PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷的制备及性能研究

采用热压通氧烧结工艺制备PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷材料,系统地研究了不同的La含量(x=0.08～0.10)对PLZT陶瓷透过率的影响,当x=10时,材料的透过率达到68%.测试了不同的La含量下的PLZT透明陶瓷材料的电滞回线.用法拉第磁光调制法测量了不同的La含量的PLZT(x/65/35)透明铁电材料在电场下的双折射△n,△n随La含量的增加而下降.     

Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜

介绍了Sol-Gel法，并对近年来Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的有关研究进行了分析和总结，详细介绍了Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的各种原料及工艺流程。     

PLZT铁电薄膜与透明陶瓷的椭偏光谱研究

用溶胶－凝胶技术制备了组分为６／６５／３５的ＰＬＺＴ非晶薄膜,这类薄膜具有类铁电性。在２００￣７００ｎｍ的波长范围内测试ＴＬＺＴ类铁电非晶薄膜和同样组分的透明陶瓷的椭偏光谱,得么了其光学常数谱（浙射率ｎ谱和消光系数ｋ谱）,并对其吸边和一些光学性质进行了对比和讨论。     

大韩矿业有意在我国投资稀土等产品

酸铅陶瓷（PLZT）是一种透明铁电电光陶瓷，日本己把PLZT透明铁电陶瓷薄膜列入40项重大研究课题之一，预测21世纪后将作为电光器件进入商业性应用，它可以广泛应用于闪光护光镜、滤色器、显示器、图像贮存、薄膜光学开关等。把含有10mol％ThO2的Y2O3在氢气中于2100℃烧结6h，制成了透光性很好的Y2O3透明陶瓷，它在红外装置、高温实验用装置及电子元件等方面均有多种用途，     

PMN-PT透明光电陶瓷材料的特性及制备技术

以传统的光电材料铌酸锂晶体和透明光电陶瓷材料PLZT(镧改性的锆钛酸铅固熔体)作为比较,介绍了铌镁酸铅(PMN)-钛酸铅(PT)(简称PMN-PT)光电透明陶瓷的结构和性能优势,主要介绍了PMN-PT各种粉末的制备方法、烧结工艺方法及其各自的特点,同时对影响陶瓷透明的因素和基于该材料的器件和应用进行了简要介绍.     

工艺参数对Sol—Gel法制备的PLZT铁电薄膜结构和性能的影响

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法在镀铂硅片上制备了具有良好铁电性能的ＰＬＺＴ薄膜，研究了影响薄膜显微结构与电学性能的工艺因素，适宜的前体溶液浓度和水解度，低的热处理变温速率对防止薄电裂有利，ＰｂＴｉＯ３过渡怪改善ＰＬＺＴ薄膜的形核过程，使之纯钙钛矿结晶相，ＰｂＴｉＯ３过渡层及薄膜内细小的晶粒和空间荷电使薄膜剩余极化强度下降，矫顽场强上上升。     

铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究

采用Sol-Gel法,在Pt/TiO2／Si基片上制备了具有不同铅过量（0－20mol%)的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明,各薄膜均具有钙钛矿型结构,且各薄膜均呈（110）择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为10mol%的薄膜具有最佳的介电性能和铁电性能。     

PLZT陶瓷靶材及溅射薄膜的微观结构研究

研究了铁电ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）陶瓷靶材及用射频磁控溅射法制备的相同组分陶瓷薄膜的矿物结构及显微结构。实验结果表明，与陶瓷靶材相比，陶瓷薄膜的结晶取向发生了较大的变化，晶粒度减小，致密度提高，但晶粒无完整的晶形。随退火温度的提高，薄膜的缺陷明显增加。     

PMN—PT透明光电陶瓷材料的特性及制备技术

以传统的光电材料铌酸锂晶体和透明光电陶瓷材料PLZT（镧改性的锆钛酸铅固熔体）作为比较，介绍了铌镁酸铅（PMN）-钛酸铅（PT）（简称PMN-PT）光电透明陶瓷的结构和性能优势，主要介绍了PMN-PT各种粉末的制备方法、烧结工艺方法及其各自的特点，同时对影响陶瓷透明的因素和基于该材料的器件和应用进行了简要介绍。     

多孔陶瓷材料应用及制备的研究进展

回顾了多孔陶瓷材料传统的应用领域和制备方法，总结和归纳了多孔陶瓷材料新的应用领域和新的制备方法，指出了当前多孔陶瓷材料的研究热点和今后所要解决的问题。     

透明陶瓷材料现状与发展

透明陶瓷的诞生使得高压钠灯得到实际应用.近年来通过透明陶瓷技术可以解决单晶工艺中的某些难题,并发展多晶代替单晶开发出了激光陶瓷、陶瓷闪烁体等新一代光学材料.本文就透明陶瓷的现状和发展作一简要综述.     

PLZT陶瓷纤维/环氧树脂1-3复合材料的制备和性能研究

以乙酸铅、乙酸镧、乙酸氧锆和钛酸丁酯为原料,用溶胶-凝胶法制备了掺镧锆钛酸铅(PLZT)凝胶纤维.该纤维经热解、烧结后成为直径约25μm的陶瓷纤维.陶瓷纤维的表面和断面形貌的电子扫描图象表明,该陶瓷纤维均匀致密.用阿基米德法测得陶瓷纤维的密度为:7.78×10³kg/m³.对于直径为4.4mm、厚度为43μm、陶瓷含量为70％的PLZT陶瓷纤维/环氧树脂1-3复合材料压电片,测得其压电常数d₃₃、机电转换常数k_t分别为:410pC/N和0.631.     

PLZT 透明铁电陶瓷晶粒长大的体视学研究

本工作用热压 8/65/35 PLZT 陶瓷为原始材料,通过不同热处理过程制备出各种不同晶粒度的陶瓷试样,试样经过热腐蚀后,用 Cambridge Instruments Ltd 的 Quantimet 900对它们进行图像分析和定量体视学研究,获得了很有价值的各种数据。     

p型透明导电氧化物薄膜的研究进展

p型透明导电膜是近来发现的一种新型的材料,在透明有源器件、传感器、透明电极和电路等方面具有广泛的潜在应用.近来在这方面的研究取得了一些突出的进展.本文主要综述了关于p型透明导电膜在材料、沉积工艺以及相关器件方面的研究进展.     

凝胶冷冻干燥法制备透明氧化钇陶瓷

采用凝胶冷冻干燥法, 在--50℃、8Pa的真空度下制备了碱式硝酸钇前驱体. 干燥后前驱体呈疏松片状堆积, 比烘箱干燥样品具有更为清晰的轮廓. 经过1100℃煅烧后, 凝胶冷冻干燥处理的粉体具有较细的颗粒, 颗粒尺寸分布均一, 并且具有较大的比表面积. 该粉体经过干压型, 于1700℃真空保温4h烧结后得到晶粒大小均匀的致密多晶透明陶瓷, 平均晶粒尺寸在40μm左右, 样品相对密度达99.6%. 样品经抛光后可见光400nm波长透过率达60%, 并且在紫外波段也具有类似于氧化钇单晶的高透过率.     

Nd:YAG透明陶瓷的制备与激光输出

成功制备了高质量的Nd:YAG透明陶瓷, 激光测试样品的尺寸为3mm×3mm×3mm, 双面抛光、未镀膜, 最高连续输出能量为1003mW, 斜率效率为14%.