置换化学镀法制备银包铜粉导电胶填料及其性能

对平均粒径为15μm的铜粉进行置换化学镀银,得到球状银包铜粉导电填料。对不同温度下银负载量随置换反应时间的变化曲线进行拟合得到不同温度下的反应速率常数,进而通过Arrhenius方程算得置换反应的活化能为1.9×10³ J/mol。表征了不同温度下制备的银包铜粉的微观形貌和晶体结构,以及将其作为填料时导电胶的性能。结果表明,所得银包铜粉为银白色,银层包覆完整,分散性良好。银包铜粉的质量分数为55%时,导电胶的抗氧化性和导电性良好;银包铜粉质量分数为55%～65%时,导电胶的剪切强度满足电子工业的一般要求。     

置换还原法制备银包铜粉工艺及性能研究

采用EDTA为络合剂,利用置换还原法制备银包铜粉。研究了还原剂的浓度,分散剂以及络合剂的浓度对银包铜粉性能的影响。实验结果表明,采用EDTA为络合剂,所得粉末表层结构致密,包覆均匀。当c(EDTA)为0.12mol/L,c(葡萄糖)为0.12mol/L,同时采用超声波分散,所得银包铜粉导电性最好,镀银层致密,粉末为银白色,包覆率高,抗氧化性最佳。     

改性环氧丙烯酸胶的制备及其电阻稳定性的研究

以环氧丙烯酸树脂作为基体,用片状和球状银包铜粉作为导电填料进行树脂填充,无水乙醇作为溶剂、邻苯二甲酸二丁酯(DBP)作为增韧剂、二乙烯三胺和三乙烯四胺作为固化剂来制备银包铜粉改性环氧丙烯酸胶粘剂。通过对固化剂掺入量、固化剂的类别、银包铜粉的种类的改变,研究导电胶粘剂的体积电阻率的变化,从中取得制备电阻率最低的导电胶配方。     

离子掩蔽法制备铜银双金属粉及其主要影响因素

本文在采用化学置换法制备铜银双金属粉的基础上,在制备过程中添加离子掩蔽剂,以最大程度地消除铜氨络合离子在铜粉表面的吸附,实现银在铜粉表面的连续包覆。同时分析了掩蔽原理及包摩尔比、覆量、温度对双金属粉导电性能的影响。实验结果表明:离子掩蔽剂法制备的铜银双金属粉末具备了优良的抗氧化性能,其主要影响因素为包覆量及摩尔比。     

微细铜粉镀覆银的制备工艺及性能研究

以硝酸银为主盐、葡萄糖为还原剂,通过化学镀方法制备了银包铜复合粉体。通过能谱(EDS)分析了敏化和活化后铜粉表面沉积的颗粒的组成,采用扫描电镜(SEM)和高温增重率测量等方法研究了主盐和还原剂质量浓度、pH以及镀覆时间对银包铜粉表面形貌与高温抗氧化性的影响,获得了适宜的化学镀银工艺:AgNO_3质量浓度20 g/L,葡萄糖质量浓度30 g/L,p H 11,镀覆时间40 min。不同银含量的铜粉的热重(TG)分析表明,银含量越高的粉体,其抗氧化性也越好。化学镀初期,生成的银颗粒较少,镀层呈岛状结构;随着反应的继续,银颗粒大量产生,岛状组织延伸生长,形成多镀层重叠结构。     

镀镍铜粉的制备及性能表征

以硫酸镍为主盐、次磷酸钠为还原剂、柠檬酸钠为配位剂,通过化学镀法制备了镍包铜复合粉末.采用激光粒径分析仪、扫描电镜和能谱对镍包铜粉的粒径、形貌和元素组成进行分析,讨论了镀液成分对化学镍沉积速率的影响.结果表明,复合粉末较原始粉末粗糙,得到的镀层为镍磷合金.化学镍的沉积速率随主盐浓度的增加而加快,但到一定程度后趋于平缓....     

铜粉化学镀银沉积速度的影响因素

研究了镀液组成和工艺条件等对银包铜粉沉积速度的影响.结果表明:沉积速度随主盐和还原剂浓度增加而提高;随装载量和铜粉粒径的加大而降低;超声波使银包铜粉沉积速度提高30%.通过对工艺的分析,得出了在超声波条件下银包铜粉的最佳工艺参数.     

高抗氧化铜银双金属粉的制备及性能研究

以铜粉为基体材料,在反应体系中加入铜离子掩蔽剂,采用化学置换法在铜粉表面多次包覆银及多次高温致密化处理,实现了银在铜粉表面的连续致密包覆。用X-射线衍射法、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和热质量分析的方法对银包铜双金属粉进行了表征。结果表明,铜粉表面的银包覆层致密性好、包覆完全,在800℃以下的抗氧化性能良好。     

电子工业用镍包铜粉的工艺及性能研究

采用不同粒度的片状铜粉,以次磷酸钠作为还原剂,通过化学镀镍制备出性价比较高的、具有较好电磁屏蔽性能的镍包铜粉。讨论了铜粉粒径及镍含量对镍包铜性能的影响,结果表明,粒径大的铜粉较易进行化学镀镍,而镍包铜粉电阻随铜粉粒径减小而增大;随镍含量的减少,镍包铜粉的颜色变浅,电阻减小。SEM照片显示,镍包铜粉形貌较好,片状化程度较好。镍含量为30%时镍包铜粉磷含量较低,实际成分含量与理论相符,松装密度及导电性较好,是理想的电磁屏蔽材料。     

