雪崩晶体管在半导体激光器电源中的应用

介绍一种可用于半导体激光器的纳秒脉冲驱动电路。利用晶体管的雪崩效应,通过两级雪崩晶体管阵列,得到8ns,5A的大电流窄脉冲。大电流窄脉宽驱动电源是半导体激光器获得高峰值功率输出的重要保证。     

雪崩管纳秒脉冲发生器

在对电子电路的测量中,经常需要提供一种具有快速上升、下降时间且宽度可调的钟形脉冲作为测试脉冲。纳秒(10~(-9)s)脉冲就是其中一种,它的产生可由许多方法实现,本文介绍运用雪崩晶体管产生脉冲的方法.     

半导体激光测距机关键技术

早期的半导体激光器存在着诸如闭值电流过高、光电转换效率低以及无法连续工作等缺点,致使半导体激光测距技术的研究进展很慢。直至20世纪80年代中期才陆续解决其中的关键技术,90年代中期,各种成熟的产品不断出现,至今,激光器件、光学系统、窄脉冲接收、精确时间测量等关键技术又获得进一步完善,在中、短程激光测距方面有取代YAG激光的趋势。就半导体激光测距机关键技术做详细的介绍,并在此基础上介绍如何选择激光测距方法。     

准分子激光器触发监控系统

文中从雪崩晶体管的雪崩特性和击穿理论出发，设计并实现了五路时间相关联的高压毫微秒脉冲源。     

大电流半导体激光器驱动电源的研制

文章叙述了对大电流半导体激光器驱动电源的研制过程.其电源输出直流电流高达数十安培以上;拥有高电流稳定度、低波纹系数、高功率因数和高电效率的特性;拥有完备的保护电路系统,严格控制过冲和电流突变.对于发生故障和突然电网波动后的重新通电,也不允许对激光器产生电冲击.     

半导体激光器特性自动测量系统

随着激光技术的广泛应用 ,尤其是光通信的迅猛发展 ,半导体激光器在工业和科研领域发挥着越来越大的作用 ,因此半导体激光器特性的自动测量具有非常重要的实用意义。文章介绍了一种计算机控制的半导体激光器参数采集和计算系统 ,能够自动完成半导体激光器的功率电流曲线、电压电流曲线、激光阈值、外量子效率的测量工作。其主要优点在于 :测量时间短、精度高 ,该系统适合用于大批量生产和使用半导体激光器的单位应用。     

非磁性半导体磁阻效应物理模型研究

非磁性半导体的磁阻效应一直以来受到了科研工作者的广泛关注,具有重大的研究意义和价值,在磁性传感器、高密度存储等方面有着潜在应用前景。主要综述了几种典型的非磁性半导体磁阻效应物理模型,即空间电荷效应模型、纳米非均匀性模型、二极管辅助几何增强模型、载流子复合模型和雪崩电离模型。最后,对非磁性半导体的雪崩电离基磁阻效应进行了分析和展望。     

脉冲阳极氧化工艺制作GaAs／AlGaAs宽条形半导体激光器

研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阚值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%.     

高稳定度高功率密度主被动锁模YAG激光器

从理论上和实验上，将一声光驻波调制器插入纯被动锁模ＹＡＧ激光谐振腔内，使其特性显著地改进，即锁模几率达到百分之百，锁模阈值明显地降低，锁模脉冲列的稳定性显然提高。并用雪崩晶体管串供Ｐｏｃｋｅｌ盒选取单脉冲用的高压方波。在此基础上，再经两级激光放大及二、三倍频谐波发生器，研制出一台高稳定度高功率密度主被动锁模ＹＡＧ激光器的超短激光脉冲光源     

自调Q掺饵光纤激光器

研制出一种结构新颖的掺饵光纤激光器，该激光器利用线性光纤环形镜和半导体激光器芯片的背向反射镜组成谐振腔。采用半导体激光器芯片作为饱和吸收体，在９ｍＷ的泵浦功率下，该激光器实现了自调Ｑ脉冲输出。输出光脉冲宽度为１２μｓ，脉冲峰值功率约为２２ｍＷ，脉冲序列的重复周期约为６５μｓ。     

我国氮化镓蓝光半导体激光器研究获重大突破

由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓（GaN）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。     

小波变换在可调谐半导体激光器模跳变检测中的应用

利用小波变换的局部化性质分析出拍频信号的奇异点,从而找出半导体激光器电流调制时的模跳变位置,简化了半导体激光器参数测量.     

半导体异质结构材料及其应用

本文概述和评论了异质结构材料的优异性能及其在微电子器件和电路；光电子器件和电路领域的应用，特别强调它们在调制掺杂场效应晶体管，异质结双极晶体管和半导体激光器方面的应用。     

光子计数探测与成像实验装置设计

光子计数探测是微弱光学辐射探测和超快速成像研究的关键技术.利用工作于盖革模式的雪崩光电二极管(APD)结合适当的驱动熄灭电路和NI-PCI高速图像数据采集卡构成实验系统硬件框架,通过Labview和VC++混合编程实现系统的数据采集处理程序和显示界面,设计建立了一套光子计数探测与成像实验装置,详细介绍了实施方案.该实验装置实现了光子计数脉冲信号的探测、处理与显示,为微弱光学辐射信号的探测与超快速成像研究提供了实验平台.     

