埋入式电阻热特性影响因素正交分析

建立了埋入式电阻的有限元分析模型,在ANSYS平台下对其进行了温度场模拟分析。选取埋入式电阻的电阻功率、电阻表面积、电阻到PCB表面的距离作为影响温度分布的三个因素,采用水平正交表L25（56）设计了25种不同结构参数组合的埋入式电阻,对这25种埋入式电阻进行了有限元分析,得到了25种不同埋入电阻的温升数据,针对温升数据进行了方差分析。结果表明：在置信度为95％的情况下,电阻的电阻功率对温升具有显著影响,电阻表面积和电阻到PCB表面的距离对温升无显著影响,对温升影响由大到小依次是电阻的电阻功率、电阻到PCB表面的距离和电阻表面积。     

埋入式电阻的热特性研究

通过对电阻的热功率、表面积的分析,研究了PCB板中的埋入式电阻的热特性,给出了PCB板中埋入式电阻的温升的解析表达式。计算了埋入式电阻在PCB板中的不同位置的温升情况,详细讨论了多个埋入式电阻的温升与单个电阻温升的关系,得到了计算具有多个埋入式电阻的PCB板的温升的方法。在设计PCB板时,大功率埋入式电阻应安排在板的中部,埋入式电阻的相互距离要分散并远离PCB板表面。     

埋入电阻式多层印制板的研制

本研究了埋入电阻式多层印制板的制作工艺,重点讨论了电阻设计、网印工艺、电阻浆料后固化工艺以及多层板的后续加工工艺对阻值的影响。通过试验掌握了电阻浆料的阻值变化规律,解决了埋入电阻式多层印制板制作过程当中的重要难题,对今后埋入电阻式多层印制板的批量生产有重要的指导意义。     

埋入式电容、电阻技术之探讨

就各种埋入式电容和电阻材料特性以及相应制程分别做出比较,并指出设计工具以及测试方法等需要继续改进,但埋入无源元件的应用前景将更加广泛。     

高密度基板埋入电阻胶的开发

概述了聚合物厚膜胶和聚合物厚膜电阻器的开发,适用于制造高密度元件安装和元Pb化焊接用的埋入电阻型印制板。     

不同叠层结构印制电路板散热性能研究

运用有限元数值分析法对三种PCB散热结构,分别是芯片下方的PCB中埋置铜块(PCB-II型)、PCB底部压合铜板(PCB-III型)、PCB中间加入导热铝层(PCB-IV型)进行稳态、瞬态热分析、热阻分析以及不同对流系数下的热分析,并与不经过散热处理的PCB参照组(PCB-I型)进行对比。结果显示:在稳态和瞬态热分析中,II型、III型、IV型较参照组PCB-I型板面最高温度分别降低了3.22,9.66,7.86℃,其中III型升温幅度最平缓,II型与III型在10~30 s温度差距小,在30 s后逐渐拉大;在改变对流系数时,III型散热效果最好,而II型随着对流系数增加散热效果趋近于IV型。     

叠层CSP芯片封装热应力分析与优化

对四层叠层CSP（SCSP）芯片封装器件,采用正交试验设计与有限元分析相结合的方法研究了芯片和粘结剂——8个封装组件的厚度变化在热循环测试中对芯片上最大热应力的影响．利用极差分析找出主要影响因子并对封装结构进行优化。根据有限元模拟所得结果．确定了一组优选封装结构,其Von Mises应力值明显比其它组低,提高封装器件的可靠性。     

一种自适应电阻式触摸屏控制器的设计

提出一种电阻式触摸屏控制器的设计方案。针对电阻式触摸屏x,Y向总电阻存在型号差异和个体差异的特点,为了避免传统测量方法中人工确定触摸屏阻值参数的问题,提出一种x,Y向总电阻的测量方法。该方法通过软硬件的配合,自动测量触摸屏x,Y向总电阻,实现针对不同型号或个体触摸屏的自适应压力电阻计算。该方法适用于已封装好的电子产品,可避免产品组装前对触摸屏的测试工作,有效地节约产品的开发成本和生产时间。     

孔电阻变异影响因素分析

目前市场上越来越多的客户要求进行低电阻高绝缘的电子测试,这类PCB中,部分PCB线路不单是导线同时还是信号线,线路的阻值变化会造成信号的延滞和衰减,引发功能性问题。本文主要介绍了孔电阻的测试原理,通过对影响孔阻值变化的因素进行分析验证,并逐个分析论证,最终定位问题根源之所在。     

一种埋入式腔体的低RCS载体外形设计

根据腔体目标在较大方位角内有较强散射的特点,提出了包覆腔体载体的设计要求。设计了大后掠扁平式后段收尖的载体初步方案。通过头部边缘锐化、头部边缘后掠角增加和对尾部边缘渐变半径处理,获得了符合载体设计期望的“凹坑式”雷达散射截面（RCS）随方位角曲线分布。研究结果显示,在水平极化时,尾部边缘采用渐变半径圆弧过渡曲面可以有效降低边缘散射在入射方向的回波,而在垂直极化时却增强了表面波回波强度。     

Effect of nitridation on the electrical properties of W:Ti resistors

The electrical properties of tungsten-titanium (W:Ti) thin film resistors sputtered in an argon-nitrogen atmosphere were investigated. The resistivity ρ and the thermal coefficient of resistivity α were calculated as a function of film thickness and nitrogen content. A bulk resistivity of 70±4 μΩ-cm and the mean free path λ_o), of 0.8±0.1 μm were obtained for samples sputtered without nitrogen. The authors believe this to be the first report for the value of the λ_o in sputtered W:Ti. By appropriately controlling the nitrogen content during sputtering, it is possible to vary the value of α from positive to negative. It was found that α decreases with the nitrogen content and is zero at 0.5% N₂. This added degree of freedom in controlling α allows the integrated circuit designer to compensate the thermal effects within a circuit by customizing the resistor parameters without significant layout modifications.     

