真空电弧沉积薄膜显微硬度与工艺参数的关系

测试了各种工艺条件下真空电弧沉积 (VAD)的TiN薄膜的显微硬度 ,并研究了TiN薄膜硬度随基材、电弧电流、基片温度、氮气压力及负偏压的变化。实验结果表明 :在多数基材上 ,薄膜硬度均接近或超过 2 0GPa ,且薄膜的硬度与基材的硬度不呈比例关系 ,TiN薄膜的硬度随电流的增加有减少的趋势 ;在相当宽的温区内 ,TiN薄膜的硬度随温度上升而增大 ,而且在高温下的硬度值比低温时稳定 ,总体上 ,VAD比其它离子镀具有更宽阔的T区 ;在氮气压力为 0 .1Pa～ 1Pa的区域内 ,TiN薄膜的硬度稳定在 2 0MPa以上 ,而且适当的负偏压有利于提高TiN薄膜的硬度。     

碳离子束注入辅助蒸发低温沉积DLC薄膜研究

采用碳离子束注入辅助蒸发技术低温沉积了DLC薄膜,对薄膜沉积的工艺参数进行了优化,并对该薄膜的摩擦学行为进行了探讨。研究发现:碳离子束注入辅助蒸发技术沉积的DLC薄膜在离子量为3.0×1017ions/cm2,沉积率为0.1nm/s时具有最小的摩擦因数(<0.1);电流为2.0mA比3.0mA条件下所沉积的DLC薄膜表面光滑;磨损试验后,DLC薄膜的表面只有轻微磨损的痕迹。     

高速钢表面真空电弧沉积ZrN薄膜的组织与性能研究

通过试验研究了在高速钢表面真空电弧沉积ZrN薄膜的组织与性能 ,分析了真空度和偏压条件对ZrN薄膜显微结构及性能的影响     

真空电弧离子镀ZrN涂层的工艺与性能

采用真空阴极电弧离子镀在不同基体材料上镀ZrN涂层,试验研究了ZrN薄膜的沉积工艺与性能,分析了基体偏压和沉积真空度对ZrN薄膜显微结构与性能的影响。XRD结果表明,随着偏压升高和炉底真空度的降低,ZrN（111）衍射峰逐渐增强,而（200）衍射峰逐渐减弱;炉底真空度降低,试样表面液滴状况明显变好。     

多弧离子镀技术的发展与应用

本文简述了离子镀技术的发展；、方法及特点，着重介绍了多弧离子镀技术的发展与应用。     

脉冲激光真空弧薄膜制备技术

本文首先介绍了脉冲激光蒸发沉积以及真空弧沉积技术，在此基础上对激光真空弧技术的原理、特点、研究现状及应用进行了文献综述。可以预测，激光真空弧技术在薄膜材料科学与技术以及工业生产中必将具有广阔应用前景。     

脉冲多弧离子镀制备类金刚石薄膜的力学特性

利用脉冲多弧离子镀技术在硅基底上沉积类金刚石薄膜。分析了类金刚石薄膜的硬度和工艺参数的关系 ,讨论了薄膜的耐磨性和化学稳定性。     

高能离子束辅助沉积制备钛纳米膜

用离子束溅射沉积和高能离子束辅助沉积方法制备了具有择尤性的钛纳米薄膜,并采用原子力显微镜、X射线衍射仪和俄歇电子谱仪研究了试样表面预处理、离子束流和温度等离子束工艺参数对钛薄膜结构的影响。结果表明：离子束溅射沉积的钛膜在[002]和[102]晶向上呈现出明显的择尤生长现象,并分别在该两个晶向上表现出纳米晶型和非纳米晶型结构;当用高能离子束辅助沉积时,[102]晶向择尤生长现象消失,且钛膜的结构对束流变化较为敏感,束流较低时,钛膜为纳米结构且择尤生长现象减弱,而束流增加时晶粒长大,择尤生长现象叉增强。另外钛膜容易受到氧的污染,并随辅助离子强度增加而增强。     

物理气相沉积法沉积类金刚石膜时触发电路的设计

在物理气相沉积过程中,触发真空间隙是整个试验过程中最基本的一步,很多因素影响真空间隙的成功触发,本文对此加以讨论,并提供一个合适的触发电路.     

过滤式阴极电弧沉积类金刚石薄膜的碳弧稳定性研究

介绍自行研制的一套过滤式阴极电弧沉积设备,并以石墨作为靶材进行类金刚石薄膜的沉积研究,碳弧本身的惰性限制了电弧的稳定性。电弧电压,磁场等对弧的稳定性有很大的作用。试验得到表面光滑的类金刚石薄膜,并对其进行了形貌分析。     

无氢类金刚石薄膜的过滤式阴极电弧沉积

研制了一套过滤式阴极电弧沉积设备 ,并利用该设备成功地获得了类金刚石薄膜。扫描电镜分析表明 :获得的薄膜在硅基片上是光滑和致密的。喇曼光谱研究表明 ,这种薄膜是典型的无氢类金刚石薄膜。膜层的摩擦试验表明 :无氢类金刚石薄膜的摩擦系数较低 ,是一种理想的耐磨材料     

离子束辅助磁控溅射沉积铬-铜-氮薄膜的结构与性能

应用低能离子束辅助磁控溅射（IBAMS）沉积铬-铜-氮薄膜,研究了铜含量和轰击能量对薄膜结构、硬度和断裂韧度的影响。结果表明：在相同的轰击能量（400eV）下,铜含量对薄膜结构和硬度的影响不明显,但是铜的加入有利于提高薄膜的断裂韧度;离子辅助轰击能量从400eV增加到800eV时薄膜的结构发生了显著变化,断裂韧度和硬度均大幅度提高。     

分散剂对电泳沉积制备碳纳米管薄膜形貌和场发射性能的影响

采用丙酮、异丙醇、丙酮/无水乙醇混合溶液3种不同的分散剂,利用电泳沉积法在硅基底上制备了碳纳米管(CNTs)薄膜;采用超景深光学显微镜和电子显微镜观察了不同薄膜的表面形貌,并在高真空中对碳纳米管薄膜阴极进行了场发射特性测试。结果表明:以异丙醇作分散剂制备的CNTs薄膜表面均匀连续,场发射性能较好,开启电场和阈值电场分别为0.188V.μm-1和2.8V.μm-1。     

沉积温度及膜厚对离子镀银膜结构及摩擦学性能的影响

采用离子镀在不锈钢和45钢基体表面低温沉积银薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和真空摩擦试验机对低温沉积银膜的晶体结构、表面形貌和摩擦学性能进行了研究.结果表明:银膜的择优取向度随着沉积时间的延长和基体温度的降低具有明显变化;在-147℃沉积6 min条件下制备的银膜为表层具有(200)择优取向及底层为(111)择优取向的双层结构;银膜在载荷较高时也有较好的摩擦学性能.     

分子沉积膜的纳米压痕试验

制备了金衬底表面上的分子沉积膜，用原子力显微镜观测了其表面形貌；用纳米压痕仪研究其纳米力学特性。结果表明，沉积一层膜后衬底表面的弹性模量、硬度都减小，而且弹性变形增加，塑性变形减小，从而证明膜改善了金衬底的力学特性。