超短脉冲激光烧蚀熔融硅的理论模型

在Fokker_P1anck方程的基础上,对超短脉冲激光烧蚀熔融硅的机理进行分析研究,建立了雪崩电离、多光子吸收电离导致的熔融硅烧蚀机理的数学模型.其计算得出的激光能量密度和临界烧蚀阀值与实验结果很好的吻合,定量解释了超短脉冲激光对熔融硅烧蚀损伤微观过程的影响.     

激光辐射波长和脉冲寿命对碲化镉熔化阈值的影响（英文）

碲化镉的相对分子量为240,密度为5.885 g/cm³,熔点为1 092℃。碲化镉是一种Ⅱ-Ⅵ族的化合物半导体材料,属于直接带隙型,带隙宽度为1.56 eV。碲化镉是制造X射线、伽马射线和红外线探测器的基本材料。对碲化镉的特别关注主要是由于其大原子数和大的光电吸收截面。在基于CdTe的伽马辐射势垒探测器结构中,其表面的处理方法之一是纳秒激光照射,在某些情况下,纳秒激光照射可以在触点(Ag、In、Au)和势垒形成的技术处理阶段优化所需的表面参数。另一种方法是在脉冲激光照射下在碲化镉表面形成有序的纳米结构。对基于半导体及其结构的脉冲激光器,可根据其不同的脉冲持续时间τ_p和辐射波长λ将其分类。例如,红宝石激光器(λ=694 nm)、钕激光器(一次谐波1 064 nm和两次谐波532 nm)、准分子KrF激光器(248 nm)和XeF激光器(351 nm)等,其脉冲持续时间分别为7、20、80、120 ns。这些激光器常被应用于表面修饰等领域。因此,往往有必要事先知道或至少估计在脉冲激光辐射下碲化镉表面的熔化温度和阈值,这取决于激光脉冲持续时间τ<...     

外腔半导体激光器阵列波长稳定的实验研究

自由运行的半导体激光器列阵输出激光谱线较宽、中心波长易漂移.为此,本文采用体全息光栅(VBG)构成外腔半导体激光器阵列(EcLD)系统,利用体光栅能够稳定波长、压窄线宽的特点,从而克服上述缺点.实验表明:采用了VBG外腔反馈后,在最好的情况下,LDA的输出光谱宽度从自由运行时的2.3 nm压窄到了O.96 nm;在测试的环境温度变化范围内(14～3l℃),LDA的峰值波长稳定在体光栅布拉格波长808 nm处,输出光的线宽维持在1.14 nm之下;并且,在测试的偏置电流变化范围内(7-13A)峰值波长和谱宽无明显变化.     

DFB激光器调谐过程的动态线宽特性

为了获取分布反馈(DFB)激光器在调谐过程的动态线宽特性,提出一种基于光纤延时自外差的激光动态线宽测量方法,对于激光器线宽和测量原理做了理论分析.对商品化DFB激光器的实验结果表明:在整个电流工作范围内,激光动态线宽为20.38～4.73 MHz;工作电流为最大电流的0.58～0.66倍时,激光器的动态线宽最窄,激光器动态线宽最佳工作电流为最大电流的0.5～0.8倍.     

索尼和住友电工试制成功100mW绿色半导体激光器

据报道,索尼和住友电气工业试制出了绿色半导体激光器,振荡波长为530nm,连续振荡时可实现100mW以上的光输出功率。2009年住友电工曾发表过振荡波长为531nm的绿色半导体激光器,但当时只是脉冲振荡。此次试制品的光电转换效率为8％以上。此次的绿色半导体激光器是在GaN（氮化镓）基板的半极性面上生成GaN类半导体结晶制成的,活性层采用inGaN,GaN基板由住友电工制造。     

高功率掺铥光纤激光器及其在共振泵浦激光技术中的应用

与其他类型的光纤激光器相比,高功率掺铥光纤激光器具有安全性比较高、输出功率水平高以及可调谐范围比较宽等众多优点。由于高功率掺铥光纤激光器自身具有的这些优点,近几年,高功率掺铥光纤激光器的应用范围越来越广,发展潜力越来越大。本文将从掺铥光纤激光器的发展趋势及其应用领域、半导体激光器为泵浦源的前提下高功率掺铥光纤激光器的输出特性、窄线宽可调谐类型的高功率掺铥光纤激光器以及高功率掺铥光纤激光器在共振泵浦预案激光技术中的应用这四个方面进行详细阐述,以期推动高功率掺铥光纤激光器的发展。