美国制造出新型碳纳米晶体管

美国科学技术人员最近制造出电子迁移率比现有半导体材料高25％，比硅晶体管高70％的碳纳米晶体管，该碳纳米管成为新一代功能更强大、尺寸更小的电子产品。半导体碳纳米管在室温下传输电流的能力好于任何已知的其他物质，用它可制造比以往更好的晶体管，这一发现是纳米管能够成为新一代功能强大的电子产品基础的最新证据。     

具有石墨烯辅助导电层的碳纳米管射频场效应晶体管

采用纯度高于99%的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管。采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触,降低器件的寄生电阻和寄生电容,提高器件的高频性能。实验制备的碳纳米管射频晶体管沟道长度为90nm左右,电流增益截止频率f_T达到13.5GHz,最大振荡频率f_(max)达到10.5GHz,体现了碳纳米管在射频器件应用领域的技术潜力。     

用碳纳米管制成单一电子晶体管

日本产业技术综合研究所和富士通研究所用碳纳米管制成单一电子活动的单一电子晶体管 ,比用硅制成的纳米管更加小型化 ,对开发耗电少、高集成电路元件非常重要。据有关资料报道 ,原子在硅酸化物基片上可以自然成形 ,这种现象被称为“自组织化” ,产业技术综合研究所的松本和彦研究员利用这一原理制成碳纳米管 ,然后在纳米管两端和中间安装电极 ,经确认具有晶体管功能 ,里面仅可通过一个电子。电子通道的纳米管直经为 2nm ,在超低温的情况下也不受任何影响 ,仍可以成为单一电子通道用碳纳米管制成单一电子晶体管     

日本开发出具有电流放大作用的钻石晶体管

钻石作为半导体材料具有最好的绝缘耐压性能和最高的热传导率,但钻石的电阻非常大,限制了其应用。日本产业技术综合研究所的研究人员在钻石中掺进杂质,解决了这一问题,首次制成了双极型晶体管,为研制节能半导体元件开辟了新道路。     

STV250N55F3:250A功率MOSFET

意法半导体推出250A表面贴装的功率MOSFET晶体管。新产品STV250N55F3整合ST PowerSO-10封装和引线带楔焊键合技术,无裸晶片封装的电阻率极低。采用ST的高密度STripFETⅢ制程,典型导通电阻仅为1.5mΩ。     

国内市场

我国碳纳米材料研究新进展 我国科学家对碳纳米材料的研究水平已跃居世界前列。据中科院金属研究所副所长成会明介绍,我国近年来在碳纳米材料研究领域取得了一系列具有国际影响的重要成果,其中最引人注目的是对碳纳米管研究取得的成就。 碳纳米管是由碳原子组成的从一层到几十层不等的同轴圆管,直径可以小到一个纳米,相当于头发的五万分之一,可广泛用于生物、半导体、信息和通信、医学与健康等领域。结构不同的碳纳米管可以具有金属的导电性,也可以具有半导体的性能,有时也可能在同一碳管上既具有金属的性质又具有半导体的性质,就像钻石和石墨两种物质都由纯碳构成,性质却有天壤之别。     

日本用钻石制成双极晶体管 可放大电流降低能耗

钻石作为半导体材料具有最好的绝缘耐压性能和最高的热传导率,但钻石通常电阻非常大,限制了其应用。日本研究人员在钻石中掺进杂质解决这一问题,首次制成了双极型晶体管,为研制节能半导体元件开辟了新道路。日本产业技术综合研究所近日发表公报说,钻石半导体材料的绝缘性决定     

一种基于半分析法的HEMT小信号参数的提取方法

提出了一种基于半分析法的高速电子迁移率半导体晶体管小信号模型的提取方法.此方法是用测试结构的方法来提取焊盘电容和寄生电感,半分析法来提取寄生电阻,提高了寄生电阻的提取精度.在频率高达40 GHz的范围内,多偏置情况下模拟的S参数和测试的S参数曲线吻合良好,证明这种方法是正确的.     

