CMOS离子敏场效应管SPICE模型

完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程序(SPICE)建立了这种多层栅结构ISFET的物理模型,并对其静态输入输出特性进行仿真,仿真结果和试验数据基本相符。     

氢离子敏场效应晶体管温度特性的实验研究

引言氢离子敏场效应晶体管(HISFET)是一种被用来测量溶液中氢离子浓度(pH 值)的新型半导体化学传感元件。它的结构与普通绝缘栅场效应晶体管类似。栅绝缘膜为二氧化硅(SiO_2)和氮化硅(Si_3N_4)双层结构,无金属栅极。用硅平面工艺制作。与一般半     

钯栅厚度对气敏MOS晶体管灵敏度的影响

本文介绍了一种Pd栅MOS结构的半导体气敏器件。在叙述Pd栅MOS晶体管气敏机理的基础上,着重讨论了钯栅厚度对器件灵敏度的影响。实验结果证明,Pd栅MOS晶体管的灵敏度随着钯栅厚度的增加而降低。在工作温度不太高的条件下,灵敏度随钯栅厚度的变化基本上不受温度的影响。另外,文中还扼要地阐述了钯栅M0S晶体管的结构、制造技术及器件灵敏度的测试原理和方法。研究结果对于MOS结构的半导体气敏传感器的研制具有重要的意义。     

把栅厚度对气敏MOS晶体管 灵敏度的影响

本文介绍了一种? ( 栅? # ? 结构的半导体气敏器件。在叙述? ( 栅? # ? 晶 体管气敏机理的基础上, 着重讨论了把橱厚度对器件灵敏度的影响。实验结果证明, ? ( 栅? # ? 晶体管的灵敏度随着把栅厚度的增加而降低。在工竹温度不太高的条件下, 灵敏度随把栅厚度的变化基本上不受温度的影响。另外, 文中还扼要地阐述了把栅? # ? 晶体管的结构、制造技术及器件灵敏度的测试原理和方法。研究结果对于? # ? 结构的 半导体气敏传感器的研制具有重要的意义 。     

新品快报

<正>IR推出绝缘栅双极晶体管在线选择工具国际整流器公司(IR)推出全新的绝缘栅双极晶体管(IGBT)在线选择工具。该工具可有效优化多种应用设计,包括马达驱动、不间断电源系统(UPS)、太阳能逆变器和焊接。     

新型双栅薄膜晶体管研究取得进步

双栅薄膜晶体管由于其具有可控的阈值电压调节特性,在湿度传感、pH值传感、病毒生物分子探测等领域应用广泛。然而,传统的双栅晶体管都是基于一种典型的三明治结构,半导体沟道被两层栅介质夹在中间,其实质上可以看做是一个底栅晶体管和项栅晶体管的共用沟道复合晶体管,制备这些器件需要多步的薄膜沉积工艺以及精准的对准光刻技术。因此,设计和开发一种具有简单器件工艺的高性能双侧栅晶体管具有重大的研究意义和潜在的应用价值。     

场效应晶体管通用二维分析程序

登记号 880088 开发单位电子部55所功能简介本程序可用于分析砷化镓单栅、双栅肖特基势垒场效应晶体管,也用于分析埋栅型硅结型场效应晶体管。用户只要将器件的结构参数、材料参数,外加偏置条件输入计算     

一种称为SIMOS的新型n沟道单管EAROM单元技术

本文描述一种新的非易失性电荷存储器件的结构和工艺。叠栅注入MOS(SIMOS)器件是一种控制栅叠在浮动栅上的n沟道MOS晶体管。在编制程序方式中,用沟道漂移电场加速电子使其能量大到足以克服Si-SiO_2界面的势垒高度,电子就注入到浮动栅。由于程序编制用沟道注入机构来完成,故要求沟道长度小于4μm。用自对准工艺能把这个条件同叠栅概念结合起来,自对准工艺用一道光刻工序确定两个多晶硅栅。用自对准工艺可以实现单管的EPROM单元和单管的EAROM单元。二种不同型式的单管存储单元的基本结构分别为SIMOS晶体管和SIMOS四极管。本文详细地描述了这二种不同的SIMOS器件的工艺并报导了有关电荷积累、清除及电荷保持的实验结果。     

下一代晶体管露脸

ATDF公司和HPL公司最近展示了面向多栅场效应晶体管(MuGFET)的45nm技术节点上的工艺能力，MuGFET这种先进的半导体器件最终可能取代传统的CMOS晶体管。     

用IGBT晶体管制作CFL电子镇流器

在荧光灯电子镇流器中作为开关使用的晶体管主要有双极型和MOS-FET两种。绝缘栅双极晶体管(IGBT)本来是一种大功率电力电子器件,于20世纪80年代末实现商品化。90年代中期后,适用于荧光灯尤其是紧凑型荧光灯(CFL)电子镇流器的低功率IG-BT应运而生,且崭露头角。 IGBT的图形符号及其主要特点 IGBT可以看作是由一只MOSFET输入跟随器和一个双极型晶体管的复合结构组成,图1(a)为N沟     

一种基于高肖特基势垒的高性能隧穿场效应晶体管

为提升隧穿场效应晶体管的正向导通性能,有效降低晶体管的体积,根据TFET与SB MOSFET的结构优势提出一种基于高肖特基势垒的高性能隧穿场效应晶体管.提出带有等号形主控制栅的中央辅助控制栅结构,利用肖特基势垒来阻挡反向漏电流的同时,在导通机制上尽可能提高电子势垒的高度来减少热电子发射电流的产生.通过增大体硅与源漏电极...     

