点间耦合强度对平行耦合三量子点体系电导的影响

利用非平衡格林函数方法,通过一个平行耦合三量子点系统的电导被研究。电导作为电子能级的函数被数值计算。通过调整点间隧穿耦合强度,共振峰可以转变为Fano反共振峰。此外,在电导能谱中观察到2个Fano反共振峰和一个Breit-Wigner共振峰。     

量子点- 表面等离子波导耦合系统中的双带单向无反射现象

研究了由两个V型三能级量子点与表面等离子波导耦合构成的非厄米量子系统中的单向无反射现象.研究表明,通过适当地调节两个量子点的共振波长和量子点与等离子波导之间的耦合强度,在系统的异常点处可获得双带单向无反射,且其双带单向低反射可在较宽的波长范围内实现.     

有机-无机杂化纳米材料中的杂化激子

当无机半导体量子点被安置在一个有机纳米材料阵列中时,无机半导体量子点中的万尼尔激子通过激子转移机制,与有机纳米材料基质中的弗朗克尔激子实现共振耦合,形成一种有机-无机杂化激子态。这种有机-无机杂化激子态具有大激子半径和大振荡强度。利用有机-无机杂化纳米材料的激子理论,建立了杂化激子跳变以及杂化激子共振耦合的理论模型。研究发现通过改变无机半导体量子点的间距与量子点的半径,可以实现杂化激子强烈的共振耦合。     

耗散耦合腔磁系统中极化子的量子特性

利用非厄米腔磁学系统研究了相干耦合和耗散耦合对极化子量子性质的影响,并采用主方程数值模拟的方法研究了哈密顿本征能谱的特点.结果表明:在耗散耦合的作用下,本征能谱显示出不同于相干耦合的现象,即实部表现出能级吸引,虚部发生能级排斥.当系统中同时存在相干耦合和耗散耦合时,相干耦合对极化子的演化起主导作用,而耗散耦合仍会影响本征能谱的分布,并且不同相位下的本征能谱分布呈周期性变化.该研究结果可为腔磁学系统的量子信息处理提供理论参考.     

四端耦合量子点桥的电输运

设计一个与4个电极相连的耦合量子点桥系统,该系统由两个量子点线构成,同时通过其间一个量子点耦合起来。利用非平衡格林函数的运动方程与Dyson方程,推导出通过这种系统的电流表达式。     

磁场对二维量子环中电子基态能级的影响

在有效质量包络函数理论框架内,通过求解单带薛定谔方程,计算了在无磁场和有磁场时,InAs/GaAs二维量子环中电子的基态能级,分析了能级随量子环内半径、外半径、平均半径和宽度的变化。结果表明,垂直于量子环平面的磁场对提高电子基态能量,有很明显的效果。此外,磁场还会减小能级对量子环外半径的依赖关系：即当外半径超过某一临界值时,能级不再发生变化。     

AuCl-4-I-纳米微粒体系的共振散射和荧光光谱

AuCl4^-与I^-可形成（AuI）n纳米微粒．当I^-浓度较低时，体系呈AuCl4^-浅黄色，在约320nm处有1个较强的共振散射峰，在470nm处有1个同步散射峰；在350，400，420和466nm处有4个荧光峰．当I^-浓度较高时，体系呈黄绿色，在360，420，520nm处有3个共振散射峰，在467nm有1个较强的同步散射峰；在466nm处有1个较强的荧光峰．当I^-浓度大于AuCl4^-浓度4倍，在270，315nm处有2个同步散射峰，在470nm处有1个共振散射峰．AuI纳米微粒的浓度对共振散射信号和荧光强度的影响一致．采用光谱法、极谱法和透射电镜研究了AuCl4^--I^-纳米反应机理．结果表明，反应过程中小仅生成了I2，而且有（Aul）n纳米微粒和IO3^-存在，Aul2^可作为共振散射光谱分析新试剂．     

太赫兹波导系统中的双带单向无反射现象

利用高阶等离子共振在3个桩状共振器边耦合到一个金属-绝缘体-金属等离子波导系统,并在该系统中研究了双带单向无反射现象.理论分析表明,在共振频率5.594 THz和5.928 THz处,向前方向的反射率均接近0,向后方向的反射率分别约为0.33和0.88,实现了双带的单向无反射.双带单向无反射共振峰的品质因数分别为25.4和49.4.     