单模小发散角免键合激光器芯片的研制

传统激光器由于封装键合工艺的要求,需要较大的芯片电极面积,限制了器件尺寸进一步小型化。量子尺寸的衍射效应使量子阱半导体激光器的垂直结平面发散角较大,不利于光束整形,限制了半导体激光器的直接应用。为解决这些问题,采用加入模式扩展层的光波导结构,将垂直发散角由40°减小到22°左右;采用p与n电极同面的脊波导结构,可将激光器同载体直接烧结,无需键合工艺,减小了电极面积,进而缩小了芯片尺寸。25℃,60mA注入电流下进行测试,阈值电流Ith≤10mA,输出功率P约为55mW。     

激光诱导碳纳米管制备石墨烯纳米带及其电学性能分析

通过将纳米管解压缩可以很容易地生产石墨烯纳米带,因为碳纳米管结构可以被认为是卷起的石墨烯筒。这是一种特殊的2D石墨结构,具有出色的性能。应用领域广泛,包括晶体管、光学和微波通信设备、生物传感器、化学传感器、电子存储和处理设备以及纳米机电系统和复合材料。通过扫描电子显微镜（SEM）观察薄膜的形貌,通过拉曼光谱法表征石墨烯的性质,并通过半导体参数测量系统测量薄膜的电导率。拉曼光谱表明,通过优化工艺可以增强石墨烯的拉曼特性。碳纳米管制备石墨烯带的两个重要参数是激光能量密度和辐照时间。在这项研究中,通过准分子激光辐照碳纳米管薄膜来生产石墨烯纳米带。实验结果表明,在150 mJ的激光能量下,观察到连接时碳纳米管没有打开。在450 mJ的能量下,可以有效地破坏碳纳米管,并且使其部分地形成石墨烯带。此时,膜的电导率达到最大值。由于蓄热作用,在碳纳米管壁上出现大量的多孔结构。     

透明电路

透明晶体管将带来全新的电子设备窗户玻璃、汽车前挡风玻璃及眼镜镜片在需要时可以播放视频画面的技术将有可能变成现实。据专业人士预测,利用透明的电极、透明的半导体以及由它们构成的晶体管或电路的"透明电子技术",最早在1年～2年以后就会投入实际应用。     

飞兆半导体推出具有业界最小外形尺寸封装的高集成度数字晶体管为便携式设备带来性能／空间优势

飞兆半导体公司推出两种全新的200mW数字晶体管系列，在目前市场上最小的封装中集成了一个外接电阻偏置网络。FJY30xx（NPN）和FJY40xx（PNP）系列专为开关、逆变器、接口及驱动电路而量身定做，无需外接电阻。这种高集成度减少了元件数目，有助于设计人员节省板空间、降低设计成本、简化电路设计并使到系统性能最大化。此外，线路板空间因采用了表面贴装技术（SMT）进一步得以优化。     

STV250N55F3：250A功率MOSFET

意法半导体推出250A表面贴装的功率MOSFET晶体管。新产品STV250N55F3整合ST PowerSO-10封装和引线带楔焊键合技术,无裸晶片封装的电阻率极低。采用ST的高密度STrip FET Ⅲ制程,典型导通电阻仅为1,5mΩ。STrip-FET Ⅲ其他特性包括：开关损耗低,抗雪崩性能强。除提高散热效率外,九线源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时,封装的额定功率为300W。     

资讯快报

IC与半导体飞兆半导体推出高集成度数字晶体管飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种全新的200mW数字晶体管系列,在目前市场上最小的封装中集成了一个外接电阻偏置网络。FJY30xx(NPN)和FJY40xx(PNP)系列专为开关、逆变器、接口及驱动电路而量身定做,无需外接电阻。这种高集成度减少了元件数目,有助于设计人员节省板空间、降低设计成本、简化电路设计并使到系统性能最大化。此外,线路板空间因采用了表面贴装技术(SMT)进     

新应用

碳纳米管用作OLED电极加拿大研究人员证明,在OLED中使用碳纳米管电极可以比普通ITO设备提高效率70％(Applied Physics Letters 88 183104),可见,碳纳米管电极可代替透明的导体氧化物材料。使用碳纳米管电极还有其他     

