2～8 GHz单片可变增益低噪声放大器芯片

南京电子器件研究所于 2 0 0 2年已研制出 WFD0 0 2 0型 2～ 8GHz Ga As单片可变增益低噪声放大器芯片。该放大器采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5 μm PHEMT标准工艺制作而成。它由三级放大器和一个衰减器组成 ,采用 7个 PHEMT、若干无源元件组成 ,高度集成在 3.6mm× 2 .2 mm的 Ga As衬底上。三级放大器的电源为 +5 V,放大器芯片的增益可以由衰减器控制。衰减器连接在第二和第三级放大器之间。测得该芯片工作频率范围为 2～ 8GHz,在零衰减时 ,整个带内增益大于 2 5 d B,噪声系数不大于 3.5 d B,增益平坦度小于± 0 .75 d…     

一种低噪声可变增益放大器

文中介绍了以AD603为核心构成的低噪声可变增益放大器的实用电路,通过模式选择、引脚编程,可选择不同的带宽,以及得到不同的增益.通过对增益控制方式的选择,可得到最佳的信噪比.     

低噪声可变增益放大器设计

文中介绍了以ＡＤ６０３为核心构成的低噪声可变增益放大器的实用电路。通过模式选择、引肢编程,可选择不同的带宽,以及得到不同的增益。通过对增益控制方式的选择,可得到最佳信噪比。具有性能好、电路简单、设计方便等特点。     

3.1～5.2GHz超宽带可变增益低噪声放大器设计

低噪声放大器是超宽带接收机系统中最重要的模块之一,设计了一种可应用于3.1～5.2GHz频段超宽带可变增益低噪声放大器。电路输入级采用共栅结构实现超宽带输入匹配,并引入电流舵结构实现了放大器的可变增益。仿真基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺。结果表明,在全频段电路的最大功率增益为10.5dB,增益平坦度小于0.5dB,噪声系数小于5dB,输入反射系数低于-15dB,在1.8V电源电压下,功耗为9mW。因此,该电路能够在低功耗超宽带射频接收机系统中应用。     

2～8 GHz微波单片可变增益低噪声放大器

报道了一种微波宽带 Ga As单片可变增益低噪声放大器芯片。该芯片采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5μm PHEMT标准工艺制作而成。工作频率范围为 2～ 8GHz,在零衰减时 ,整个带内增益大于 2 5d B,噪声系数最大为 3 .5 d B,增益平坦度小于± 0 .75 d B,输入驻波小于 2 .0 ,输出驻波小于 2 .5 ,输出功率大于 1 0d Bm。放大器增益可控大于 3 0 d B。实验发现 ,芯片具有良好的温度特性。该芯片面积为 3 .6mm× 2 .2 mm。     

低噪声可变增益放大器的性能及应用

AD603是美国AD公司推出的主要应用于射频和中频自动增益控制系统的一种低噪声、压控增益放大器。详细介绍AD603的工作原理、噪声特性、模式选择、增益控制方法，提出几个AD603级联使用的方法，最后介绍低噪声自动增益控制放大器的设计原理及实际应用电路。     

一种2.4 GHz低功耗可变增益低噪声放大器

设计了一种工作频率为2.4 GHz的低功耗可变增益低噪声放大器。针对不同的增益模式,采用不同的设计方法来满足不同的性能要求。在高增益模式下,通过理论分析,提出了一种新的定功耗约束条件下的噪声优化方法,考虑了栅匹配电感的损耗和输入端口的各种寄生效应,给出了简明而有效的设计公式和设计过程。在低增益模式下,提出了一种改进线性度的方法。采用TSMC 0.18 μm CMOS RF工艺进行了设计。后仿真结果表明,在功耗为1.8 mW时,最高增益为35 dB,对应的噪声系数为1.96 dB;最低增益为5 dB,对应的输入3阶交调点为3.2 dBm。     

