a-Si TFT-LCD制造工艺中的ITO返修工艺研究

列举了不同的a-Si TFT-LCD制造工艺中的ITO返修工艺，详细分析了在五次光刻工艺中的电化学腐蚀问题的反应机理，并对各种返修工艺的优点和缺点进行了简要地说明。     

薄膜混合微电路返工工艺研究

混合微电路的返工和返修是降低生产成本的重要手段之一。由于引进了表面安装技术和片式元器件，返工和返修已可以实现。试验证明，经两次返工，两次高温烘烤后，仍可获得合格的混合微电路。     

零标记工艺

一、基本优点ASM的PAS系列步进光刻机是制造IC的工具，它采用俄基于硅片及掩股版上的位相格栅标记校正系统。硅片及掩膜版可通过镜头来进行对准。零标记技术的应用可使ASM－L规范，对单一设备叠加的36误差为0．15Pm，配套设备叠加误差为0．25Pm。这一紧凑的叠加规范可让IC厂家减少设备，从而降低生产成本。标记是独立的，且很难被填平。本文介绍腐蚀这些零层标记的技术规范。二、标记种类及规范图1是ASM—L零级标记，它由水平和垂直的线条及间隔组成。线间／间隔的间距为16pm和17．6Pm，如图1所示。在第一次光刻前必须在硅片上腐蚀…     

TFT制造工艺简化

三星电子公司开发了三次套刻工艺来制造TFT器件。一般TFT制造采用四次或五次套刻工艺来完成。采用三次套刻工艺后，比四次套刻工艺不仅提高生产能力20％，而且节省原材料、缩短生产节拍，将提高产量，提高竞争力。     

40V高压LCD驱动器工艺研发

随着液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸，高压LCD驱动日渐受到市场的关注，但高电压（40V以上）的工艺在国内基本还处于空白。本文着重介绍40V高压工艺平台所面临的主要问题和关键工艺：锑注入，外延生长之后的光刻对准和非金属硅化物接触孔等。另外，由于成本的控制以及保证相当的市场竞争力，该套工艺开发的掩膜版层数是相当的少，仅有16层，这就给器件的调整带来了极大的复杂度和难度，一次器件的调整往往同时影响好几种器件，顾此失彼。同时基于良率的考虑，我们将主要精力集中在这些关键工艺的开发和器件的调整，最终通过所有的验证，并达到了99％的良率。     

Intel 2017年迈向7nm工艺

Intel技术与制造事业部副总裁、元件研究主管Mike Mayberry今天公布了一份半导体工艺路线图,展示了Intel在未来几年的制造工艺规划情况。按照这份路线图,Intel的半导体工艺将继续严格执行Tick-Tock策略,每两年升级一次。目前正在开发的是22 nm工艺,预计下半年量产、明年上半年发     

真空开关管一次封同两次封工艺的比较

引言真空开关管的制作工艺要求较高,目前的制管工艺有一次封同两次封,一次封指在真空炉内焊接、排气一次完成,两次封是在排气台上进行封离。本文主要阐述这两种工艺的具体过程,并比较各自的特点。 1 真空开关管对工艺的要求真空开关管最主要的要求是真空寿命。在国家标准中,真空开关管的寿命计算公式如下     

先栅氧后场氧化MOS工艺研究

常规MOS工艺流程是先场氧后栅氧化。在场氧化过程中会产生许多影响其后栅氧化质量的因素，使栅氧化层质量难于提高。本研究从根本上改变这种流程，利用抗场氧化的Si3N4和一次氧化层直接作MOS管的栅介质层，可明显改善栅介质层质量，简化工艺，提高成品率，统来很好的经济效益，经过十多年的反复应用试验，证明该工艺确实可行。     

制造工艺中不可忽视的课题：湿度敏感器件（MSD）

从20世纪80年代早期——表面贴装技术(SMT)的出现，人们便开始围绕组装工艺中塑料封装IC器件的湿度敏感性这一严重问题展开了讨论。湿气会扩散到电子封装里面去，这是一个复杂的现象，在制造过程中，受潮的器件不能直接进行回流焊接。许多PCB组装人员经常会误解湿度敏感现象的本质及其工艺指导原则。在生产现场正确地遵循工艺指导原则，是对生产工艺的一个巨大挑战。10年前，我们在ESD(Electrostatic Sensirive Devices静电敏感器件)面前不知所措，而今我们又在MSD面前似乎显得束手无策。随着MSD器件在PCB组装厂中用量的慢慢增长，为了提高电子产品的可靠性，无疑又一次向我们提出了新的挑战。     

轴类零件中垂直孔的加工工艺设计优化

在轴类零件中,当所需加工的孔不能够在一次装夹中完成时,就会发现在二次装夹时找不到前一次的装夹参考基准,而导致两次加工的孔的垂直度得不到保证,为此本文通过设计装夹辅助检具及调整工艺方法两种途径,优化并提高了此类零件加工的垂直精度。     

搞好企业工艺工作的途径

１领导重视，是搞好工艺工作的前提和关键。企业工艺工作是一项复杂的系统工程，涉及企业各个部门、各级领导、各方面人员，涉及各项工艺制度、各类工艺文件等软件程序编制和实施，涉及资金投入、主要工艺装备、材料等硬件的购置、分配和使用，等等，各种关系纵横交叉、错...     