化学还原法制备镀锡铜粉

采用硼氢化钠还原氢氧化锡,在铜粉表面进行化学镀锡,得到镀锡铜粉。用两面粗糙度不同的铜箔替代铜粉进行模拟试验,以研究锡层在铜粉表面的包覆情况和微观结构以及高温处理和制备方法对镀锡层显微结构的影响。结果表明,铜粉表面完整地包覆了一层均匀致密的镀锡层;采用还原法制备的镀锡层比采用置换法制备的镀锡层更为均匀致密,高温处理可进一步提高镀锡层的均匀性和致密性。     

电磁屏蔽导电涂料用镀银铜粉的制备

采用置换反应法制备镀银铜粉时,铜粉还原银氨溶液中的Ag+生成的Cu2+与NH3形成络合物[Cu(NH3)4]2+,它吸附于铜粉表面而阻碍还原反应的继续进行,使制备的镀银铜粉表层的银含量降低。用氨水提高银氨溶液的pH,可增加制备的镀银铜粉表层的银含量,提高其抗氧化性能。当用氨水调节银氨溶液的pH至11.50时,可制得表层银的质量分数高达47.91%且具有常温抗氧化性能的镀银铜粉。研究了pH、AgNO3用量、AgNO3浓度和反应温度对镀银铜粉的抗氧化性能的影响。     

负载铜银粉导电胶制备的最佳工艺选择

本文采用化学还原法,即利用甲醛溶液还原银氨溶液,使还原出来的银粉均匀包覆在铜粉表面,制备出镀银铜粉。讨论了银氨溶液和甲醛浓度、反应温度、搅拌速度、研磨等工艺条件对镀银铜粉的粒径及形貌的影响,并确定了最佳的工艺条件。     

片状镀银铜粉/丙烯酸树脂电磁屏蔽复合涂料的研制

以钦酸醋偶联剂改性后的片状镀银铜粉为填料,丙烯酸树脂为黏结剂,制备了一种高性能电磁波屏蔽复合涂料.讨论了片状铜粉含量对涂层导电性能的影响,测试了涂层的主要物理性能及电磁波屏蔽效能.结果表明,电磁波屏蔽复合涂料中片状镀银铜粉与丙烯酸树脂的最佳质量比为3:2,此时制备的涂料具有较好的导电性和电磁波屏蔽性能.涂膜厚度为300...     

单组分有机硅导电涂料的制备及其性能研究

以耐高温有机硅为基体,银包铜粉为填料制备了一种导电涂料,通过对其涂膜的体积电阻率、附着力、冲击强度、粘度测试和TG分析,研究了银包铜粉含量对导电涂料电性能、物理力学性能的影响以及该涂料的适用期、耐热性和耐老化性。结果表明,当银包铜粉质量分数为导电涂料的60%时,产物体积电阻率可达6.27×10-4Ω·cm,附着力一级,冲击强度>50 kg·cm,常温8 h内粘度可保持在6.0 Pa·s,固化物热分解温度高达532.7℃,并具有优良耐老化性。     

银包覆铜微粉的制备与性能研究

以硫酸铜为原料,采用葡萄糖预还原法在乙二醇介质中制备微米级铜粉,由直接置换法制备铜包银型微粉;通过导电性实验、粒径及粒径分布分析等,优化了制备银包覆铜微粉的工艺条件。     

用铜粉处理酸性镀铜溶液中的氯离子

研究了用铜粉处理酸性镀铜溶液中氯离子的机理和方法,实验表明,向酸性镀铜溶液中加入铜粉,金属铜与Cu2+离子和氯离子反应生成氯化亚铜沉淀。用铜粉处理酸性镀铜溶液中的氯离子效果较好,向镀液中加铜粉1g/L,氯离子的去除率为58.9%,而向镀液中加锌粉1g/L,氯离子的去除率为36.8%。     

镀银铝粉填充型电磁屏蔽硅橡胶的制备与性能

研究了镀银铝粉填充量和环境试验对电磁屏蔽硅橡胶电学和力学性能的影响。结果发现,镀银铝粉填充量为210份(质量)是电磁屏蔽硅橡胶的逾渗阈值;最佳的镀银铝粉填充量为230份(质量),此时电磁屏蔽硅橡胶的体积电阻率为6.75×10-3Ω.cm,拉伸强度为2.3MPa,扯断伸长率为571%,邵尔A硬度为65;镀银铝粉填充型电磁屏蔽硅橡胶具有较好的耐高低温和热空气老化性能,而耐盐雾性能较差。     

导电有机硅密封剂的研究

以镀银镍粉为导电填料、端羟基聚二甲基硅氧烷为基胶、经硅烷表面处理的白炭黑为补强填料,有机锡为催化剂,制成了高导电室温硫化双组分有机硅密封剂;研究了导电机理、镀银镍粉的加入量对有机硅密封剂的导电性能和电磁屏蔽性能的影响。结果表明,当镀银镍粉的体积分数超过25%时,有机硅密封剂的电性能明显提高;当镀银镍粉的体积分数达到35%以上时,有机硅密封剂的体积电阻率下降近10个数量级;当镀银镍粉的体积分数为50.5%时,有机硅密封剂在高频率范围具有良好的电磁屏蔽性能。     

钢铁件HEDP直接镀铜工艺开发30年回顾 第三部分——HEDP及其他碱性镀铜液的废水处理

比较了几种碱性无氰镀铜螯合剂的环保特性与废水处理难度,分析了氧化破坏法、化学沉淀法和离子交换法处理螯合废水的优缺点,介绍了从碱、酸铜废水中回收铜粉以及HEDP镀铜液除铜和除HEDP的高效沉淀新技术.