层片型双相组织的拉伸变形及断裂行为的扫描电镜研究

在备有拉伸装置的扫描电镜下,观察了层片型铁素体加马氏体双相组织的变形及断裂过程。结果表明,马氏体体积分量不同会引起层片型双相组织的早期变形和断裂行为发生某些变化。当马氏体体积分量较小时,层片型双相组织中存在有较多的块状铁素体,使早期变形以块状铁素体切变为主,裂纹易在变形棱带或夹杂物等处萌生。随着马氏体体积分量增大,铁素体多呈细片状分布在马氏体片层之间,形成各种片层取向不同的区域(类珠光体团)。这种层片型双相组织可通过类珠光体团切变协调变形,并使裂纹易在类珠光体团交界、夹杂物或类珠光体团断裂处萌生。     

TiAl基合金中的相变诱发位错网

双相ＴｉＡｌ合金的层状组织在α+γ两相区退火时将发生组织退化[1,2 ] ,即ｙ层片合并以及形成不连续的α2 层片。不同变体的相邻ｙ层片合并后 ,在局部区域内将残留位错网[3] 。另一方面 ,从相图上看 ,在α2 +γ两相区内 ,随温度升高 ,与γ相平衡的α2 相将有所增加。但层状组织的形成也可能在较高温度的α +γ两相区开始 ,在这种情况下 ,较多的α层片在α2 +γ两相区中的低温区优先转变为α2 层片 ,使层状组织中α2 相的体积分数超过其平衡体积分数 ,当加热至α2 +γ两相区中高温度区时 ,部分α2 层片则可能发生分解。为进一步理解ＴｉＡｌ…     

不同形状连续激光辐照皮肤组织温度场数值模拟

本文基于生物组织热传导方程,分析了连续平顶型激光和连续高斯型激光辐照皮肤组织的热传递规律,建立了更为接近细胞尺寸的三层皮肤组织模型,采用有限元方法对两种不同形状激光作用于皮肤组织时产生的温升情况进行了数值模拟,仿真研究了不同作用时间、不同表面距离和不同深度的皮肤组织温度场分布。结果表明,相同条件下,由连续平顶型激光在组织内部产生的最高温度明显小于高斯型的,主要原因是平顶型激光能量分散,而高斯型能量相对集中。连续高斯型激光辐照组织后产生的温升区域面积和穿透深度均较大,撤去激光后达到初始温度的冷却时间也相应较长。     

电气和电子工程用材料科学

TG113.22 2007010170金属薄膜在短脉冲激光加热下的温度响应/周凤玺,李世荣(兰州理工大学土木工程学院)//兰州大学学报(自然科学版).―2006,42(2).―55～59.利用非经典的双相延迟DPL(Dual phase lag)热传导方程,采用稳定的有限差分方法求解了金属薄膜在超短脉冲激光辐射作用下的温度响应。探讨了薄膜内温度响应随温度延迟相与热流延迟相的不同而产生的变化趋势,讨论了在微时间和微空间尺度条件下金属薄膜随不同的激光加热以及薄膜厚度而引起的热响应特征。图6表0参22     

送粉激光熔覆时激光与粉末的交互作用

通过建立粉末在激光照射下的热传导模型，用有限差分法计算了不同合金、不同粒度的粉末在不同激光功率密度作用下的温度变化，通过实验验证得出各种粉末在不同激光功率下的临界熔化时间和相应的临界激光扫描速度。     

铟镓砷与金属接触形貌异常分析和改进

对P型InGaAs半导体金属接触形貌进行了分析。采用磁控溅射法在P型InGaAs表面制作了不同厚度的金属膜,并在不同温度下进行合金,研究了合金温度和膜层厚度对接触形貌、比接触电阻率的影响。使用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对界面形貌进行了表征,结果表明金属-半导体界面空洞与合金温度有直接关系,在合金温度小于350℃时,界面处不会出现空洞,若合金温度超过此值,空洞逐渐出现,并且空洞数量会随着合金温度的升高而增加。金属膜层间相互扩散和器件的比接触电阻率与Ti层和Pt层的厚度有关。通过优化合金工艺和金属膜层厚度改进了半导体与金属接触形貌,金属间界面清晰无相互扩散,降低了器件比接触电阻率和常态温度下的失效率(FIT)。     

