LY732—PMOSFET电场效应过程的计算机模拟

本文分析及研究了对绝缘栅ＬＹ７３２－ＰＭＯＳ－ＦＥＴ结构所进行的工艺及器件模拟的数据，重点在栅源偏压与ＭＯＳ结构界面电荷分布的定量关系上得到了与实验一致的结果，定量地描述了在常规偏压条件下硅衬底表面电荷的分布及行为，从而揭示了Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ电场效应的微观过程。     

THERMODYNAMIC PROPERTIES OF AQUEOUS ALUMINATE ION, Al (OH)_4~- (aq)

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1000V MOSFET用常规低压工艺的实现

采用常规低压集成电路工艺实现了耐压达１０００Ｖ的高压横向ＭＯＳＦＥＴ，详细介绍了该高压横向ＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、工艺技术及测试结果，文中从实验和分析的角度上首次探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅长度对该高压横向ＭＯＳＦＴ击穿电压的影响。     

DETERMINATION OF THE ENTROPY CHANGE FOR ELECTRODE REACTION AND DILUTE ENTHALPY OF SOME IONS BY THERMO-ELETROCHEMICAL TECHNOLOGY

ＤＥＴＥＲＭＩＮＡＴＩＯＮＯＦＴＨＥＥＮＴＲＯＰＹＣＨＡＮＧＥＦＯＲＥＬＥＣＴＲＯＤＥＲＥＡＣＴＩＯＮＡＮＤＤＩＬＵＴＥＥＮＴＨＡＬＰＹＯＦＳＯＭＥＩＯＮＳＢＹＴＨＥＲＭＯ－ＥＬＥＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ＊ＦａｎｇＺｈｅｎｇＧｕｏＬ...     

一种新型短波数传MODEM的设计与研制

运用透明带内导音（ＴＴＩＢ）和前馈信号再生（ＦＦＳＲ）技术，设计了一种新型高质量数传ＭＯＤＥＭ，采用高速数字信号处理芯片（ＤＳＰ）ＴＭＳ３２０完成了软硬件设计，实现ＴＴＢ与ＦＦＳＲ技术，使ＭＯＤＥＭ具有抗信道衰落及抑制收发频率漂移等性能，而且结构简单，与电台采用音频接口，极大地方便了数传ＭＯＤＥＭ的推广与应用。     

D-IMAGING OF VELOCITY FOR ACOUSTIC WAVES WITH MUL TI-SCALE OPERATOR

１Ｄ－ＩＭＡＧＩＮＧＯＦＶＥＬＯＣＩＴＹＦＯＲＡＣＯＵＳＴＩＣＷＡＶＥＳＷＩＴＨ　ＭＵＬＴＩ－ＳＣＡＬＥＯＰＥＲＡＴＯＲＳｏｎｇＳｈｏｕｇｅｎ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｐｐｌｉｅｄＧｅｏｐｈｙｓｉｃｓ，ＣｅｎｔｒａｌＳｏｕｔｈＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆ...     

METALLOGENICCHARACTERISTICSANDORE－P

ＭＥＴＡＬＬＯＧＥＮＩＣＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳＡＮＤＯＲＥ－ＰＲＯＳＰＥＣＴＩＮＧＦＵＴＵＲＥＯＦＰＲＥ－ＣＡＭＢＲＩＡＮＧＯＬＤＤＥＰＯＳＩＴＳＩＮＭＵＦＵ－ＪＩＵＬＩＮＧＤＩＳＴＲＩＣＴＷｕＹａｎｚｈｉ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＧｅｏｌｏ...     

ANEWUNDERSTANDINGOFTHEUPLIFTOFTH

ＡＮＥＷＵＮＤＥＲＳＴＡＮＤＩＮＧＯＦＴＨＥＵＰＬＩＦＴＯＦＴＨＥＱＩＮＧＨＡＩ－ＸＩＺＡＮＧ（ＴＩＢＥＴ）ＰＬＡＴＥＡＵＣｈｅｎＧｕｏｄａ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＤｉｗａＴｈｅｏｒｙａｎｄＭｅｔａｌｏｇｅｎｙ，ＣｅｎｔｒａｌＳｏｕｔｈＵｎｉｖｅｒ...     