量子点、量子点分子及耦合腔场的纠缠动力学

考虑了各含一个二能级的量子点和一个三能级隧穿量子点分子的两耦合腔系统, 导出了量子点、量子点分子与腔场发生共振相互作用,量子点处于激发态,量子点分子处于基态,腔场均处于真空态的初始条件下系统的态矢量,运用Negativity度量子系统间的纠缠,采用数值计算的方法研究了量子点原子与量子点分子之间,腔中量子点 (量子点分子)与腔场之间和两个腔场之间的纠缠特性,探讨了腔场间的耦合系数及量子点分子的隧穿强度对纠缠特性的影响. 结果表明,与弱腔场耦合相比,在强腔场耦合情况下,量子点、隧穿量子点分子与腔场之间的纠缠及腔场之间的纠缠减弱,量子点分子与隧穿量子点分子之间纠缠增强;在腔场弱耦合或强耦合下,随着量子点分子隧穿强度的增加,量子点与量子点分子间及量子点与腔场间的纠缠强度受影响程度较小,只有量子点分子与腔场纠缠出现明显减弱.     

量子点、量子点分子及耦合腔场的纠缠动力学

考虑了各含一个二能级的量子点和一个三能级隧穿量子点分子的两耦合腔系统,导出了量子点、量子点分子与腔场发生共振相互作用,量子点处于激发态,量子点分子处于基态,腔场均处于真空态的初始条件下系统的态矢量,运用Negativity度量子系统间的纠缠,采用数值计算的方法研究了量子点原子与量子点分子之间,腔中量子点（量子点分子）与腔场之间和两个腔场之间的纠缠特性,探讨了腔场间的耦合系数及量子点分子的隧穿强度对纠缠特性的影响.结果表明,与弱腔场耦合相比,在强腔场耦合情况下,量子点、隧穿量子点分子与腔场之间的纠缠及腔场之间的纠缠减弱,量子点分子与隧穿量子点分子之间纠缠增强;在腔场弱耦合或强耦合下,随着量子点分子隧穿强度的增加,量子点与量子点分子间及量子点与腔场间的纠缠强度受影响程度较小,只有量子点分子与腔场纠缠出现明显减弱.     

量子点免疫层析试条定量检测系统的设计

一种量子点免疫层析试条定量检测系统,由量子点免疫层析试条、试条架、扫描系统、电荷耦合器（CCD）、信号放大器、模／数转换器（A／D）、微处理器（MCU）、输出显示装置、打印机、键盘和一张与试条配套的IC卡构成。微处理器读取Ic卡参数后控制试条架运动以适合扫描系统的光纤探头对试条进行自动扫描,采集的特征波长反射荧光经CCD、信号放大器、模／数转换器传输给微处理器进行光信号识别和浓度计算,输出显示装置显示结果。该系统能快速准确实现样品多元指标定量检测,具有检测快速、灵敏度高、结果客观、使用灵活等特点,在生物医学样品检测方面具有广泛应用前景。     

量子点系统中纠缠的演化

在多个量子点组成的自旋链系统中,各点之间的距离都很短,次近邻相互作用在很多情况下不能被忽略。研究有次近邻相互作用时,由四个量子点组成的自旋链系统中的边界纠缠情况,给出Concurrence的解析表达式及其随时间的演化情况。研究结果表明,次近邻相互作用对纠缠有着重要的影响,可以通过调节环境参数和近邻相互作用的强度来减小次近邻相互作用对系统纠缠的影响。这种调节方法在量子点系统中很容易实现。     