AgCu28共晶钎料的铺展性研究

针对陶瓷DIP外壳钎焊时,常出现AgCu28钎料流淌的问题,而钎料铺展性对钎料的流淌起着重要作用,为此研究了在不同的生产工艺条件下,AgCu28共晶钎料在镀有不同厚度镍的金属化陶瓷基板和4J42可伐合金片上的铺展性。结果显示钎料在化学镀镍层上比在4J42合金带上的铺展面积大,并存在一个临界镀镍层厚度(0.5~1.0 靘),超过这一临界值,铺展面积显著下降。钎料铺展面积随着焊接温度、时间而改变,控制在钎料熔点以上的停留时间是减少钎料过分铺展的关键。     

双相TiAl中γ层片界面的Σ值及界面的稳定性

材料的力学性能与其内部界面结构特性（如Σ值）及其分布有密切的关系，通过各种处理可改变材料内不同Σ值晶粒边界的分布比例，达到改善力学性能的目的。层状组织的引入使ＴｉＡｌ合金的性能发生了很大改变。在同一层片组织中，α２层片与γ层片及γ层片与γ层片间以特定...     

高温氧化对SiC MOS器件栅氧可靠性的影响

SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能.为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC (0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO2栅氧化层.在室温下,对SiC MOS电容样品的栅氧化层进行零时击穿(TZDB)和与时间有关的击穿(TDDB)测试,并对不同干氧氧化温度处理下的栅氧化层样品分别进行了可靠性分析.结果发现,在1 250℃下进行高温干氧氧化时所得的击穿场强和击穿电荷最大,分别为11.21 MV/cm和5.5×10-4 C/cm2,势垒高度(2.43 eV)最接近理论值.当温度高于1 250℃时生成的SiO2栅氧化层的可靠性随之降低.     

GaAs分子束外延中硅阶梯掺杂优化及C2V测量

以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进行不同浓度的Si掺杂,然后用电化学C2V的方法确定各层中的载流子浓度,一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的温度之 间的关系曲线。本文还介绍了如何采用控制生长的条件得到陡峭的界面,使不同掺杂浓度的层与层之间的界面变化非常明显。     

固溶温度对00Cr26Ni8Mo3Ti钢组织的影响

00Cr_(26)Ni_8Mo_3Ti不锈钢是最近开发的一种新型船用结构材料。研究表明,固溶温度对钢的机械性能影响很大。为了进一步确定温度、组织、性能三者的关系,探讨强韧化机理,用透射电镜对该钢在950℃至1150℃保温0.5h淬水试样进行了观察分析,得出以下结果。950℃×0.5h固溶处理试样为奥氏体(A)和FeCr型σ相双相组织,如图Ⅰ所示。图中白色为A体,深色为σ相。定性分析结果表明σ相多于A相。     

双相10钢断裂特征的扫描电镜研究

本文通过在扫描电镜上观察和分析拉伸试样颈缩区中孔洞的分布状态以及拉伸和冲击条件下的断口形貌和裂纹扩展路径,研究了具有不同组织状态的低碳双相钢的断裂特征。结果表明,不同的热处理规范(淬火及回火温度)由于改变钢中铁素体—马氏体两相的体积百分比及强度比,对双相钢颈缩区中孔洞密度、孔洞平均值径及拉伸和冲击条件下的断裂过程均有明显影响。     

双相TiAl基合金的室温位错滑移特征

对双相TiAl基Ti 4 8Al 1 5Mn 0 5Si合金的压缩变形组织进行TEM衍衬分析 ,结果表明 ,该合金室温变形组织中 ,无论是等轴γ相还是层片γ相 ,都存在较多的沿两个方向分布的 ( 1 2 )〈110 ]普通位错 ,在有Ti5Si3 相析出的层片γ相中观察到了沿两个方向排列的 [0 11]和 [0 11]超点阵位错     

Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu焊点可靠性研究

采用铺展面积法研究了Sn-3.0Ag-0.5Cu无铅钎料在不同温度下的润湿性能,同时探讨了150℃等温时效对Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu焊点界面组织及力学性能的影响。结果表明,随着钎焊温度的升高,Sn-3.0Ag-0.5Cu钎料的润湿性能明显增加。焊后钎料/Cu界面处对应的金属间化合物为Cu6Sn5相,经150℃时效,界面层的形貌由原来的齿状逐渐转化为层状,且厚度随着时效时间的增加而增加。发现界面层金属间化合物厚度与时效时间的二次方根成线性关系。对焊点在时效过程中的力学性能进行分析,发现Sn3.0Ag0.5Cu/Cu焊点的力学性能随着时效时间的增加逐渐降低,时效初期,焊点的力学性能下降较快,后期趋于平缓。     

回流时间对焊点质量的影响

讨论TSnAgCu305焊料和cu焊盘在不同回流时间下形成的金属间化合物的厚度和形貌,以及焊点内部的组织结构.通过剪切试验测得不同回流时间下得到的焊点强度.试验结果表明:回流时间较短时,IMC层的厚度随着时间的增大快速增长,随着时间推移最后IMC的厚度在5 μm左右趋于稳定.焊点内部的组织形貌随着时间变化由等轴晶到枝状...     

