高密度互连印制板电镀填盲孔技术

主要介绍了电镀填盲孔的过程机理和影响填孔效果的因素,重点探讨了电镀设备、电镀参数、添加剂等对电镀填孔效果的影响,突出讲解了电镀填盲孔技术的控制重点和难点等内容。     

HDI印制电路板水平脉冲电镀填孔技术的研究

目前HDI印制电路板盲孔电镀填孔通常是采用水平电镀加垂直连续电镀填孔然后再减铜的方法,该方法工序复杂、耗时长且浪费电镀液。相反采用水平脉冲电镀填孔技术,可以简化工序,不需要减铜,节约了成本。本文主要采用水平电镀+水平填孔的方式实现一阶盲孔填孔,进行正交试验获取最佳的工艺参数,并通过金相显微切片观察和热应力测试来分析盲孔填孔效果。研究结果表明采用优化后参数进行水平电镀填孔,可以实现可靠的盲孔填孔,同时控制Dimple<10 m,超出了IPC标准Dimple<15 m的要求。     

填孔电镀品质可靠性的研究和探讨

填孔电镀是满足PCB高密度化、更小化、更便宜的一种重要途径,随着电子行业和PCB行业的高速发展,填孔电镀的需求量增长迅速,填孔电镀的应用也日广泛,填孔电镀的生产难度也相应增加。填孔电镀是一种新工艺流程,相对普通电镀铜而言,其反应机理复杂,过程控制更难监控,品质可靠性低。本文主要讲述填孔电镀反应机理,并通过DOE试验来探讨如何提升填孔电镀工艺能力和品质可靠性。     

图解电镀铜填孔机理

随着PCB的轻、薄、小及高密互连的发展趋势,电镀铜填孔工艺已得到了广泛的应用,本文根据过程监控切片图,简述填孔电镀作用机理,分别介绍了CEAC、CDA电镀铜填孔机理和孔壁铜完整性对电镀铜填孔的影响,以期加深广大PCB业者对盲孔电镀铜填孔工艺的了解。     

填孔电镀光剂研究进展

文章简述了填孔电镀的机理模型,分析了光亮剂、整平剂和载运剂的作用及失效机制,以期加深广大PCB业者对盲孔填孔电镀技术的了解。     

新型HDI盲孔填孔电镀铜技术

高密度互连(High Density Interconnect Board,HDI)印制电路板的盲孔电镀铜技术是其孔金属化实现电气互连的难点和关注重点,为此,在目前传统盲孔电镀铜技术和盲孔脉冲电镀铜技术的基础上,提出一种新型的电镀铜填孔技术,通过填孔工艺特定的镀铜添加剂,在传统盲孔电镀铜的技术上改变表面和盲孔的电流效率...     

不同电镀参数组合对电镀填孔效果影响研究

电镀填孔存在填孔爆发期,即在填孔爆发期内盲孔底部和面铜的电沉积速率之比逐渐达到最大值,其中电流密度对填孔爆发期以及爆发前后盲孔内外铜层的电沉积速率变化有较大影响,若能了解其规律可帮助优化电镀参数,以期望缩短电镀填孔时间,获得较好填孔效果。在不同电流密度及盲孔孔径下,电镀填孔不同时期(初始期、爆发期、末期)持续时间以及填孔过程中盲孔底部、面铜电沉积速率的变化规律,并在不同填孔时间段内使用不同电镀参数进行电镀填孔。研究表明:在电镀填孔不同时期采用不同电镀参数组合,能缩短电镀填孔时间,获得较好盲孔填平效果。     

微孔电镀填孔技术在IC载板中的应用

电子产品朝更轻、更薄、更快方向发展的趋势,使印制板在高密度互连技术上面临挑战。微堆叠孔技术是一种用来产生高密度互连的方法。通常树脂、导电胶和电镀铜都可以用来进行填孔,比较其它的方法,电镀填孔技术工艺流程短、可靠性高,该文讨论不同电镀设备、操作条件和添加剂条件对填孔效果的影响。     

