真空微电子学

用于半导体电子学的平板印刷法导致了真空管的复兴。本文对真空微电子学目前的进展,特别是对有关场致发射阴极的制作和电气特性作了评论。与热发射和半导体发射阴极相比,它在可靠性方面显示了最大的潜力。     

真空微电子学的崛起

近年来,真空微电子学的发展引人瞩目,它的应用十分广泛,普遍认为真空微电子学是继真空管、集成电路之后电子学发展中又一新产业的标志,本文主要探讨真空微电子的发展背景。     

真空微电子学展望

目前正在利用微米大小的微小冷阴极,开始试制微细而能集成的真空管或高精细平板显示器件等。这些试验的目的是利用半导体的微细加工技术,使真空元器件集成化和高性能化,这种叫做真空微电子学的研究,正在开拓前所未有的领域。本文以作者研制的微小真空三极管为中心,介绍真空微电子学的最近动向。     

从真空微电子学到真空纳电子学

微细加工技术和场发射作为电子源促成了真空微电子学的诞生,许多从事微细加工技术、真空电子技术、微波电子学、材料科学、表面科学、薄膜科学等领域的研究人员也开始了这方面的研究工作,1988年在美国召开了第一届国际真空微电子学会议（IVMC）,随后每年一届在世界各地轮流召开。科学技术的发展非常之快,纳米结构、纳米加工技术、纳米材料等也渗透到这个领域,真空微电子学的研究领域也随之扩展,所以2004年在美国召开的第17届国际真空微电子学会议改名为国际真空纳电子学会议（IVNC）。本文就真空微电子学的发展历史,该领域的技术发展做了综述和分析,对目前真空纳电子学的兴起、研究内容的变化做了分析。     

真空微电子学和冷阴极平面显示器件

一、真空微电子学及其应用领域真空微电子学是近年来迅速崛起的一门新学科。它是指采用集成电路中的精细加工技术制造的微型冷阴极电子源,并以此为基础制作如表1所示的各种高频放大器、集成电路和显示装置等的学科。1988年被国际电气和电子学工程师学会(IEEE)的电子器件学会(Electron Device Society)所承认,并举办了第一次“国际真空微电子学会议(International VacuumMicroelectronics Conference),并在国际电子器件会议(IEDM)中设置了一个议题。国际真空电子学会议(CVMC)开过三次,各国论文发表状况如图1所示。本文将以国际会议的论文为中心,阐述以微型冷阴极     

九十年代微电子学突破方向的展望

纳电子学和真空微电子学是九十年代微电子学的两个极有发展前途的新方向。本文概要介绍了纳电子学和真空微电子学发展的状况及其主要器件的工作原理，并介绍了它们的应用领域和发展方向。     

真空微电子学：崭新而激动人心的领域

1 引言 女士们,先生们。很荣幸能在第三届国际真空微电子学年会上发表演说。众所周知,“真空微电子学”这个名词起源于 1988年在美国弗吉尼亚州威廉斯堡举行的第一届国际会议。它是一种基于真空电子输运器件的新技术,且利用了固态器件工业已建立的微细加工工艺。因为真空是一种理想的电子传输媒介,所以这种技术有可能同时具有两个领域的优点。我们中的有些人相信很快可证明它是一种革命性的器件。 现在,经过西方和东方(苏联)二年的广泛而积极的研究,我们将怎样看待我们的进步和这一技术的前景呢?当然,每个人都有自己的想法,但是我们观点是乐观的,并且我相信我们走上了正确的方向。更明确一点说,我对未来几年内将获得的知识更具乐观态度。我很愿意详细地讨论我为什么会得出这样的结论。     

真空微电子学综述

本文简要介绍真空微电子学几个发展领域－场发射材料，平板显示，传感器以及微波和毫米波放大器的现状。     

真空微电子学的研究与发展

本文系统介绍了近年来真空微电子不的研究内容，达到的水平和亟待解决的问题，包括真空微电子器件的基本结构，场发射列，微尖结构物理，新材料和新器的探索以及真空微电子学的主要应用。     

场致发射与真空微电子学

本文系统地分析了场致发射的基本理论及其修正,介绍了罗恩泽教授提出的恩泽公式同时,概述了微型真空管的结构、工艺和我们近期的工作.     

真空微电子学的现状及其应用

本文综述了真空微电子学近年来的发展及其应用。主要包括FEA、材料及在FED、微波器件和其它方面的应用。     

真空微电子学的研究和进展􀀂

真空微电子学是迅速发展的一门新学科，近年来国内外的研究已取得了一系列的成果。本文着重介绍了近两年真空微电子学在微尖性能提高、发射材料、阴极结构以及场致发射应用(主要是场发射显示器)等方面的最新进展。真空微电子学在场发射平面显示器件方面的研究已进入实用阶段，相信近几年在这方面的应用将会获得突破性的进展。     

真空微电子学1996我们正在哪里,我们要去何方

译者序 近年来真空微电子学的发展十分迅猛。去年七月在俄罗斯圣彼德堡召开的第九届国际真空微电子学会议 上有166篇论文发表,本文为这次大会的特邀报告。 值得注意的是几家即将把场发射显示器件(FED)推向市场的公司都没有发表有实质性内容的论文。这很可能是FED上市前的短暂沉寂和商业需要。FED究竟何时能够实现商品化?工作在GHz范围的场发射阵列(FEA)阴极何时能在射频功率放大器上得到实际应用?真空徽电子学又出现了哪些新技米和新的应用?等等,这些都是学术界和产业界十分关注的问题。 真空徽电子学权威之一,美国海军实验室的Henry F.Gray博士在本届国际真空徽电子学会议上的特邀报告中全面而概括地讨论了这些问题,对真空徽电子学的进一步发展作了谨慎的预见。他认为由于在科学技术土已没有明显的障碍,FED在一年内应能实现商品化。他还提出一个有趁的历史性问题:1948年开始了从真空君件到固态器件的过渡。在21世纪开端,我们能否看到从固态簇件到真空器件的回归呢?至少在策微电子学领域中的特殊应用场合是如此。1996年法国的PixTech及日本的Futaba公司终于向世界发布了5 .2英寸FED的商品广告,从而将FED推向市场,将预告1997年将推出8.5英寸的VGA级全彩色FED。这证实了Henry博士预见的准确性,预示了FED繁     

真空微电子学中的场致发射阴极制备

近年来,随着微机械加工技术的不断发展,人们对小功率的场致发射阴极的研究日趋活跃,本文介绍了近年来国内外对场致发射阴极的制备,电学特性及应用方面的研究进展情况,并说明该技术的发展必将取得更广泛的应用.