智芯科技推出国内首个经过硅验证的嵌入式OTP解决方案

智芯科技日前宣布面向IC设计业推出中国首个经硅验证的嵌入式一次可编程存储器(OTP)解决方案。此方案基于华润上华(CSMC)的0．5μm 2P3M CMOS工艺，包含了业内最完整的服务。     

LCD或LCD TV的画质和色彩在线软调整方法

LCD或LCD TV中,影响画质和色彩最重要的两个参数就是Gamma Table和不同色温的R,G,BGain值。提出了一种软调整方法,该方法采用在线量测LCD或LCD TV一些特定的画面的光学值,并通过色彩空间转换和插值法获得当前LCD或LCDTV最佳Gamma Table和不同色温的R,G,BGain值,然后再通过DDCCI传输这些参数到LCD或LCDTV。从而保证每台LCD或LCD TV都达到最佳的显示效果,克服了目前每台LCD或LCD TV都采用固定值而不能达到最佳显示效果的问题。     

用于180nm CMOS工艺技术的可重编程非易失性存储器IP

这些用于180纳米工艺技术的DesignWare AEON非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）包括数次可编程（FTP）IP、射频识别（RFID）IP多次可编程（MTP）IP和可擦可编程只读存储器（EEPROM）多次可编程（MTP）IP等多种IP解决方案。DesignWare AEON NVM IP可面向多种领先工艺技术并具有100多种不同的存储配置,     

中芯国际在65和45纳米CMOS逻辑工艺上选择Kilopass OTP解决方案

Kilopass科技公司和中芯国际宣布在嵌入式OTP的合作伙伴关系。Kilopass是中芯国际于65纳米和45纳米工艺的第一个嵌入式OTPNVM合作伙伴。Kilopass将于2009年底及2010年年中分别实现在中芯国际65纳米和45纳米OTP测试芯片的投片。     

安森美半导体180nm工艺技术嵌入Sidense的1T—OTP存储器

领先的逻辑非易失性存储器（LNVM）一次性可编程（OTP）存储器知识产权（IP）内核开发商Sidense与应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商（ON Semiconductor）宣布,Sidence已将其180 nm OTP存储器SLP产品线移配到安森美半导体的180nm数字及混合信号技术平台ONC18。     

Synopsys推出用于180nm CMOS工艺技术的可重编程非易失性存储器IP

新思科技有限公司日前宣布:推出面向多种180纳米工艺技术的Design Ware AEON非易失性存储器(NVM)知识产权(IP)。这些产品包括数次可编程(FTP)IP、射频识别(RFID)IP多次可编程(MTP)IP和可擦可编程只读存储器(EEPROM)多次可编程(MTP)IP等多种IP解决方案。Synopsys提供的DesignWare AEON NVM IP可面向多种领先     

大规模集成电路工艺中“鸟头”平坦化的研究

介绍了大规模集成电路（VLSI）工艺中“鸟头”的形成,研究了平坦化“鸟头”的原理和过程。着重讨论了平坦剂的选择和涂胶,以及利用干法刻蚀进行平坦化的各种参数,获得了实用的平坦化“鸟头”的工艺条件。“鸟头”高度由原来的0.7μm左右下降为0.25μm左右,其参数指标的均符合工艺的技术要求。     

一种OTP存储器片上时序信号产生电路的设计

设计了一种用于OTP存储器的片上时序信号产生电路。由地址变化探测电路和脉冲宽度调整电路组成。地址变化检测电路检测地址信号的变化,再由脉冲宽度调整电路产生一个宽度适中的时序信号,用于内部时序控制。其具有时序信号宽度可控,电路结构简单的特点。电路在TSMC0.18μm工艺下得到验证。     

Synopsys推出可用于180nm CMOS工艺技术的可重编程非易失性存储器IP

Synopsys,Inc.宣布:即日起推出面向多种180 nm工艺技术的DesignWare AEON非易失性存储器(NVM)知识产权(IP)。这些产品包括数次可编程(FTP)IP、射频识别(RFID)IP多次可编程(MTP)IP和可擦可编程只读存储器(EEPROM)多次可编程     

安森美半导体180nm工艺技术嵌入Sidense的1T-OTP存储器

Sidense与ON Semiconductor近日日宣布,Sidence已将其180纳米（nm）OTP存储器SLP产品线移配到安森美半导体的180nm数字及混合信号技术平台ONC18。此特许协议将使SLP宏模块能够用于安森美半导体的专用标准产品（ASSP）,以及那些期望安森美半导体制造的专用集成电路（ASIC）产品中包含OTPIP的客户。     

E~2PROM擦/写特性的PCM研究

使用薄隧道氧化层浮栅器件逐渐成为在电可擦除稳定的存储器中一个标准[1]，根据E~2PROM工艺特点，本文着重分析了E／W后学元开启电压和E／W时间。E／W电压、隧道扎面积的关系。给出了开发和研究E~2ROM器件模型的工艺评价用PCM及常规用PCM的测试结果，为E~2PROM的工艺开发和实现提供有力的帮助。根据浮栅E~2PROM的物理模型[2]，建立了存储单元的阈值电压模型，利用该模型研究了存储单元E／W后同值电压与物理尺寸、E／W电压、E／W时间的关系。通过对这一关系更深入的认识，一方面在单元设计上有利于了解不同类型的E~2PROM，为减小器件尺寸以及今后开发业微米的设计规则作准备；另一方面，在工艺上建立一个准确的单元添件参数模型，得到各层次各关键工序的工艺评价参数，为制造高性能高可靠性的存储单元打下坚实基础。     

