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iPad2上市、高管集体抛售股权、三季度连续亏损,一连串的不利消息将汉王推向了舆论的风头浪尖。作为汉王科技的董事长,2011年对于刘迎建而言,无疑过得异常艰辛。汉王股价犹如过山车在刘迎建的带领下,汉王科技一度被视作民族科技企业的翘楚。2010 相似文献
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设计了一种易于集成、适用于驱动高侧N型开关管的栅极驱动器,该电路具有成本低、速度快、驱动能力强等特点,可以满足大尺寸高侧N型开关管的驱动需求。内置的、可持续工作的电荷泵能够驱动高侧N型开关管,使之恒定导通,解决了传统自举电路中低侧开关管不工作时高侧开关管输出电压不稳定的问题。该方案无需使用外置的自举电容,降低了栅极驱动器的使用成本和封装成本。采用0.18 μm BCD工艺进行设计,并成功流片。测试结果表明,该栅极驱动器可以驱动面积达0.5 mm2的高侧N型开关管,电路可靠性高。 相似文献
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<正> 彩电电源开关管或厚膜电路中的大功率管(以下统称开关管),承担为整机提供各种电压和电流的重任,工作在高电压、大电流的开关脉冲状态,因此,其损坏率在彩电中仅次于行输出管。 开关管屡屡损坏的原因很多,主要是过压击穿、过流损坏、过损耗损坏、开关管等元件代换不当。 相似文献
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为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下60Co γ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验。试验结果表明,辐射后,基极电流IB显著增大,而集电极电流IC变化不大;反偏偏置条件下,IB的辐射损伤效应在辐射后更严重;室温退火后,IB有一定程度的持续损伤。多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射对比试验结果表明,多晶硅发射极NPN管的抗辐射性能较好。从器件结构和工艺条件方面,分析了多晶硅发射极NPN管的辐射损伤机理。分析了多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射损伤区别。 相似文献