CREEP－RUPTURE BEHAVIOR OF Al－Li－Cu－Mg－Zr ALLOY IN THE TEMPERATURE RANGE OF 463～563K~＋

ＣＲＥＥＰ－ＲＵＰＴＵＲＥＢＥＨＡＶＩＯＲＯＦＡｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｍｇ－ＺｒＡＬＬＯＹＩＮＴＨＥＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥＲＡＮＧＥＯＦ４６３～５６３Ｋ~＋￥ＺｈｅｎｇＺｉｑｉａｏ；ＬｉａｎｇＳｈｕｑｕａｎ；ＬｉｕＭｉｎｇｇｕｉ；ＹｉｎＤｅｎｇｆｅｎｇ（Ｄ?..     

ON-LINE DETERMINATION OF REMAINED XANTHATE CONCENTRATION IN PULP

ＯＮ－ＬＩＮＥＤＥＴＥＲＭＩＮＡＴＩＯＮＯＦＲＥＭＡＩＮＥＤＸＡＮＴＨＡＴＥＣＯＮＣＥＮＴＲＡＴＩＯＮＩＮＰＵＬＰ＊ＨｕａｎｇＮｉｎｇＭａｏＡｎｚｈａｎｇＷａｎｇＤｉａｎｚｕｏ①ＬｉＢｏｄａｎＳｕｎＳｈｕｉｙｕ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭｉｎｅｒａｌ...     

绝缘板表面残余电荷对沿面放电的影响

针对不均匀电场(棒-板间隙)中绝缘板上残余电荷对50％冲击闪络电压U_(50)的影响做了一些试验研究。研究结果表明:在绝缘板上施加不同的电压,板面上将残余不同的电荷;当残余电荷达到一定量时,对U_(50)将有很大的影响;多次施加电压时,积累的残余电荷对U_(50)的影响更大,且使其分散性变大,不易得到真实的U_(50)值.     

静电除尘器收尘极板上粉尘沉积与电流分布特性

静电除尘器收尘极板上沉积粉体的击穿将严重影响除尘器的技术性能．本文应用电介质极化理论和气体放电理论,在自制的实验装置上详细分析了沉积粉体的堆积模式、粉体表面电位的形成以及粉体击穿时的电压、电流特性．研究表明,收尘极板上沉积粉体的堆积与电流密度密切相关,通常以密实堆积为主．沉积粉体的表面电位达到某一极限值时将导致粉体间空气隙的击穿．粉体击穿时电流骤增的原因主要有：击穿通道形成后大量沉积电荷的突然泄漏;击穿点产生的正离子轰击放电极以及使大量的空间负电荷失效．     

用模拟电荷法计算变压器相间三维电场

本文用模拟电荷法计算了高压变压器相间的三维电场,在本文中采用了点电荷作为模拟电荷,并用了优化技术来提高模拟精度。由计算结果,得到了最大场强的值及出现最大场强的位置,以及分接开关和油箱对最大场强的影响程度。     

采用瞬态上流元法的油纸绝缘瞬态电场研究

作为换流变压器的主要绝缘材料,油纸复合材料的绝缘特性受内部空间电荷的影响. 在极性反转电压下,介质内部积聚电荷产生附加场强,可能使局部电场明显增强,从而更易引起绝缘击穿. 基于瞬态上流有限元数值方法,引入界面势垒模型,计算极性反转条件下单层油浸纸、油浸纸-油双层绝缘结构内部空间电荷的运动特性以及瞬态电场随时间的变化规律,并与试验得到的规律进行对比验证. 仿真结果表明：在直流电压下,介质内部积聚的电荷无法快速消散,将对反转瞬间的电场产生叠加作用,引起电极附近场强最大程度畸变. 双层介质的界面阻碍效应产生的界面积聚电荷,导致在极性反转瞬间油中电场瞬时增大. 研究结果可为换流变压器油纸绝缘特性和击穿场强研究提供参考.     