Ni顺—1,4—聚丁二烯结晶的形态结构

以镍为催化剂,定向聚合得到的顺—1,4—聚丁二烯(Ni—PB)具有较好的分子结构规整性。在适当的低温下,极易结晶。本文详细讨论了Ni—PB的溶胶及凝胶对低温结晶成核及生长的影响。采用燕山石化总公司,胜利化工厂生产的Ni—PB为样品。各样品的顺式含量均在92—96%之间。将0.5%Ni—PB甲苯溶液,在甘油表面上成膜、蒸馏水清洗后,捞在电镜载网上。经-30℃下不同时间结晶后,用OsO_4固定。在H—500型电镜下观察。 Ni—PB在-30℃下结晶的TEM照片给出可以得到尺寸为几+μm的球晶。其生长速率为1μm/min。对于凝胶含量较小的试样,结晶诱导期较长,晶核为单个片层或片层束(图a)。在片层的生长过程中,首先形成宽约为1000—2000A的界面不十分清晰的白色区,为预结晶区。进一步结晶,排列为规整的,有清晰界面的片层。如     

基于敏感薄膜的F-P光纤温度传感器的高温特性

根据薄膜型光纤温度传感器的感温原理及光学薄膜的应力特性,利用膜层干涉的特征矩阵分析了传感元件的传感特性,建立了薄膜型光纤温度传感器的热应力特性及其对传感特性影响的理论模型。通过对薄膜和光纤的热光效应和热膨胀特性的分析,对比了蓝宝石光纤、纯硅芯光纤和普通多模光纤三种光纤基底的热应力-温度特性,设计了高温传感器传感探头的薄膜膜系,分析了膜系中每层膜的热应力-温度特性,以及临界载荷应力特性,确定所选光纤基底脱膜的临界应力值。通过模拟不同应力作用下的光谱传感特性,为传感器薄膜敏感探头的稳定性和可靠性提供理论依据和支持,提高传感器研制的效率。     

硅晶闸管烧结应力的红外光弹性研究

参考热弹性理论和复合材料层间应力理论，研究了Ｓｉ片Ａｌ箔／Ｍｏ片烧结后的层间应力及硅片中的应力，热膨性能不同引起的热应力成硅片中的中间和边缘区域分布情况不一样，推导出适用于边级区域的应力计算表达式，用红外光弹测量获得晶闸管烧结工艺制备样品的应力分布光弹图，理论能较好地解释实验结果。     

激光熔覆Ni-Sn共晶合金的组织演变

采用激光熔覆方法制备了 Ni-Sn共晶合金熔覆层, 通过对不同扫描速度下熔覆层的组织特征进行分析, 发现熔覆层组织主要由琢-Ni+Ni3Sn层片共晶组成, 层片间距相比基材明显细化, 并且在熔覆层与基材界面处, 共晶层片基本沿熔覆层沉积方向外延生长, 随着远离基材, 层片共晶生长方向逐渐向激光扫描方向偏转, 在垂直激光扫描方向的熔覆层横截面呈现出类等轴的共晶团组织。随着扫描速度的增加, 熔覆层中的带状组织和顶部的少量非规则共晶团逐渐消失, 共晶层片间距减小。用描述快速共晶生长的 TMK模型对熔覆层底部的共晶层片间距随激光扫描速度的变化规律进行了分析, 实验结果与理论模型基本吻合。     

MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质材料工艺研究

用自已设计的MOCVD设备,国产的DMCd和DETe金属有机源,采用变通的多层互扩散工艺生长了HgCdTe/CdTe/GaAs外延片,获得良好的n型HgCdTe外延层。研究了生长速率与温度的关系;组份与DMCd/DETe之比的关系;x值与汞源温度的关系。生长CdTe和HgCdTe外延层的衬底温度分别约为:370℃和420℃。汞源温度约为280℃,汞压约0.02atm。DMCd/DETe随生长x值不同而不同。气流在2.6～3.7cm/s之间。