网络存取设备。然而，产品生命周期的缩短、ASIC最小经济批量的增加使得这种方法日益受到挑战。ASIC最小经济批量的增加是基于一个事实，即对于每一种新一代的ASIC，光刻板套件变得越来越昂贵，对给定设计复杂性的硅片上芯片的数量增加了，这是由于较小的几何尺寸和较大的硅片尺寸所致。相同的趋势有利于可编程逻辑解决方案。较小的几何尺寸和较大的硅片导致较低的可编程器件的成本。     

极端远紫外光刻技术

半导体器件与集成电路的不断小型化要求特征尺寸越来越小,极端远紫外光刻是5种下一代光刻技术候选者之一,它的目标是瞄准70纳米及70纳米以下的特征尺寸光刻。本文从极端远紫外光源、极端远紫外光学系统、反射掩模、光刻胶、光刻机等方面对极端远紫外光刻技术进行了分析论述,并且对它的应用前景进行了简要分析。     

抛光工艺对硅片表面Haze值的影响

随着超大规模集成电路的快速发展,硅片表面的Haze值对于现代半导体器件工艺的影响也越来越受到人们的重视.通过实验研究了精抛光工艺参数对硅片表面Haze值的影响规律.结果表明,随着抛光时间的延长,硅的去除量逐渐增大,硅片表面Haze值逐渐降低;同时抛光过程中机械作用与化学作用的协同作用对Haze值也有较大影响.随着抛光液温度的降低与抛光液体积流量的减小,化学作用减弱,硅片表面Haze值逐渐减小.而随着抛光压力的增大,机械作用逐渐起主导作用,硅片表面Haze值逐渐降低.但当Haze值降低到某一数值后,随着硅去除量的增大、抛光液温度的下降、抛光液体积流量的降低、抛光压力的增大,硅片表面的Haze值基本保持不变.     

极端远紫外光刻技术

半导体器件与集成电路的不断小型化要求特征尺寸越来越小 ,极端远紫外光刻是 5种下一代光刻技术候选者之一 ,它的目标是瞄准 70纳米及 70纳米以下的特征尺寸光刻。本文从极端远紫外光源、极端远紫外光学系统、反射掩模、光刻胶、光刻机等方面对极端远紫外光刻技术进行了分析论述 ,并且对它的应用前景进行了简要分析     

一种新颖的无显影光刻技术

光刻技术是制造半导体器件的重要工艺之一,自六十年代初,在半导体工业得到运用以来,大大促进了半导体器件和集成电路的发展,至今仍占有重要地位.随着半导体器件向更高频率和大规模集成的方向发展,要求器件的尺寸越来越小,     

大面积氧化铁版的制备

一、引言 在电子工业飞跃发展的今天,半导体器件生产已进入了一个崭新的阶段。目前半导体器件生产正朝大规模集成电路、超高频大功率、超高频低噪声方向发展。图形尺寸越来越小,套刻精度越来越高。制版为半导体器件生产的先行。光刻版质量优劣直接影响产品的成品率、稳定性与可靠性。制造高精度、完美、容易套刻的大面积细线条的掩模版已成为半导体器件生产工艺中十分关心的问题。 采用低温汽相淀积氧化铁版是从去年开始的,日趋成熟的新工艺。低温汽相淀积法具有设备简单、经济,适合于批量生产的特点。氧化铁版耐磨,单色光掩蔽性能好。它与铬版比较,具有透明,可以看准套刻、利于制造细线条等优点。低温汽相淀积氧化铁     

半导体微细加工技术——加工方法及潜在的可能性

目前的半导体器件是采用在硅片衬底上制作微细尺寸图形的方法制造的。图形的最小尺寸现在已达到3μm左右,但是今后的要求是1～2μm甚至更小的亚微米。这样的微细尺寸加工,靠以往的技术改良是困难的,必须研究一种新的技术。本文所介绍的正是作为此种技术的电子束、远紫外线、X射线的各种曝光技术,并概要说明了所用的新感光材料(抗蚀剂)和干刻蚀技术,同时简单地叙述了未来的动向。     

氘子活化法测定硅表面钠

1.前言 半导体硅片的清洗工艺是半导体器件生产中最关键的工艺之一。它对器件的特性及其可靠性有着决定的作用。至今为止,国内半导体器件生产工艺中几乎全部使用具有强烈腐蚀性的氧化剂或无机酸,如硝酸、硫酸、双氧水、盐酸等试剂。这些试剂因为具有强烈的腐蚀性,所以经常侵蚀设备,污染环境,损害工人的身体健康,而且这些试剂的价格也比较昂贵,因而也提高了器件的成本。     

在焦深范围内隐藏着套不准因素

一、 引言 制版和光刻的结合决定了半导体器件的横向尺寸。制版和光刻误差表现为单个矩形块的长宽误差、管芯图形的倍率误差、分步重复距离误差等,所有这些误差都可归结为硅片平面上各点x、y座标误差。引起误差的原因是多种多样的,其中有机械的(导轨、丝杠)、光学的(透镜、棱镜和光栅质量及其相对位置)、电     

高能电子束纳米曝光系统的研制

微电子产业的飞速发展要求半导体器件的最小特征尺寸越来越小。传统的光学光刻技术由于受到光的衍射等限制，开始面临挑战。电子束曝光技术具有高分辨、长焦深、无需掩模等优点，成为下一代光刻技术中极具发展潜力的一种。