隧穿注入量子点体系的载流子动力学研究

通过考虑载流子在量子点中的隧穿、弛豫、热逃逸和非辐射复合等主要输运过程,并建立速率方程模型,研究了隧穿注入量子点体系的载流子动力学过程,探讨了隧穿注入量子点发射光谱对温度和隧穿几率的依赖性．理论分析表明：共振隧穿结构对量子点尺寸色散导致的激光展宽具有一定的抑制作用．     

Electric properties of Ge quantum dot embedded in Si matrix

The electric characteristics of Ge quantum dot grown by molecular beam epitaxy in Si matrix were investigated by admittance spectroscopy and deep level transient spectroscopy. The admittance spectroscopy measurements show that the activation energy of 0.341 eV can be considered as the emitting energy of hole from the ground state of the quantum dot. And the capacitance variation with temperature of the sample shows a platform at various frequencies with reverse bias 0.5 V, which indicates that the boundary of space charge region is located at the quantum dot layer where the large confined hole concentration blocks the further extension of space charge region. When the temperature increases from 120 K to 200 K, the holes in the dot emit out completely. The position of the platform shifting with the increase of the applied frequency shows the frequency effects of the charges in the quantum dot. The deep level transient spectroscopy results show that the charge concentration in the Ge quantum dot is a function of the pulse duration and the reverse bias voltage, the activation energy and capture cross-section of hole decrease with the increase of pulse duration due to the Coulomb charging effect. The valence-band offsets of hole in Ge dot obtained by admittance spectroscopy and deep level transient spectroscopy are 0.341 and 0.338 eV, respectively.     

亮蓝与石墨烯/CdTe量子点复合物相互作用的荧光光谱性能研究

成功地合成了石墨烯/CdTe量子点复合物,并基于亮蓝对石墨烯/CdTe量子点复合物的较强的荧光猝灭作用,研究了亮蓝与石墨烯/CdTe量子点复合物相互作用的光谱性能。研究发现,亮蓝的紫外吸收光谱和石墨烯/CdTe量子点复合物的荧光发射光谱相互重叠,亮蓝荧光发射强度的增加和石墨烯/CdTe量子点复合物荧光发射强度的降低,推断两者之间发生了荧光共振能量转移。此外,石墨烯/CdTe量子点复合物荧光强度的降低（F₀/F）与亮蓝的浓度之间具有良好的线性关系,线性范围为12.62-94.65nmol·L^-1,最低检出限为6.4nmol·L^-1,可用于溶液中亮蓝的定量分析,为建立新型荧光传感器提供了理论和实验基础。     

β-环糊精修饰的金量子点对邻苯二甲酸酯类的检测

通过简单的一锅法合成了水溶性β-环糊精修饰的金量子点,利用透射电子显微镜(TEM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)对其进行了表征,并对水体中邻苯二甲酸二辛酯(DOP)和邻苯二甲酸二丁酯(DBP)进行了定量测定和抗干扰实验,实验结果表明该金量子点对DOP、DBP均具有良好的选择性,且对DOP和DBP的检出限分别达到34.4×10-5mol/L和8.4×10-5mol/L,是能够实现现场原位的邻苯二甲酸酯类比色检测的一种新型实用方法。     

NiO薄膜厚度对CdTeO3量子点敏化太阳电池性能的影响

针对NiO薄膜厚度对量子点敏化太阳电池性能的影响,设计了1组对比实验,并首次采用CdTeO_3量子点作为敏化剂敏化NiO光阴极制备p型量子点敏化太阳电池。通过分析发现当丝网印刷层数为2层,NiO薄膜厚度大约为2.5μm时,光阴极的吸收强度和电池的短路电流密度都有较大的提升。最终电池获得了0.018%的光电转换效率,达到了国际文献报道的同等水平,拓宽了p型量子点敏化太阳电池的研究范围。