CMOS宽带线性可变增益低噪声放大器设计

文章设计了一种48MHz~860MHz宽带线性可变增益低噪声放大器,该放大器采用信号相加式结构电路、控制信号转换电路和电压并联负反馈技术实现。详细分析了线性增益控制、输入宽带匹配和噪声优化方法。采用TSMC0.18μm RF CMOS工艺对电路进行设计,仿真结果表明,对数增益线性变化范围为-5dB~18dB,最小噪声系数为2.9dB,S11和S22小于-10dB,输入1dB压缩点大于-14.5dBm,在1.8V电源电压下,功耗为45mW。     

S波段GaAs单片可变增益放大器

用分析方法获取具有4个端口的双栅FET适用S参数进行设计,用微波单片集成电路技术制成增益30dB,可控增益大于65dB,二栅开关时间小于5ns的S波段单片可变增益放大器,封装后的尺寸为17.5mm×20mm×5mm。     

一款3～6.3 GHz增益可调的低噪声放大器设计

针对无线接收机在对不同信号进行放大时,噪声恶化严重的问题,文中在驱动放大级采用电流复用技术,可以降低系统功耗,同时,在增益变化过程中保证了输入级增益对后级电路噪声的抑制作用,使得增益变化过程中,噪声始终低于1 dB。输入级和输出级阻抗匹配良好,在3 GHz～6.3 GHz的工作频段上可实现系统增益的连续可调范围约30 dB(19.6 dB～49.6 dB),同时通过采用两个控制电压分别控制两级放大电路,在增益变化过程中系统获得了良好的增益平坦度,版图尺寸为0.95×1.53 mm²。在常规工作状态下,系统噪声为0.56±0.02 dB,增益为49.6±0.47 dB,功耗97 mW。在4.5 GHz频率处,系统的OP1dB为10.3 dBm, OIP3达到29 dBm,具有良好的线性度。     

S波段GaAs单片可变增益放大器

<正>微波单片集成电路(MMIC)是新一代微波产品。它把有源和无源元件,采用可批量生产的集成技术制作在同一GaAs衬底上完成一定微波功能,具有成本低、产量高、可靠性高、体积小、重量轻等突出的优点。南京电子器件研究所1991年研制的MMIC产品WD64型S波段GaAs单片可变增益放大器如图1所示。其芯片尺寸为4.5mm×1.6mm×0.15mm,双栅     

2.4GHz可变增益CMOS低噪声放大器设计

设计了一款工作在2.4GHz的可变增益CMOS低噪声放大器,电路采用HJKJ0.18μm CMOS工艺实现。测试结果表明,最高增益为11.5dB,此时电路的噪声系数小于3dB,增益变化范围为0～11.5dB。在1.8V电压下,电路工作电流为3mA。     

2～20GHz分布式单片放大器设计

介绍了一种采用0.15μm GaAs PHEMT工艺设计加工的2～20 GHz宽带单片放大器,为了提高电路的整体增益和带宽,在设计电路时采用两级级联分布式结构。此种电路结构不仅能够增加整体电路的增益和带宽,还可以提高电路的反向隔离,获得更低的噪声系数。利用Agilent ADS仿真设计软件对整体电路的原理图和版图进行仿真优化设计。后期电路在中国电子科技集团公司第十三研究所砷化镓工艺线上加工完成。电路性能指标:在2～20 GHz工作频率范围内,小信号增益>13.5 dB;输入输出回波损耗<-9 dB;噪声系数<4.0 dB;P-1>13 dBm。放大器的工作电压5 V,功耗400 mW,芯片面积为3.00 mm×1.6 mm。     

一种新型的5GHz自适应偏置及可变增益低噪声放大器

该文提出了一种新型的自适应偏置及可变增益低噪声放大器(LNA),利用电荷泵(亦称电压倍增器)将LNA输出信号转换成与LNA射频输入信号功率成比例变化的直流信号,以此信号同时反馈控制LNA的偏置和增益,来实现自适应偏置以及可变增益低噪声放大器, 从而极大地改善了LNA的输入线性范围。鉴于5GHz频率下,Bipolar相对于CMOS更好的频率特性和低噪声特性,该项研究采用了BiCMOS工艺,实现了低于3.0dB的噪声系数(高增益状态下)和大约13dBm的输入三阶交调点IIP3的控制范围以及大于15dB的增益控制范围。     