SUSS MicroTec推出用于CMOS图像传感器的新型生产用晶圆键合机

<正>全球领先的半导体设备供应商SUSS Mi- croTec于2008年9月9日至11日的Semicon台湾展上,展示新问世的XBC300生产用晶圆键合机,用于CMOS图像传感器(CIS)。参观者现场了解世界首台用于CMOS图像传感器(CIS)生产的晶圆键合机。XBC300专为300 mm晶圆键合设计,用于     

基于硅胶快速吸附的碳纳米管长度分选及其晶体管性能研究

半导体型单壁碳纳米管在分散与分离过程中长度会被截短。在100 nm以下的超短管的存在会增加管间搭接电阻和载流子的散射几率,从而导致器件性能的下降。开发了一种有机体系的硅胶吸附技术。利用硅胶颗粒表面的硅羟基与包裹在碳纳米管表面的聚合物PCz中的N原子形成氢键,成功实现了超短碳管的高效去除,使半导体型碳纳米管的长度分布实现了有效调控。基于长度分选后的碳纳米管制备的晶体管器件,其开态电流和最大跨导达到8.9μA/μm和0.5 mS/μm,比长度未分选的器件分别提高了约300%和250%。     

具有6个十倍程动态范围的对数比率放大器

你可能使用一个ADT7461型单通道温度监控器、一个ADG708型低压低漏电CMOS 8对1多路复用器和三只标准2N3906型PNP晶体管来测量三个独立的远程高温区的温度(图1).多路复用器的电阻RON与三只晶体管有关;通道匹配和电阻RON的平坦度通常都会引起不同的温度偏移.这一系统使用的ADT7461型温度监控器能自动抵消与外部温度传感器串联的电阻,从而可用作多通道温度监控器.电阻自动抵消后,RON平坦度和通道间的变化就不会有什么影响.与印制电路板和连接器相关的电阻也会抵消,使你能将远程温度传感器置放在与ADT7461相距某一距离的地方.本设计无需用户进行校准,所以ADT7461能与多路复用器直接连接.ADT7461型数字温度监控器能测量外部传感器的温度,测量精度为±1℃.远程传感器可能是一个单片式或分立式晶体管,通常与ADT7461上的D+和D-引脚连接.除了远程传感器温度通道之外,ADT7461还有一个片上传感器.     

基于肖特基接触的碳纳米管场效应晶体管

由于具有独特的一维纳米结构、稳定的化学特性和优异的电学性能,单壁碳纳米管被认为是制作高性能电子器件以及下一代纳米电路的理想材料,作为新型基础电子元件的一种,碳纳米管场效应晶体管一直是研究的热点。研究了一种基于非对称肖特基接触的碳纳米管场效应晶体管,金属钯与金属铝分别作为电极材料制作出的碳纳米管场效应晶体管分别表现出p型和n型的导通特性,当这两种金属分别作为源、漏电极制作在单根半导体性单壁碳纳米管的两端时,便构成了非对称肖特基接触结构碳纳米管场效应晶体管。器件表现出了优良的整流特性,整流比达到103,在栅压的调控下,正向电流的开关比接近103。     

韩国半导体产业发展之路

韩国的半导体产业起步于1959年,以晶体管、收音机等消费类电子产品滚动式发展,在短短的30多年间,生产规模已跃居世界第4位,仅次于美国、日本和德国。在1995年,韩国半导体销售额为163亿美元,其中91％的份额来自美国、日本、欧洲以及其它国家和地区。韩国创造的半导体产业奇迹,引起了世界各国的瞩目,随之日韩和美韩的协作关系也发生了变化。韩国的DRAM攻势尽管迅猛,但随着DRAM降价暴露出产品结构单一、产业结构失凋、材料和设备过分依赖进口等诸多问题。这些矛盾因素驱使韩国半导体产业界和著名大型企业制定和执行一种新的全球战略。韩国发展半导体产业的经验和教训,对我国发展半导体产业可能具有某些借鉴意义。