凌力尔特公司微型运算放大器

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出低噪声、高精度CMOS运算放大器系列的最新成员LTC6244。LTC6244采用了独特的架构，具有8nV／√Hz的低噪声和仅为2．1pF的输入电容。除最小的电压增益误差外，LTC6244还具有卓越的DC精度。在25℃条件下，它具有1pA的偏置电流和低于100uV的输入失调电压。偏压漂移保证低于2．5uV／℃，     

一种专用宽带低噪声前置放大器

描述了一种专用双极单片宽带噪声前置放大器。该放大器的开环增益60dB－3dB带宽2．5MHz,等效输入噪声电压1．6V√Hz。     

一种高增益低噪声滤波放大器的设计

介绍一种增益高达90dB的低噪声滤波放大器的电路设计及其版图设计实现。     

低噪声运算放大器噪声分析

研究了如何从电路结构上减少运算放大器的噪声，以一种低噪声运放为例。着重介绍输入级设计。并借助计算机分析选择合适的输入器件尺寸。最后通过对运放噪声的仿真验证，得到了满意的结果。     

一种高增益低噪声滤波放大器的设计

介绍一种增益高达90dB的低噪声滤波放大器的电路设计及其版图设计实现。     

一种基于BiFET工艺的高输入阻抗运算放大器

针对CMOS运算放大器存在的输入失调电压高、噪声性能差等问题,提出了一种基于双极结型场效应晶体管(BiFET)工艺的高输入阻抗运算放大器。采用P沟道JFET差分对作为输入级,实现了pA量级的极低输入偏置电流/失调电流和nV/Hz量级的极低输入噪声电压谱密度。采用双极晶体管构成的共集-共射增益级和互补推挽输出级,实现了100 dB的开环增益、10 V/μs的输出电压转换速率和10 MHz的带宽。该运算放大器适用于对微弱模拟信号的采集和放大。     

运算放大器参数误差分析及设计应用

本文就输入失调电压、输入失调电流、输入偏置电流参数对运放输出误差产生的原因及影响进行了分析,并结合具体实例,说明克服以上参数对运放不良影响所采用的方法。     

基于偏流补偿的低失调运算放大器的设计

基于双极型工艺,设计了一种具有低输入失调电压、低输入偏置电流的运算放大器。电路结构包含偏置电路、差分输入级电路、中间级电路和输出级电路。差分输入级电路采用共射-共基耦合对,能够降低失调电压,并且采用基极电流补偿结构抵消输入偏置电流在外围电路上所产生的影响,提高电路精度。中间级为整个电路提供增益,并且将双端输入信号转换为单端输出信号。输出级电路为AB类输出级,具有低静态功耗,能够提高电路效率,增大电路带负载能力并为负载提供更多功率。电路采用齐纳修调技术,在封装后对芯片进行修调,避免封装后引入的二次失调。流片后测试结果表明：在±15 V电源电压条件下,输入失调电压≤10μV,输入偏置电流≤3 nA,输入失调电流≤1.5 nA,大信号电压增益≥110 dB。     

一种高精度低噪声运算放大器设计北大核心

设计并实现了一种高精度低噪声运算放大器。提出了一种基极电流消除技术，补偿了输入对管基极电流，有效地降低了运算放大器的输入偏置电流，从而能够通过提高输入对管的集电极电流来减小输入噪声电压，实现了较低的运算放大器总等效输入噪声。同时，采用集电极-发射极电压补偿电路，消除了厄利效应的影响，提高了电路精度。电路采用36 V互补双极工艺流片，测试结果表明，芯片的失调电压为6.94μV,在1 kHz下的电压噪声密度为■,电流噪声密度为■。     

X0044低噪声精密运算放大器

本文简要介绍了国内外低频低噪声半导体器件和集成电路的一些情况;着重描述了我们研制X0044运算放大器所采用的降低1/f噪声的优化电路设计和工艺。研制出的样品,其低频噪声≤30nV(Hz)~(1/2)~(1/2),接近国外同类电路水平。     

一个低噪声轨到轨输入输出范围的运算放大器

设计了一个轨到轨输入输出范围的低噪声运算放大器.在输入级采用电流补偿的方法来稳定该运算放大器在整个输入共模范围内的跨导,在输出级使用AB类的输出方法来提高运算放大器的输出范围,并运用双极晶体管比较低的闪烁噪声来改善该运算放大器的噪声性能,以此提高该运算放大器的动态范围.     