二恶英物质的结构性质分析

利用商业化的分子模拟软件,在分子力学计算的基础上,对二恶英分子的最稳定构型、最高占据轨道、电荷密度分布图和溶剂可及表面等进行了研究,并给出了二恶英的VRML分子模型,计算出分子的物理化学性质．对二恶英分子物质结构性质的分析将有助于从理论上扫找控制与治理二恶英污染的技术手段和方法．     

双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和开关特性的解析模型（Ⅱ）

本文是文献［１］的续篇，给出了在多晶硅和单晶硅发射极区域中涉动电流和存贮电荷的解析分析，将它们表示成发射结电压Ｖｂｅ的函数。在文献［１］中已知Ｖｂｅ决定于基区中的正态模涉动电流，从而发射极区域中的涉动电流与存贮电荷也是收集极传导电流Ｉｃ和收集极与基极之间电位差Ｖｃｂ的函数。在此基础上，并与文献［１］相结合，本文对双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和的行为提出了一个严格的解析模型。     

IGBT的ZVC/ZCC驱动模式

对IGBT的工作特性及存在的问题进行了深入探讨,详细介绍了用于提高大功率IGBT电桥的开关效率和安全性的ZVC/ZCC驱动模式。该模式利用IGBT的反向雪崩特性和电荷转移法实现IGBT的零电压切换和零电流切换,从而有效地抑制了器件内部的电流拖尾和自琐效应,大大地减小了开关损耗,提高了功率IGBT的工作效率和安全性。     

直流TIG焊熔透状态激光光电法实时检测

针对目前熔透检测方法存在的信噪比低、实时性差等缺点,提出了一种激光光电法可通过提取熔池表面特征参数实现直流TIG焊定点及连续焊接条件下熔透状态实时检测.介绍了该方法的原理,构建了直流TIG焊光电法电压信号检测及背面熔透同步摄像采集试验平台.采集了定点及连续焊接条件下电压信号与同步摄像图像,对比分析了电压信号与熔透状态的对应关系及电压信号的变化规律.结果表明:激光光电法采集的电压信号可以较好反映直流TIG焊熔透状态;利用熔透状态从未熔透转变为临界熔透时熔池表面由凸面突变为凹面,激光反射条纹快速聚焦,从而引起光电法电压信号迅速变化的现象,可以实现直流TIG焊熔透特征信号的精确识别与提取.     

n沟6H-SiC MOSFET直流特性和小信号参数解析模型

基于对一维泊松方程的解析求解以及对表面势的迭代计算，建立了适于模拟n沟6H-SiC MOSFET直流I-V特性以及小信号参数的解析模型．模型采用薄层电荷近似，考虑了6H-SiC中杂质不完全离化的特点以及界面态电荷对器件特性的影响，可用于所有的器件工作区．当着偏压为0．05V、栅压为1．9V时，模拟得到的最大跨导值为54μS．模拟结果与实验数据有很好的一致性．该模型具有物理概念清晰且计算准确的优点，非常适于SiC器件以及电路研究使用．     

中频非平衡磁控溅射TiAlN薄膜的结构与性能

采用中频非平衡磁控溅射离子镀设备在YG10硬质合金表面制备(Ti_1-xAl_x)N薄膜,运用X线衍射仪、扫描电子显微镜、显微硬度计和材料表面性能测试仪等对薄膜进行表征,分析氮气分压、直流偏压和Al含量对薄膜的力学性能、薄膜成分和组织结构的影响。结果表明:薄膜呈柱状多晶组织,主要组成相为(Ti, Al)N相;随着氮气分压增大,膜层中氮原子增多,而铝、钛原子含量减少,膜层中r_Al/(Al+Ti)与r_(Al+Ti)/N均下降,薄膜(111)晶面取向减弱,(220)和(200)晶面取向增强。力学性能测试表明,随着膜层中的Al含量和直流偏压升高,薄膜硬度、膜厚和膜-基结合力均呈现先升高后降低的趋势,薄膜显微硬度最高2 915 HV,膜-基结合力最高达73 N。