4～8GHz宽带单片集成低噪声放大器设计

基于0.15μm GaAs PHEMT工艺设计了一款C波段宽带单片集成低噪声放大器。电路由三级放大器级联而成,三级电路结构均使用电阻自偏压技术来实现单电源供电,它既可保证PHEMT管处于低噪声高增益的工作点,又可将所有元器件集成在单片GaAs衬底上,解决了供电复杂的问题。第三级电路采用了并联负反馈结构,降低了带内低频端...     

双通道低噪声单电源可变增益功率放大器AD605

AD605是AD公司生产的低噪声、双通道、dB线性的可变增益放大器。可用于超声波和时间增益控制、高性能AGC系统以及信号测量等方面。文中介绍了AD605的功能和特性,分析了AD605的结构和工作原理,并给出了AD605的两种基本应用电路。     

3.625～4.2GHz 36K GaAs低噪声放大器

<正>采用市场上能购得的器件,制作了噪声温度在3.625～4.2GHz范围内均小于36K的放大器,达到了当前国际水平、且已提供用户使用.制作低噪声放大器除了需有性能优良的器件外,还要进行电路优化设计和精心调试.为了进一步降低噪声温度采用了致冷技术,因而在电路和结构上都要进行合理设计.首先要正确测量器件的S参数以及噪声参量.此后一般可用CAD技术进行电路设计,大部分设计者把一个放大器的所有指标一起进行优化,当其中某项指标达不到要求时,可以降低其它指标,     

一种用于5G终端增益可调的低噪声放大器设计

针对无线接收机需要对不同强度信号进行不同程度放大的要求,采用WIN公司的0.15 μm GaAs pHEMT工艺设计了一款工作频段为5G通信频段3~5 GHz的可变增益低噪声放大器。该放大器包含两级放大电路,均采用自偏置结构,降低了端口数量,通过调节第二级放大电路的控制电压在0至5 V之间变化,可实现系统增益的连续可调范围约39.3 dB(－3.5~35.8 dB)。放大器版图尺寸为0.94×1.24 mm²。控制电压为0 V时,系统噪声为0.53±0.01 dB,增益为35.5±0.35 dB,中心频点4 GHz处,OP1dB为13.2 dBm,OIP3达到32.7 dBm,表明系统具有良好的线性度。     

CMOS可变增益放大器设计概述

可变增益放大器是模拟单元电路之一,起着变化增益、调整信号动态范围、稳定信号功率的作用.文章综述了CMOS集成可变增益放大器的研究情况;给出了可变增益放大器的定义、应用、分类和主要指标,描述了多种开环和闭环放大器的结构,分析了相应的增益控制方法及其优缺点;说明了在CMOS工艺下实现放大器增益按指数变化的几种途径.最后,介绍了用于无线数字通信,具有宽带、高线性、低电源电压等高性能可变增益放大器的设计实例.     

2～8 GHz超宽带低噪声放大器设计

文中设计并实现一款适用于S波段和C波段(2～8 GHz)的超宽带低噪声放大器(LNA)。该低噪声放大器选用三菱公司InGaAs HEMT晶体管MGF4941AL,采用并联负反馈的三级级联放大结构,有效提高了增益和带内匹配。三级电路均采用电阻自偏压方式实现单电源供电,并且加入了正电延时模块确保晶体管正常工作。测试结果表明,在2～8 GHz频率范围内,输入反射系数S_(11)和输出反射系数S_(22)分别小于-8.5 dB和-7.7 dB,正向增益S_(21)大于21 dB,噪声系数小于3.6 dB。