NUC2401MN：共模扼流圈EMI滤波器

ON Semiconductor推出共模扼流圈及静电放电（ESD）保护集成电路（IC）,应用于高速数据线路。新的NUC2401MN结合了高带宽差分滤波、固体共模停止带宽衰减及世界级ESD保护。这些结合的特性,使方案远优于典型的电磁干扰（EMI）滤波器及分立可选方案,同时有助显著减少元件数量。器件让设计人员实现优异的滤波及保护性能,     

安森美推出业界首款共模扼流圈ESD保护IC

安森美半导体推出业界首款共模扼流圈及静电放电保护集成电路，应用于高速数据线路。新的NUC2401MN结合了高带宽差分滤波，固体共模停止带宽衰减及世界级ESD保护。这些结合的特性，使这方案远优于典型的电磁干扰（EMI）滤波器及分立可选方案，同时有助显着减少组件数量。     

EM12121／4182／4183：其模滤波器

安森美半导体推出一批新的共模滤波器（CMF），这些器件集成了静电放电（ESD）保护，用于抑制噪声及提供高信号完整性。新器件包括EM12121、EM14182及EM14183，适合于应用在智能手机、多媒体平板电脑等。     

TDK技术人员谈HDMI接口设计和测试

HDMI v1．3标准的数据传输速率达到3．4Gbps，这将增大选择EMI／ESD保护组件的难度。在EMI对策中，尽管大多数情况下可以有效使用共模滤波器（CMF），但是如果选择了错误的CMF，则可能导致最坏的后果。因此，必须减小相对于信号的插入损耗。     

基于STNMOS的混合电压I／O接口ESD保护

混合电压I／O接口的静电放电（electrostaticdischarge,ESD）保护设计是小线宽工艺中片上系统（SoC）设计的主要挑战之一。混合电压I／O接口的片上ESD保护既要避免栅氧可靠性问题,又要防止不期望的泄漏电流路径产生。这篇论文讨论了基于堆叠NMOS（Stacked—NMOS,STNMOS）的混合电压I／O接口的ESD保护设计构思和电路实现,通过不同ESD保护设计方案的比较,提出了一个最有效的保护方案。     

板级设计中控制共模辐射EMI的主要步骤

电磁干扰（EMI）指电路板发出的杂散能量或外部进入电路板的杂散能量，它包括：传导型（低频）EMI、辐射型（高频）EMI、ESD（静电放电）或雷电引起的EMI。传导型和辐射型EMI具有差模和共模表现形式。     

ST推出超大带宽的HDMI接口静电放电保护芯片

日前，意法半导体再次扩大该公司的超低电容的高清视频产品保护IC产品组合。新产品允许高清多媒体接口（HDMI）在1．65Gbit／s的标准速率甚至最高3．2Gbit／s速率下具有高达15kV的人体接触和空气静电放电（ESD）保护功能。新产品HDMIULC6—4SC6是当前市场上带宽最大的（超过5GHZ）单片专用保护芯片，可为4条数据线路提供轨到轨的保护，而且不会破坏数据信号的完整性。     

意法半导体HDMI接口静电放电保护芯片

意法半导体（STMicroelectronics）扩大其超低电容的高清视频产品保护IC产品组合。新产品允许高清多媒体接口（HDMI）在1.65Gbit／s的标准速率甚至最高3．2Gbit／s速率下具有15kV的人体接触和空气静电放电（ESD）保护功能。新产晶HDMIULC6—4SC6据称是当前市场上带宽最大的（超过5GHZ）单片争用保护芯片，可为4条数据线路提供轨到轨的保护，而且不会破坏数据信号的完整性。     

新型ESD抑制器件

安森美半导体目前推出μESD（微型ESD）双串联高性能微型封装静电放电（ESD）保护二极管。μESD双串联系列产品为电压敏感元件提供双线保护而设计，适用于需要小板面积和低高度的应用，如手机、MP3播放器和便携式游戏系统。     