适用于EEPROM的低功耗高效率的高压产生电路

本文提出了一种应用于嵌入式EEPROM的低功耗和高效率的高电产生电路。低功耗的实现是基于电容分压电路和控制时钟的稳压电路技术;高效率是由于采用了零阈值Vth MOSFET和电荷传输开关技术的电荷泵。该高电压电路采用0.35 μm CMOS工艺流片。测试结果表明,高电产生电路的功耗约150.48 μW和电荷泵效率高达83.3％,因此高电产生电路也可广泛用于低功耗Flash中。     

一种用于TCOCXO的数据修调电路

采用VIS 0.15 pm BCD工艺设计了一款应用于温度补偿恒温晶体振荡器(TCOCXO)专用集成电路(ASIC)的数据修调电路.该数据修调电路由逻辑控制电路和一种电可擦可编程只读存储器(EEPROM)构成,主要功能是完成TCOCXO ASIC中温度补偿的控制及实现芯片的多模式工作.与通过模拟函数发生器实现的补偿方式相比,使用该数据修调电路实现的温度补偿方法可以实现更高的补偿精度和更小的芯片面积.通过该电路对TCOCXO ASIC进行调试与配置,搭载该ASIC的晶体振荡器在温度为-40～85℃时频率-温度稳定度可达±5×10-9.TCOCXO ASIC的测试结果表明,这种修调方法在减小芯片面积的同时可以实现更高精度的频率-温度补偿.     

采用EEPROM工艺设计通用阵列逻辑器件——遇到的问题与解决方案

电可擦除只读存储器（EEPROM）工艺可广泛运用于各种消费产品中,像微控制器、无线电话、数字信号处理器、无线通讯设备以及诸如专用芯片设计等诸多应用设备中。0．18μm EEPROM智能模块平台可广泛应用于快速增长的IC卡市场,如手机SIM卡、借记卡、信用卡、身份证、智能卡、USB钥匙以及其他需要安全认证或需时常更新和编写资料的应用设备中。     

ASIC新思维:从2D到3D——TSV的挑战与未来

随着集成电路工艺从微米向纳米迈进,将平面IC往立体或三维发展的硅穿孔(TSV)技术应运而生。在向3D发展进程中,2.5D技术以优越的性能和更低的成本可以满足当前设计要求。     

一种抗辐射加固FPGA 编程电路的设计与实现

本文介绍了抗辐射加固SOI-SRAM基FPGA编程电路的设计与实现。该电路完成FPGA配置数据的下载与回读。该编程电路采用编程点直接寻址的方式,相对典型的移位寄存器链寻址方式不仅能够节约面积开销而且可以提供更为灵活的配置选择。通过对本电路提出的部分配置控制寄存器的配置,该编程电路可以实现的最小配置单元仅包含1位数据,FPGA更为灵活的部分重配置功能得以方便实现。层次化的仿真策略,对关键路径的优化及精密的版图布局保证了该电路的性能。此外对编程点进行了抗辐射加固设计。该电路在基于0.5μm部分耗尽SOI工艺SRAM基的FPGA中实现。功能测试结果表明, 该编程电路成功实现FPGA配置数据的下载与回读,且抗辐照实验结果表明,抗总剂量水平超过1x105Krad(Si), 抗瞬态剂量率水平超过1.5x1011 rad(Si)/s,抗中子注入量水平达到1x1014 n/cm2。     

热印头的结构、制造工艺和特点

热印头是近二十年来发展起来的一种新型记录工具,主要用在热记录仪中。本文介绍厚膜、薄膜、半导体三种热印头的结构及其制造工艺和特点。     

边缘人工智能对5G毫米波网络的积极意义及其依赖的主流集成电路制造工艺简介

前言人工智能(Artificial Intelligence,AI)以许多不同的方式影响着我们的生活。有些人工智能产品比较常见,例如时下在美国越来越流行的智能数字助理Amazon Echo和Google Home,它们可以语音控制。还有一些人工智能技术,目前则还用在不那么引人瞩目的场合,但绝不代表它们不重要。例如,人工智能技术对于5G无线通信的成功推出和普及至关重要。应该看到,5G是一个演进中的标准,用于定义超高速、超宽带、低延迟的无线通信系统和网络。这种网络的功能和性能会比现有技术有跨越式提升。     

工艺模型参数的优化提取和MICPOS工艺模拟程序

本文介绍了一个新的工艺模拟程序MICPOS,该程序采用了一套精度较高的解析的和半经验的工艺模型,并采用快速统计试验法成功地优化提取出实际工艺的模型参数.MICPOS用这些模型参数进行工艺模拟,其结果接近实际工艺的测试结果.