离子注入工艺简介

在过去的三十多年中，CMOS工艺的发展极大地推动了离子注入工艺的发展。反言之，离子注入工艺的不断成熟进一步改善了半导体产品的质量，尤其是CMOS产品的性能，当线宽进入亚微米后，离子注入在整个半导体生产中更成了不可或缺的一部分。     

新型电子工业清洗工艺研究

本文报告了一种新型电子工业清洗工艺，用该工艺清洗过的硅片上的钠残留量低于常规ｃｍｏｓ／ｓｏｓ栅氧化工艺，去重金属离子的能力及对器件参数的影响与常规ｃｍｏｓ／ｓｏｓ栅氧化工艺相当。新型清洗工艺具有操作简单，价格低廉等优点，无毒，无腐蚀性，对人体无危害，对环境无污染。     

二次离子质谱技术在砷化镓工艺中的应用

砷化镓工艺过程中出现的问题往往与杂质的分布有关，二次离子质谱技术是研究各种成分的三维分布的主要测试方法之一，由于其自身的特点使其成为分析器件失效原因的最有效的检测手段。利用SIMS技术对砷化镓材料、离子注入、外延生长、光刻、欧姆接触形成、肖特基势垒形成及钝化等工艺中出现的典型问题进行了研究分析，找出了失效原因，为改进工艺提供了依据。     

激光切割镍基合金的工艺研究

镍基合金是一种重要的航天航空材料，所以研究激光切割镍基合金的工艺参数对航天航空制造业有重要的价值。首先，采用正交试验法进行激光切割镍基合金，评估不同工艺参数的切割质量，直观分析优化工艺参数，得出优化值为80.175。然后，采用反馈式神经网络对切割质量进行训练拟合，预测17、18号样本的切割质量，误差百分比分别为3.14%、2.20%。最后，以此预测模型为基础，进行遗传算法的极值寻优，通过概率为0.4的交叉操作和概率为0.2的变异操作寻找种群范围内最优适应度值及对应变量值，此迭代进化过程为100次，得出的理论评分为89.076,验证试验得出的实际评分为89.150,误差仅为0.074。相比正交法直观分析优化，该方法只做少量试验样本，就可以快速找到最优工艺参数。     

集成电路工艺设计中的试验设计

本文用自适应予空间部分方法进行工艺参数超空间定义域的分割,并利用试验设计方法建立集成电路器件特性与工艺参数的子空间二次回归模型.实例表明,在工艺优化设计、器件性能预测等中用回归模型代替工艺一器件模型具有较大的优越性.     

一种实现PCB设计自动评审工艺软件

电子产品的可制造性分析正在受到越来越多的重视，但是实施可制造性是个非常复杂的费时费力的过程，通常要具备丰富经验的技术人员付出繁重的劳动，尽管如此，由于人的主观性，很多的问题仍旧遗漏到了新品试制和投产阶段，降低了DFM的效果．正是由于这个现状，华莱公司提供了他们DFM的优秀工具Trilogy5000,我们结合本公司的实际，重点对其可制造行模块进行了推广应用，使之成为PCB设计之后投产之前进行自动评审的有力工具，提高了单板设计的一次成功率。     

浅谈企业工艺标准化

现代企业的经营机制，对开展工艺标准化工作提出了新的要求。本文从选准工艺标准化工作的着眼点，强化对企业内部贯彻实施工艺标准的监督，以及工艺标准与新产品开发同步等三个方面，对如何开展企业工艺标准化工作进行了探讨 。     

SMT的维修工艺

ＳＭＴ技术是当代电子装联技术中的一项重大改革，是新一代的电子革命。我厂在光通信设备的生产中成功地采用了这项先进技术，但是在生产 实践中出现蝗维修问题也接踵而来。本文就ＳＭＴ的维修工艺从焊后检测，故障维修两个方面作一简单介绍，同时从实际出发，结合使用维修工作站的情况，谈点心得体会。     

真空灭弧室的一次封排工艺

以真空灭弧室的一次封排工艺的真空度质量为主，对真空灭弧室有关的设计、工艺流程等方面进行讨论；这会对真空灭弧室的生产开发和电真空工艺有所帮助。