泰科电子推出标准0201和0402封装的ChipSESD保护器件

泰科电子（TE）日前宣布推出比传统半导体封装更易安装和返修的0201和0402尺寸的静电放电（ESD）器件，以扩展其硅ESD保护产品系列。该ChipSESD封装将一个硅器件和一个传统表面贴装技术（SMT）被动封装配置的各种优势结合在一起。     

双向硅ESD保护器件

泰科电子（TE）日前宣布推出比传统半导体封装更易安装和返修的0201和0402尺寸的静电放电（ESD）器件，以扩展其硅ESD保护产品系列。该ChipSESD封装将一个硅器件和一个传统表面贴装技术（SMT）被动封装配置的各种优势结合在一起。     

ESD9L：单线ESD保护器件

安森美半导体推出新的超低电容静电放电（ESD）保护器件系列的首款产品。新的ESD9L是一款单线ESD保护器件，提供0．5pF电容和低钳位电压。采用适合ESD保护应用的小型封装，适用于手机、MP3播放器、个人数字助理（PDA）和数码相机等便携应用的高速数据线路保护。     

高速接口引发ESD保护元件革新

据意法半导体MPA产品部产品营销科长吉野善晴介绍：“由于设计设备时必须考虑的防ESD措施发生了变化，自2005年秋天起，开发平板电视的技术人员不断表示希望能使用静电电容较低的元件。”由于元件本身的静电电容会导致信号波形失真，因此越来越多的设备设计人员表示，传统的ESD保护元件将会逐渐无法继续使用（见图1）。为了避免信号失真，必须使用静电电容低于现有产品（3pF～5pF）的ESD保护元件。随着对低静电电容ESD保护元件需求的增加，松下电子元器件及意法半导体等器件厂商自2006年起相继推出静电电容低于1pF的ESD保护元件（见表1）。     

瞬变电压抑制器

ESDAXLC6—1MY2瞬变电压抑制器（TVS）为ESD保护器件建立新超低电容标准，在保护画质的同时，让ESD保护性能符合现行的工业标准。     

能有效简化高压电路保护的新型电流监控器ZXCT1080

模拟信号处理及功率管理方案供应商Zetex Semiconductors（捷特科）公司推出的ZXCT1080电流监控器，可利用其扩展到3～60V的共模检测电压范围，来为汽车、工业电机控制及电源应用中各种高压电路保护需求提供了一个简单的高端电流检测解决方案。     

CMOS SoC芯片ESD保护设计

本文提出从器件失效功率的角度,解释CMOS SoC（System On Chip）芯片的ESD（ElectrostaticDischarge）失效原因,总结了CMOS集成电路（IC）的多种ESD失效模式,研究了多电源系SoC芯片的ESD保护设计方法,提出了SoC芯片的ESD保护设计流程。     

多电源和多地的片上ESD保护

介绍了集成电路设计中的ESD保护的基本原理和几种常用的保护方法并比较其优劣。提出了在多电源、多地时特殊的ESD保护结构（栅耦合结构及共用泄放回路），以及该结构在不同应用中的变化。     

Zefex新型电流监控器有效简化高压电路保护

模拟信号处理及功率管理方案供应商Zetex Semiconductors（捷特科）公司推出ZXCT1080电流监控器。新器件利用其扩展到3V至60V的共模检测电压范围，为汽车、工业电机控制及电源应用中各种高压电路保护需求提供了一个简单的高端电流检测解决方案。     

ESD 8VoL系列——为高速应用提供ESD保护二极管

ESD8VoL系列采用超小无铅封装，由单通道和双道双向ESD二极管（ESD=静电释放）构成。该系列专门设计用于保护高速数据接口，例如USB2.010/100以太网。     

ESD7L5．0D／NUP4212：ESD保护器件

安森美扩充高性能片外静电放电（ESD）保护产品系列，推出两款器件ESD7L5．0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计，提高了钳位电压性能，同时保持低电容和小裸片尺寸。