功率半导体应用专栏（连载）（十二）应用于反激变换器中的BIMOSFET的相关性能

反激变换器的一个典型应用场合是在逆变器中给IGBT的驱动提供辅助电源。此时反激变换器的开关管需要有比较高的击穿电压和快的开关速度。为了降低开关损耗，开通和关断的能量也要小。BIMOSFET的一个主要的优点就是它的开通损耗小，另外它的导通损耗也比较小。把MOSFET和BIMOSFET对比来看，BIMOSFET的损耗大概要小35％左右。     

功率半导体应用专栏（连载）：（十一）快，更快，超快!优化应用于开关电源中的二极管

目前我们正努力去提高功率开关MOSFET，IGBT的性能——减小正向压降，减少关断能量，在开关型感性负载中，开通损耗在很大程度上取决于续流二极管的工作特性，现在开通损耗已经占据了整个功率损耗的绝大部分。在单个封装内串联二极管的技术可以优化给出的设计。本文就以PFC电路为例，介绍如何选择最优的二极管。     

（七）一种新型的砷化镓功率肖特基二极管的电气特性

双极型硅二极管通常被用于变换器中。在硬开关电路中，它们的反向恢复会在二极管本身以及对应的晶体管中产生损耗。同样，对于软开关电路嘲，反向恢复也是一个限制性因素。人们尝试去优化双极型硅二极管的电气特性，但很难在器件本身物理结构上实现突破。     

功率半导体应用专栏（连载）——第一章总括 （一）通过器件手册选择合适的器件

这篇应用文章的目的是告诉读者如何通过器件手册中的数据合理选择应用中的半导体功率器件。文章中的解释适合于常用功率电路，但为了使结论更确切，我们主要使针对IXYS公司的IGBT模块、集成二极管的分列IGBT和无集成二极管的分列IGBT。下文将提供设计者所有需要的数据信息，帮助他们选择最经济的功率器件。如果想知道更加具体的参数信息和资料，读者可以参考有关IGBT的文献[1]、有关二极管的文献[2]以及它们的实际版本[3]。     

功率半导体应用专栏（连载）——（三）新一代的ISOPLUS247^TM功率封装简介

IXYS公司发明了一种新的、可用于所有分立型功率半导体器件的绝缘塑料壳封装，这将改变功率器件安装到散热器上的方式。新的ISOPLUS247^TM内部绝缘的装配片可以达到2500V(有效值)的绝缘等级。这种封装的尺寸与标准的JEDEC TOI247相同，并且使用表面压装配，没有装配螺丝孔。如图1所示，原先的铜导线结构已换成直接铺铜(DCB)的铝基板，这将具有高热传导性和高电气绝缘(2500V)。     

功率半导体应用专栏（连载）——（四）ISOPLUS^TM——分离式绝缘技术的革命

使用功率半导体器件通常要求器件与散热器或设备的底盘之间有电气隔离。原因有三点：a)安全性．b)通过减小结点对地的分布电容来减小电磁兼容；c)在同一个散热器上要安装许多器件。这将导致增加热电阻，安装复杂，困难的绝缘电压测试以满足各国不同的安全标准。     

IR推出采用PQFN封装的20V、25V及30V MOSFET,适用于ORing和电机驱动应用 IRFH6200TRPbF具有业界最低导通电阻

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)日前推出一系列新型HEXFET功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(R_(DS(on)))的IRFH6200TRPbF。