电镀铜锡合金工艺研究进展

电镀铜锡合金具有装饰性好、可焊性优良、成本低、无毒、不使人体过敏等优点,而得到广泛的应用.介绍了电镀铜锡合金工艺的研究进展和应用、电镀铜锡合金镀液配方和工艺条件.     

黑色电镀现状和应用前景

黑色镀层已从功能性镀层逐渐扩大至装饰性镀层。本文介绍了获得黑色镀层的电镀工艺,包括单金属电镀(黑镍、黑铬)、二元合金电镀(锡镍、镍钴、镍钼)和三元合金电镀(锡镍铜),认为黑色锡镍、锡镍铜镀层具有很大的发展前途。文中附表具体列出了各工艺的配比与工艺条件。     

代镍,节镍镀层的发展

最近一段时期,由于金属镍的价格飞涨,高达原价格的数倍之多,造成了许多电镀厂加工成本大幅度提高,从而影响了全国范围内电镀工业利润下降的严重问题,有的电镀生产线已处于停工、或半停工状态。回顾电镀历史,曾在五十年代至六十年代我们曾经历过一次代镍镀层的浪潮。那时众多的电镀工作者发展了自己的聪明才智,成功地使用了代镍镀层,例如电镀铜锡合金包括高锡、低锡、中锡合金、电镀白色锌铜合金、电镀铜锡锌三元合金、电镀锌铜镍三元合金、滚镀高锡     

专利实例

电镀光亮锡-铜合金电解液;电镀锡-铋合金电解液;电镀锡-铟合金电解液;钽的浸蚀液;一种不锈钢的浸蚀剂;使用磷铜阳极的电镀铜方法;微电子器件电镀铜;一种化学镀铜溶液;一种电镀铜或化学镀铜溶液。     

专利实例

电镀铜-锡合金两则20110301焦磷酸盐电镀铜-锡合金电解液该发明提供了一种不含氰化物的焦磷酸盐电镀铜-锡合金的电解液。电解液由可溶性铜盐、可溶性亚锡盐、碱金属的焦磷酸盐、添加剂A和添加剂B组成。     

电子工业用锡及锡基合金电镀技术:现状及展望

概述了电子工业用锡及锡基合金(如锡–银、锡–铜和锡–铋)电子电镀技术的发展现状,重点探讨了了相关电镀工艺、镀层锡晶须生长问题和锡及锡合金电镀在先进封装中的应用现状,最后展望了电子工业用锡及锡合金电镀未来的发展趋势。     

氰化镀液电镀全光亮,高整平的铜锡合金新工艺

铜-锡合金/铬镀层优良的抗蚀性,已为50～60年代我国装饰性电镀领域中广泛应用所证明,铜-锡合金/镍/铬多层电镀经研究证明,其防护、装饰性至少不亚于双层镍/铬镀层。但是,过去的电镀铜-锡合金工艺,只能获得无光的镀层,镀后必须抛光,不能在自动线上一步法生产,所以为了实现光亮电镀,电镀工作者进行了大量研究,也取得过一些成就,例如采用二价锡盐的氰化镀液,可镀出比较光亮的铜-锡合金镀层。可是,整平能力不够,不能直接镀装饰铬,直接镀镍也很困难,因而未能在行业中大规模应用。我们经过长时间研究,采用二种相辅相成的添加     

电镀方法和电镀产品

介绍了一种在铝合金基体表面电镀的方法,该方法包括如下步骤:(1)在铝合金表面浸锌;(2)在锌层表面碱性镀铜,然后再酸性镀铜;(3)在铜层上电镀铜-锡合金;(4)在铜-锡合金镀层上进行三价铬镀铬。施镀过程中使用无氰碱性镀铜液。     

全光亮氰化铜锡合金在仿金电镀工艺中的应用

Ⅰ前言为满足电镀仿金灯具的需要。我们借助当今氰化光亮铜锡合金添加剂的新成果;在南京大学配位化学研究所庄瑞舫教授指导下,探索,试制了一组仿金镀液。并实施了以光亮氰化铜锡合金体系为基     

"节镍、代镍"技术

由于镍价的飙升,镀镍成本大幅上升、为了减少镍的用量,电镀行业十分重视对节镍、代镍电镀工艺的研究。简要介绍了已开发的多层镍电镀工艺、铜锡合金、铜锌合金、锌铁合金、镍铁合金等代镍工艺,以及厚(薄)铜薄镖电镀工艺。     

实践逼出来的点滴创新第五部分——光亮酸性镀锡液中铜杂质的去除

传统的黄血盐沉淀过滤法除铜效果不好,不能用于实际的镀锡生产。根据难溶物的溶度积常数,最终找出了一种去除酸性光亮镀锡液中铜杂质的方法:在强烈搅拌下,缓慢加入理论量110%的稀Na2S溶液(现配现用),然后滤除所生成的沉淀。该法在生产中应用3年多,效果均良好,消除了因铜杂质所引起的硫酸盐镀锡层低电流密度区无光、发黄、发黑等故障。     

