难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性

用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理.用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了分析.结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10-6Ω·cm2.这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性.     

表面处理对p-GaN欧姆接触的影响

分别用稀盐酸、王水以及(NH4)2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面Ols的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以相同的条件制作Ni/Au电极,并测试其与p-GaN的比接触电阻,结果表明经稀盐酸处理后的样品表面,由于其氧含量较高,不能与Ni/Au形成良好的欧姆接触,而经王水和(NH4)2S溶液处理后的p-GaN表面,能与Ni/Au形成良好的欧姆接触;最后,通过比较样品表面的Ga/N原子浓度比,探讨了王水处理p-GaN表面能够形成良好欧姆接触的原因.     

表面处理对p-GaN欧姆接触的影响

分别用稀盐酸、王水以及(NH4)2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面Ols的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以相同的条件制作Ni/Au电极,并测试其与p-GaN的比接触电阻,结果表明经稀盐酸处理后的样品表面,由于其氧含量较高,不能与Ni/Au形成良好的欧姆接触,而经王水和(NH4)2S溶液处理后的p-GaN表面,能与Ni/Au形成良好的欧姆接触;最后,通过比较样品表面的Ga/N原子浓度比,探讨了王水处理p-GaN表面能够形成良好欧姆接触的原因.     

注Z_n~+-GaAs的激光退火及GaAs欧姆接触的激光合金化

本文研究了激光退火使离子注Zn的GaAs层获得高的表面浓度作P~+层.所用的调Q红宝石激光器能量密度1～1.5J/cm~2、脉宽20ns.霍尔测量得到的表面空穴浓度达3.3 × 10~(19)-8.7 ×10~(20)/cm~3,红外等离子共振极小测量结果与之相符.电子衍射实验观察到注入无定形层经激光退火后再结晶的单晶衍射花样. 另外,也报道了用激光合金化在N型和P型体GaAs材料上制备欧姆接触的结果,所得到的比接触电阻比通常热合金化的比接触电阻略低,其表面形貌也比热合金化的好.     

Ni含量对PHEMT欧姆接触的影响

研究了AuGeNi/Au金属系统中Ni含量对n-GaAs欧姆接触的影响,用传输线法对接触电阻进行了测试,在原子力显微镜观测了合金表面形貌,测试了高温存储后接触电阻的变化.结果表明:Ni含量占AuGe的8%wt左右,Ge与Ni的厚度比在1.6:1左右时,可以得到相对比较好的欧姆接触.     

注Z_n~ -GaAs的激光退火及GaAs欧姆接触的激光合金化

本文研究了激光退火使离子注Zn的GaAs层获得高的表面浓度作P~ 层.所用的调Q红宝石激光器能量密度1～1.5J/cm~2、脉宽20ns.霍尔测量得到的表面空穴浓度达3.3 × 10~(19)-8.7 ×10~(20)/cm~3,红外等离子共振极小测量结果与之相符.电子衍射实验观察到注入无定形层经激光退火后再结晶的单晶衍射花样. 另外,也报道了用激光合金化在N型和P型体GaAs材料上制备欧姆接触的结果,所得到的比接触电阻比通常热合金化的比接触电阻略低,其表面形貌也比热合金化的好.     

p—GaP与Au／Zn／AuSb的欧姆接触

用 SEM,AES 和 XRD 研究了 Au/Zn/AuSb 多层金属结构与 p-GaP 在525℃合金化4min 后,它们所形成的金属一半导体层的基本特性。当 GaP 的 p 型层空穴浓度是5×1.0~(18)cm~(-3)时,测量出它的比接触电阻是4×10~(-4)Ω·cm~(-2)。它比 AuZn 合金所形成的比接触电阻降低了一个数量级,从而形成了良好的金属-半导体欧姆接触。     

CH3CSNH2/NH4OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器

引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.     

CH3 CSNH2/NH4 OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器

引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.     

低p-GaN欧姆接触电阻的研究

利用低压MOCVD系统,获得了p-GaN和p-InGaN/GaN超晶格结构2种材料,用圆形传输线模型(CTLM)测量了它们的比接触电阻率,并对表面处理、金属沉积和合金化处理的工艺条件进行了优化,得到了550℃、O2氛围下合金30 min的最佳条件,获得最低的比接触电阻率为1.99×10-4 Ω·cm2.     

Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器

利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT／PZT／BIT，PZT／BIT和BIT层状铁电薄膜，获得了电流密度－电压（I－V）回线和极化强度P－V电滞回线。在这三种结构中，Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100）结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度Ps及矫顽场Vc之间有三种关系，他们与I－V回线及P－V回线的关系相匹配，这种匹配关系使得以I－V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。     

TiO2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性

在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS).用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性.结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高.在300～600 ℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600～800 ℃范围内随温度的升高而降低.     