功率MOSFET抗单粒子加固技术研究

针对功率MOSFET的单粒子效应(SEE)开展了工艺加固技术研究,在单粒子烧毁(SEB)加固方面采用优化的体区掺杂工艺,有效降低了寄生双极晶体管(BJT)增益,抑制了单粒子辐照下的电流正反馈机制。在单粒子栅穿(SEGR)加固方面,通过形成缓变掺杂的外延缓冲层来降低纵向电场梯度,减弱了非平衡载流子在栅敏感区的累积,并开发了台阶栅介质结构提升栅敏感区的临界场强。实验结果表明,经过加固的功率MOSFET在满额漏源工作电压和15 V栅源负偏电压的偏置条件下,单粒子烧毁和栅穿LET值大于75 MeV·cm²/mg。在相同辐照条件下,加固器件的栅源负偏电压达到15～17 V,较加固前的7～10 V有显著提升。     

VMOS—一种新的MOS集成电路工艺

叙述了一种新的V型槽MOS集成电路工艺(VMOS)。这种工艺是利用硅的选择蚀刻原理来确定MOS晶体管的沟道。整个制作过程包括三次或四次掩蔽工序,并且利用这种工艺能够形成硅栅或者普通金属栅晶体管。这种工艺在要求不高的对准误差条件下,产生非常短的沟道。除了沟道短而外,VMOS晶体管的输出电导要比普通MOS晶体管小,而击穿电压更高。 介绍了VMOS晶体管的一阶理论,并对不同沟道长度的器件进行了测量。也介绍了运用这种工艺制作的某些集成电路,其中包括R—S触发器和27级戽斗式移位寄存器。讨论了在这些应用中VMOS的优点。     

氢敏钯栅MOSFET的设计理论与性能分析

<正> 一、前言 半导体器件对周围环境具有高度灵敏性,过去大多数工作致力于降低这种敏感性以提高半导体器件的可靠性。近些年来,也开始研究利用这种敏感性。其中一个重要成果是用钯作栅金属的N沟金属——氧化物——半导体场效应晶体管(以下简称Pd—MOSFET)。这种晶体管的开启电压随器件周围气氛中氢气的浓度而变化,可以用来检测气体中的氢气含量。这种检测方法具有灵敏度高、快速、定量、选择     

4H-SiC MESFET特性对比及仿真

通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比,得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处理后,引出了坡形栅4H-SiC MESFET的结构及其特征参数EP_(CG),通过仿真对比了坡形栅4H-SiC MESFET结构EP_(CG)分别为1/4栅、1/2栅、3/4栅和全栅时的直流特性。结果表明,当EP_(CG)为1/2栅时,最大饱和漏电流取得最大值,在V_G=0 V、V_(DS)=40 V的条件下达到了545 mA;当EPCG为1/4栅、3/4栅和全栅时,最大饱和漏电流均不如EP_(CG)为1/2栅时取得的最大值。     

电改写叠栅结构的雪崩注入型MOS只读存储器

本文报导了一种可重写和非易失性的雪崩注入型存储器的写和清除性能的设计理论及其实验结果。这种存储管具有浮动栅和控制栅的叠栅结构。加在控制栅上的电压控制了因注入电荷引起的晶体管开启电压的偏移,控制栅上的电压减少了漏结的雪崩击穿电压并且加速电子注入到浮动栅。单个晶体管写的时间约为20微秒,对于一个全译码的2048位存储器,用合适占空度的编制程序脉冲,写的时间可小于5秒。清除这种存储器或用紫外线辐射浮动栅或通过电场使浮动栅向控制栅发射电子。本文从理论上分析了电清除,同2K 位存储器的实验结果相比较是成功的。也研究了存储器的保持性能并提出了一种电荷逸出模型。     

采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制

硅基射频场效应晶体管具有线性度好、驱动电路简单、开关速度快、热稳定性好、没有二次击穿等优点,在HF、VHF和UHF波段具有广阔的应用前景.针对射频场效应晶体管宽带、高增益和高效率的应用需求,基于标准平面MOS工艺,采用平面分栅(split gate)结构,通过优化结构和工艺参数研制出一款工作电压为28 V的硅基射频垂直...     

HEMT器件力电耦合传感特性测试

设计了在Si微结构与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)集成的微机电系统(MEMS)。通过微机械加工工艺,完成了力电耦合传感结构的加工。通过实验测试发现HEMT器件具备很强的力电耦合特性,测试结果在-1.5 V栅压下,HEMT器件对应力的灵敏度为123.96 MPa/mA,线性度为6.95%。     

IR推出高效、可靠的超高速1200VIGBT（IR）

国际整流器公司（International Rectifi—er,简称IR）近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管（IGBTs）,该产品为焊接、高功率整流等感应加热和共振开关应用进行了优化。     

WATTPOWER“维纳斯”系列UPS

瓦特好(WATTPOWER)UPS是法国国防部指定的军用UPS,为法军各部所装备。产品分五大系列,其中最具特色的“维纳斯”系列为第四代串联在线式UPS。采用最先进的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术代替过去的MOSFET和双极型晶体管的混合型晶体管。其快速、低耗和易控性质决定了UPS更高的效率和更加稳定的输出,满载整机效率>90％,输出稳定度±1％。