添加剂在电镀填微盲孔不同阶段作用机理研究

通过研究新一代填孔药水的填孔过程,验证了分阶段式的电镀填微盲孔过程。在此基础上,采用控制断电流法着重研究了填孔过程前两个阶段添加剂对电镀填孔的作用情况。结果发现,在填孔起始期断电流对填孔品质的影响要大于在爆发期内断开电流,且不同的断电流持续时间对填孔影响有较大差异。文章从添加剂作用的角度分析了引起填孔差异的原因,加深对电镀填孔不同阶段添加剂作用机理的理解。     

VF添加剂在电镀填孔中的应用

主要介绍VF填孔添加剂在电镀填孔中的应用,包括工作原理、流程设计、工艺参数、．电镀效果和影响填孔效果的因素。     

填孔电镀盲孔微蚀分界线成因浅析

随着PCB的轻、薄、小及高密互连的发展趋势,电镀铜填孔工艺已得到了广泛的应用,同时也伴随产生一些普通电镀未有之现象,本文主要介绍其中的一种,填孔电镀盲孔切片中孔内分界线的形成原因。     

电镀填孔超等角沉积(Super Filling)影响因素探讨

超等角沉积在电镀填充盲孔过程中扮演重要角色,其主要通过添加剂作用加速盲孔底部并抑制面铜及孔口电沉积速度,形成超等角沉积模式以最终达到盲孔填充。本文通过与生产制程相结合,对电镀填孔过程中影响超等角沉积的因素进行探讨,主要包括形成超等角沉积过程中添加剂作用机理、盲孔厚径比、孔型以及喷流量等影响因素。     

电镀铜导通孔填充工艺

概述了MacDermid利用电镀铜微盲导通孔填充工艺,可以防止焊接时的孔隙,洞生成和组装时的释气(爆孔),显著的改善了微盲导通孔填充的可靠性。     

Copper electroplating into deep microvias for the “SiP” application

In order to anticipate the further demands of miniaturization and integration of “System-in-Package”, the technology of 3D through-silicon-vias (TSVs) has been developed at NXP Semiconductors. The sputtering and the electroplating have been chosen for realize respectively a copper seed layer and a thick copper deposition inside 75 μm wide and hundreds micrometer deep microvias. The microvias, for an aspect-ratio (AR) up to 2.3, can be successfully covered by a sputtered 3 μm thick copper layer. To achieve a thick microvia filling, the pulsed current is preferred and a perpendicular electrolyte flow is critical. With an 11 μm thick patterned photoresist mask on the field, the 75 μm diameter and 180 μm deep microvias can be more-than-the-half filled using the “superfilling” recipe when the field depositing layer reaches the mask level. Such partially filled microvias exhibit excellent electrical resistances within the range of 4 mΩ.     

导通孔填充镀铜技术

概述了导通孔填充镀铜技术的应用和工艺条件,贯通孔填充和Si贯通电极（TSV）填充等其它的填充镀铜技术和今后的展望。     

AOI技术在激光微孔产品检查中的应用

在过去几年里,小型PCB诸如硅芯片级以及便携式移动电话的生产者和设计者们已经发现:如果要保持自己的竞争力并具备生产高密度封装板能力,就必须采用微孔技术。微孔技术的出现要求针对微孔缺陷的有效检测手段对工艺进行过程控制。本文对激光微孔的自动光学检测进行了详细介绍。     

通孔电镀铜填孔浅析

电子产品朝更轻、更薄、更快方向发展的趋势,使印制电路板在高密度互连技术上面面临挑战。微堆叠孔技术是一种用来产生高密度互连的方法。通孔的填充介质目前主要有三种,分别为导电膏、树脂、纯铜。比较此三种填充方式,纯铜填孔技术工艺流程短,可靠性高。该文介绍了通孔填孔的反应机理,并论述了通孔填孔电镀技术的优势。