A compact microstrip fed dual polarised multiband antenna for IEEE 802.11 a/b/g/n/ac/ax applications

A compact microstrip fed dual polarised multiband monopole antenna for IEEE 802.11 a/b/g/n/ac/ax communication based applications is presented. The antenna is circularly polarised in IEEE 802.11 b/g bands while linearly polarised in IEEE 802.11 a/n/ac/ax bands. The asymmetric U-shaped slot in the ground plane of proposed antenna is used to introduce the necessary 90° phase shift between two orthogonal electric field vectors necessary for circular polarisation. The Ω-shaped slot on patch is used to introduce a band elimination notch between the usable frequency bands. The radiation characteristics of the proposed antenna (at 2.4 GHz) can be changed from left hand circular polarisation (LHCP) to right hand circular polarisation (RHCP) by replacing asymmetric U-shaped slot with its mirror image on the opposite side of ground plane. The proposed antenna has a wide impedance bandwidth of 110.8% and can also be used in various applications including worldwide interoperability for microwave access (WiMAX) and IEEE 802.11p standard based V2V (Vehicle to Vehicle) communication.     

M/M/C/m/m排队系统模型的飞机战伤抢修研究

抢修力量配置是飞机战伤抢修复杂系统的核心因素.损伤飞机在抢修系统中的停留时间是进行抢修力量配置的关键指标.首先用排队论的观点,从飞机战伤抢修系统的特性出发,结合对系统榆入过程的分析,得出抢修力量预测模型即M/M/C/m/m排队模型.然后通过对该排队系统状态转移方程求解,计算出损伤飞机在系统停留时间.最后通过实例分析,得出对战伤抢修力量配置的方法.     

Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性

研究了溅射 Ti/ Al/ Ti/ Au四层复合金属与 Al Ga N / Ga N的欧姆接触特性 ,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究 .试验证实 :溅射的 Ti/ Al/ Ti/ Au与载流子浓度为 2 .2 4× 10 1 8cm- 3的 Al Ga N之间在室温下无需退火即可形成欧姆接触 .随快速退火温度的升高接触电阻降低 .快速退火时间 30 s已可实现该温度下最佳欧姆接触 .当工作温度不高于 30 0℃时接触电阻几乎不受温度的影响     

Transient analysis of the MMPP/G/1/K queue

In this paper the transient behaviour of a finite-buffer queue fed by the Markov-modulated Poisson process is studied. The results include formulas for the transforms of transient queue size distribution, transient full buffer probability and transient delay (workload). Computational issues are discussed and numerical samples presented.This material is based upon work supported by the Polish Ministry of Scientific Research and Information Technology under Grant No. 3 T11C 014 26.     

Microstructural analysis of a Au/Pt/Pd/Zn ohmic contact to an AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor

Gold-based ohmic contacts, incorporating Pt, Pd, and Zn layers, to AIGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) have been characterized using transmission electron microscopy (TEM). The metallization was deposited onto a 30 nm graded emitter layer of n-type Al_xGa_1−xAs, which was on a 30 nm emitter layer of n-type Al_0.3Ga_0.7As, with the aim of contacting the underlying 80 nm thick graded base layer of p-type Al_xGa_1−xAs. Metal layers were deposited sequentially using electron beam evaporation and the resultant metallizations were annealed at temperatures ranging from 250-500°C for up to several minutes. A minimum contact resistance of ≈8.5 × 10⁻⁷ Ω-cm² was achieved, which corresponded to the decomposition of ternary phases at the metallization/semiconductor interface, to binary phases, i.e., PdGa and PtAs₂. Long term stability tests were done on the optimum contacts. Anneals at 270°C for up to four weeks in duration produced virtually no change in microstructure, with the exception of some outward diffusion of Ga and As.     

多卫星系统组合导航的可用性分析

在航空应用中,多卫星导航系统组合导航是未来的发展趋势,可用性是航空应用的主要性能要求之一。但是在截止角增大时,GPS单系统的可用性却达不到航空性能标准。针对该问题,对GPS/Galileo/BD组合系统在中国境内的可用性进行仿真分析,与GPS单系统相比,组合系统的可用性相对单系统有所提高,且截止角较大时,仍能达到可用性要求。     

TD-SCDMA/GSM/GRPS双模终端发展分析

首先介绍了双模终端的分类,然后介绍了双模终端的发展策略,最后重点介绍了双模终端在3G网络建设中的作用.     

433/868/915MHz FSK/ASK/OOK无线收发器RF2945

RF2945是RFMicroDevices公司生产的一种单片射频收发芯片,利用该芯片可在433/868/915MHzISM频段进行FSK/ASK/OOK调制和解调。由于RF2945射频收发芯片内含射频发射、射频接收、PLL合成和FSK调制/解调等电路,因而可用于接收和发送数字信号。文中介绍了RF2945的结构原理和主要特性 ,同时给出了RF2945收发器的典型应用电路和使用注意事项