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采用Q倍增结构的有源RC高Q二阶带阻滤波器 总被引:1,自引:1,他引:0
本文提出一种“Q倍增带阻结构”来实现有源RC高Q二阶带阻电路.给出了设计和实验结果.由于这种新结构采用负反馈,所以有好的灵敏度特性.其实现电路也较其它高Q带阻电路简单.具有很好的实用价值. 相似文献
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为进一步实现激光回波脉冲处理电路的高增益、高带宽基本要求,对CMOS集成电路结构设计进行了深入研究:采用改进型RGC跨阻放大器、自动增益控制Cherry-Hooper级联结构、与双端输出源极跟随器分别作为前置放大器、电压宽带放大器与缓冲环节构成激光脉冲信号的接收通路;利用MOS_L等效并联电感峰化技术实现电路带宽拓展。在0.5μm的CMOS工艺条件下,对其电路性能进行了仿真检测。结果表明:该信号处理电路的信号带宽、增益、输入阻抗与输出电压的响应幅度分别为100MHz,141dB,117Ω和1V。最后对其电路提出具体的版图设计与测试方案等。 相似文献
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高侧供电电路对GaN驱动芯片的可靠性和功耗有非常重要的影响。设计并实现了一种低功耗高可靠的高侧供电电路。考虑到GaN器件的低栅源击穿电压及其反向导通特性,通过自举钳位稳压设计将低压差线性稳压器(LDO)直接搭建在高侧通路以实现对GaN器件栅源电压的保护,此外通过设计抗高侧地HS负压的电平位移电路以实现在高频、高噪声条件下GaN驱动芯片能够正常工作。该高侧供电电路基于0.18μm BCD工艺设计并流片,测试结果表明,集成该高侧供电电路的GaN驱动芯片的高侧输出端能够在最大90 V/ns的电压转换速率或最小25 ns脉宽的输入脉冲下输出最大压差5 V的方波信号,具有良好的性能。 相似文献
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设计了一种应用于流水线ADC中的新型高线性度采样开关,该开关采用比较器、反相器链、CMOS对管开关,自举电容等实现,具有较高的线性度。其基本原理为:使MOS管栅极电压实时跟随输入电压,保证其差值恒定,从而实现整体采样保持电路较高的无杂散动态范围。通过Flip-around型采样保持电路进行验证,其无杂散动态范围可达91... 相似文献
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军用电子产品中有大量高功率产品,其体积也要求越来越小,这势必带来越来越突出的电路散热问题,采用高导热电路基板是解决功率电路热耗散的一个重要手段。本文介绍了一种采用阳极氧化工艺制作的具有优良特性的铝基板——铝基阳极氧化基板,它区别于铝基敷铜板,具有导热性好、耐压高(≥1000V)、绝缘强度好(≥10^12n)、可加工成任意尺寸和形状等特点。该种基板最大的特点是可以在上面制作铝薄膜单层或多层布线电路,由于布线用导体、基板以及绝缘层是同一本体材料,所以可以有效避免铝基敷铜板高温工作下易出现的导体与基板发生脱落的现象,有利于电路可靠性的提高。 相似文献
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基于三次非线性数学模型,采用通用有源电路元器件完成了一种磁控忆阻器的"浮地"二端口等效电路实现,基于Multisim电路仿真软件并搭建实际硬件电路研究了其伏安特性,进而研究了基于该有源磁控忆阻器的WC高通和低通滤波电路的频率特性,并与无源RC高通和低通滤波电路的频率特性进行了比较。软件仿真和硬件实验结果表明:有源WC高通滤波电路与无源RC高通滤波电路呈现相似的幅频和相频特性,而有源WC低通滤波电路的频率特性不同于单极点的无源RC低通滤波电路,其幅频和相频特性均呈现出多极点的特性。 相似文献
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采用ADS软件对一种高线性GaN功率放大器进行匹配电路设计,并制作了一款超小尺寸的高线性放大电路。该电路采用0.254 mm厚的Al2 O3陶瓷作为基板,放大晶体管选用无封装芯片,在5 mm ×6 mm的小尺寸范围内完成电路制作。制作的小尺寸高线性放大电路实现了在输入双音信号频率为4 G Hz和4.002 G Hz、输出总功率为2 W时,三阶互调抑制35 dBc ,功率附加效率35%。 相似文献
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对电压测量电路的基本要求是其应具有高输入阻抗,文章设计了几种实用的电压测量电路,即场效应管差分式电路、高阻型集成运放构成的电路、高稳定度与高增益集成运放构成的电路.这些电压测量电路具有很高的输入阻抗,因而可有效地减小测量误差,提高准确度. 相似文献
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随着人们生活水平的提高,如何实现家庭防盗这一问题也变得尤为突出。传统的机械锁由于其构造简单,被撬的事件屡见不鲜。电子锁由于其保密性高,使用灵活性好,安全系数高,受到了广大用户的青睐。本设计以AT89S51单片机为核心器件,结合按键电路、LED数码管显示电路、存储电路、报警指示电路和开锁机构,利用单片机灵活的编程设计和丰富的I/O端口,及其控制的准确性通过软件程序来控制整个系统实现电子密码锁的基本功能。该锁能实现密码的输入、清除、显示,实现密码正确开锁,超位报警,系统设定初始密码的功能。设计成本较低,具有—定的实用价值。 相似文献
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本文从理论和设计两方面说明开关电容高Q陷波电路也可以通过Q倍增结构实现。采用这种结构还可以减小电路的电容比和总的电容值,从而减小制造芯片时的面积. 相似文献
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近年来,电路的工作电压不断降低,但仍有一些电路的工作电压是9V、12V、15V少数还有18V或24V。由于电压检测器大部分电压在6V以下(6V以上有少数品种),如何对这些高电压进行检测呢?Seikc公司介绍了两种高电压检测电路,可以采用6V以下的电压检测器加上其它元器件组成的电路来对高于6V的电压进行检测。 相似文献
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提出了一种新颖的基于双极工艺的迟滞比较器,该电路在保持了传统电路的高共模输入电平和低功耗的优点的同时,在电路结构上比传统的电路节省了一级射随器。此外,为了保证该迟滞比较器中两级运算放大器的稳定性还进行了频率补偿的研究,并对该电路的稳定性进行了仿真,其仿真结果保证了60°的相位裕度。该迟滞比较器的电路使用华润上华1μm双极晶体管工艺实现,芯片测试结果表明,其上阈值点为7.4 V,下阈值点为6.92 V,迟滞电压约为0.48 V,输出高电平约为0.76 V,电路工作稳定。 相似文献