基于灵敏度分析的主轴热特性有限元模型修正

提出了一种基于灵敏度分析的模型修正方法。以某机床厂高精度磨床主轴系统为研究对象,通过有限元法仿真主轴系统温度场,结合试验测得几个关键测量点的实测温度,推导出修正边界条件的灵敏度矩阵,并反求出待修正参数的优化值,修正该主轴系统的热特性有限元模型。试验结果表明,基于灵敏度分析的模型修正方法经过4次迭代就能收敛到最优值,且经修正后的模型参数能使仿真的温度场最大误差从1199%减小到288%。     

热容模式下片状激光介质瞬态温度及热应力分析

为了研究激光介质热畸变对固体热容激光器的影响,数值计算了高功率激光二极管阵列抽运片状激光介质的瞬态温度场和热应力分布。结果表明,在相同的抽运功率密度下,激光介质中的温度分布和热应力分布不仅与激光介质几何构型及抽运光空间分布有关,还与抽运光斑在介质表面的填充因子密切相关。当抽运光斑未充满激光介质时,介质的表面靠近边缘处会出现大的拉应力集中,并且介质表面的最大轴向位移和最大拉应力随光斑填充因子增大而增大;而当抽运光充满介质时,表面是压应力,较小的拉应力存在于介质内部。     

激光线源宽对铝管中温度场的影响

用有限元方法数值模拟了脉冲激光作用于铝管时产生的温升情况,比较了激光线源宽对温度场的影响,结果表明;相同激光能量情况下线源越窄温升会越高,但除激光作用区域外在径向和周向的热扩散有效长度不变.     

LCOS显示芯片像素单元热分析

热分析技术是LCoS芯片可靠性设计的关键所在,通过使用有限元分析软件ANSYS建立了LCoS芯片像素单元的有限元模型,严格模拟了LCoS显示芯片工作时像素单元内部的热场分布情况,实验结果为LCoS芯片及其应用系统的热设计提供了重要的数值依据.     

微尺度BGA焊点拉伸过程有限元仿真分析

建立了微尺度 BGA焊点拉伸有限元分析模型,研究了拉伸加载条件下焊点高度、直径和焊盘直径对焊点拉伸应力应变的影响。结果表明：拉伸条件下,微尺度 BGA焊点顶端和底端的应力应变要大于焊点中间部分,焊点顶部和底部位置为高应力应变区域;在只单一改变焊点高度、直径和焊盘直径其中之一的前提下,随着焊点高度、直径和焊盘直径的增加,微尺度BGA焊点内的最大应力应变均相应减小;在置信度为90%的情况下,焊点直径对拉伸应力影响最大,其次是焊盘直径,最后是焊点高度;焊点直径对焊点拉伸应力具有显著影响,焊盘直径和焊点高度对焊点拉伸应力影响不显著。     

Analysis of Si/GaAs Bonding Stresses with the FiniteElement Method

在考虑材料热膨胀系数随温度变化后，采用有限元方法结合ANSYS软件对Si/GaAs键合热应力进行了分析，研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布. 同时提出了新的键合结构以减小热应力的影响，计算结果证明了该结构的有效性.     

用有限元方法分析Si/GaAs的键合热应力

在考虑材料热膨胀系数随温度变化后,采用有限元方法结合ANSYS软件对Si/GaAs键合热应力进行了分析,研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布.同时提出了新的键合结构以减小热应力的影响,计算结果证明了该结构的有效性.     

功率型白光LED封装的热分析

应用有限元方法研究了一种典型的白光LED封装结构的温度场、光波电磁场及热应力场的分布规律,分析结果表明:对支架式封装的功率型LED系统,当达到热稳态平衡时,在芯片上的温度达到最高,环氧透镜顶部表面的温度最低,对1 W功率芯片,在自然冷却时最高点与最低点温度差为5.4℃,在强制风冷时最高点与最低点温度差为2.5℃.LED温度场分布对光波电磁场有影响,芯片温度越高其发光强度下降也越快;温度引起的热应力主要集中在芯片附近,芯片与基板之间的焊料处也存在较大的应力.     

红外焦平面探测器热应力的有限元仿真方法分析

以64×64红外焦平面探测器为例,构建了包含探测器芯片、铟柱、填充胶和读出电路的全尺寸有限元仿真模型,与探测器芯片、填充层和读出电路的简化模型进行对比。研究表明,两种模型在芯片热应力的变化趋势上保持一致。由于铟材料与碲镉汞材料之间的热膨胀系数相差较大,随着芯片尺寸的增大,铟柱的影响逐渐增加,填充层简化模型计算得到的芯片热应力与全尺寸模型的热应力的差距会越来越大。