一种低功耗宽带低噪声放大器

设计了一种应用于无线传感网的低功耗宽带低噪声放大器。通过使用电容交叉耦合的共栅放大器结构来提高增益,同时实现宽带输入阻抗匹配。运用PMOS和NMOS层叠结构实现电流复用,降低了功耗。该低噪声放大器采用0.18 μm SMIC CMOS工艺设计。后仿真结果表明,该放大器在1.8 V电源供电下的功耗仅为0.712 mW,在3 dB带宽0.043~1.493 GHz范围内的峰值增益为20.44 dB,最小噪声系数为4.024 dB,输入3阶交调点为-3.73 dBm。     

一种低功耗双频段低噪声放大器

基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计并实现了一种双频段低噪声放大器(DB-LNA)。在输入级中,采用了2个LC并联谐振网络串联结构,结合PMOS管的源极负反馈电感,实现了DB-LNA在双频段的输入阻抗匹配。在放大级中,采用CMOS互补共源放大结构和电流复用技术,在提高系统增益的同时,实现了DB-LNA的低功耗。在输出级中,采用NMOS晶体管作电流源的源跟随器,对信号电压进行缓冲,实现了输出阻抗匹配。利用ADS进行仿真验证,结果表明,该低噪声放大器在1.9 GHz和2.4 GHz 2个工作频段下,其增益(S₂₁)分别为26.69 dB和20.12 dB;输入回波损耗(S₁₁)分别为-15.45 dB和-15.38 dB;输出回波损耗(S₂₂)分别为-16.73 dB和-20.63 dB;噪声系数(NF)分别为2.02 dB和1.77 dB;在3.5 V的工作电压下,静态功耗仅有9.24 mW。     

运算放大器的低频噪声测试方法

运算放大器广泛应用于电路设计中,其可靠性指标直接影响电路系统的性能.运放器件的低频噪声特征同其性能及可靠性指标密切相关.本文中详细给出了运放器件低频噪声的测试方法并对测试过程中的若干关键问题进行了深入剖析.     

低噪声高单位增益带宽双极型运放设计

设计了一款低噪声、高单位增益带宽的运放电路。该款电路基于0.25μm SiGe双极工艺,采用三级级联的形式,输入级选取多个双极型晶体管(BJT)并联,用作差分对管,以抑制噪声;中间级不但用pnp型BJT镜像电流源作为有源负载,而且并联多个横向pnp型BJT用以提升单位增益带宽;输出级则设计成低电容输入和低电容输出方式,借此拓展带宽。对所设计的运放电路进行了PSPICE仿真及硬件电路实验。结果表明,当电源电压为2.5 V时,运放电路的实测交流开环电压增益为80 dB,开环相位裕度为61.5°,单位增益带宽为203 MHz,在10 kHz处的输入电压噪声密度仅为1.2 nV/Hz~(1/Hz),因而可用于低噪声、高单位增益带宽的片上相位噪声测量电路和微波功率传感器等系统的设计中。     

Ka频段低噪声HEMT放大器

Ｋａ频段低噪声ＨＥＭＴ放大器王军贤，方胜，戚友芹（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＫａ－ｂａｎｄＬｏｗＮｏｉｓｅＨＥＭＴＡｍｐｌｉｆｉｅｒ￥ＷａｎｇＪｕｎｘｉａｎ；ＦａｎＳｈｅｎｇ；ＱｉＹｏｕｑｉｎｇ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃ...     

低噪声功率放大器设计

设计了一种满足全双工通信模式的功率放大器。重点介绍了降低输出噪声的设计方法,对分析指标进行了计算;同时对功率放大器热保护电路进行描述;最后给出了测试结果,满足了设计指标要求。该功率放大器已应用于某全双工通信设备且工作良好。     

Ka波段宽带低噪声放大器研究

采用两级宽带单片集成放大器（MMIC）级联，并用微带功率均衡器对放大器的平坦度进行修正。最终实现的Ka波段全频段低噪声放大器的性能——频率范围：26．5—40GHz，增益：30dB，增益平坦度：〈5dB，噪声：≤4．5dB，输入输出端1：2驻波：≤2．2，1dB压缩点功率〉7dBm。