无氰电镀白铜锡工艺与镀层性能

通过赫尔槽试验与方槽试验研究了镀液组成和工艺条件对白铜锡电镀层外观与组成的影响。最佳镀液组成与工艺条件为:Cu2P2O7·3H2O16～19g/L,Sn2P2O712～15g/L,K4P2O7·3H2O200～250g/L,K2HPO460～80g/L,有机胺类添加剂JZ-11.2～1.8mL/L,pH=8.5～8.7,温度20～25°C,阴极电流密度1.0A/dm2。采用该工艺对基体施镀20min可得到厚度为5.09μm、锡的质量分数为40%～50%的均匀白亮的Cu-Sn合金镀层。Cu-Sn合金镀层的晶体结构以CuSn和Cu41Sn11为主,结晶细致、无微裂纹,显微硬度为372HV,耐蚀性能比相同厚度的光亮镍镀层好。     

Multilayer Metal Film Plating on Glass

It has been shown that an under-layer of SiO₂ · nH₂O on a silicate glass surface, promotes the adsorption of Sn(II) hydroxycompounds, resulting in the formation of Sn–O–Si chemical bonds. It also: contributes to the formation of monodispersed Sn(II) compound nanoparticles; levels the glass surface micro-relief; ensures the deposition of fine-grained metal films; increases the rate of Ni–P and Cu electroless plating; and increases the rate of the adhesion interaction between the surface of the silicate glass and metal films. It opens up the possibility of electroless and electrochemical plating of 5–10 μm thick multilayer metal and alloy films.     

Influence of plating parameters and solution chemistry on the voiding propensity at electroplated copper–solder interface

Interfacial voiding in solder joints formed with Sn–Ag–Cu solder alloys and electroplated Cu was examined as a function of the plating solution chemistry and parameters. Galvanostatic Cu plating of ~10 μm thick Cu films was performed in a commercially available plating solution, and in model generic plating solutions. Analysis of the current voltage behavior along with Secondary Ion Mass Spectrometry studies of organic impurity content of two plated and a wrought copper samples, yielded a conclusion that for certain chemistry solutions (e.g., H₂SO₄ + CuSO₄ + Cl^? + PEG) and current density ranges above 2.5 mA cm^?2, organic impurities were incorporated into the growing Cu. Solder joints were produced with a variety of electroplated Cu samples. These joints were, then, annealed at a temperature of 175 °C for 1 week, cross sectioned and examined. In general, it was observed that interfacial voiding in laboratory electroplated Cu layers was qualitatively similar to the unexplained voiding observed in some industrially plated Cu products. More specifically, it was found that the propensity for voiding could be correlated with specific electroplating parameters that in turn were associated with significant incorporation of organic impurities in the Cu deposit.     

电白槽液中磷酸氢二钠和碳酸纳的分析

介绍了电白槽液中磷酸氢二钠和碳酸钠的分析方法。用磷钼蓝光度法测定电白槽液中磷酸氢二纳的质量浓度,用过硫酸铵破坏氰化物,消除其对测定的干扰。在硫酸介质中,以抗坏血酸作还原剂,硝酸铋作催化剂,使磷酸与钼酸钠生成杂多酸蓝色络合物,以显色剂作参比液,在波长660nm处测定吸光度。试验表明,镀液中的铜离子和其它组份对测定无影响,本法相对平均偏差为1.3%,回收率为97.3%-103%。用硝酸银掩蔽氰化钠,以酚酞作指示剂,用盐酸滴定法直接测定电白槽液中碳酸钠的质量浓度。试验表明,镀液中的Na2[Sn(CN)4]、Na2[Cu(CN)2]和磷酸氢二钠对测定无干扰,本法相对平均偏差为0.54%,回收率为101%。而用传统的铜锡合金镀液分析方法,电白槽中的磷酸氢二钠严重影响碳酸钠的测定。     

氨水在电镀工业中的应用

以２５篇参考文献综述了氨水在电镀铜、钯、金、铂、锡铋、钯镍、锌和化学镀镍磷、钴磷、砷锌、镍铜合金以及在缓蚀、除膜、氧化、抛光、退镀等方面的应用，并提出隶使用中应注意的问题。     

添加剂对无氰电镀铜-锡合金(低锡)镀层性能的影响

通过赫尔槽试验与直流电解试验,研究了添加剂在焦磷酸盐溶液体系无氰电镀铜-锡合金(低锡)工艺中的作用。该体系镀液组成与工艺条件为:Cu2P2O7·3H2O25g/L,Sn2P2O71.0g/L,K4P2O7·3H2O250g/L,K2HPO4·3H2O60g/L,温度25℃,pH8.5,电流密度1.0A/dm2。采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、能谱(EDS)、中性盐雾试验等方法研究了添加剂对镀层组成结构、外观、耐腐蚀性能及微观形貌的影响。结果表明,焦磷酸盐溶液体系无氰电镀铜-锡合金(低锡)时使用有机胺类添加剂可抑制Sn的析出,使合金镀层致密均匀,耐蚀性能好。镀层结晶主要为Cu13.7Sn结构,镀层中Sn含量为9%～11%。镀液中添加剂的使用量增加,则合金镀层中的Sn含量降低。     

电镀古锡新工艺

介绍了一种金属钮扣电镀古锡的工艺,其主要工序包括除油、卤化物镀锡、氧化发黑、抛光、罩清漆等。给出了各工序的配方及操作条件。该镀锡工艺配方简单,镀液稳定,操作简便,着色后的膜层深黑,牢固。     

Sn含量对Ni-Sn-P合金镀层耐腐蚀性能的影响

制备了不同Sn含量的Ni-Sn-P合金镀层试样,通过能谱仪分析镀层中主要成分,分别考察其耐腐蚀性能,结果表明,Ni-Sn-P合金镀层随Sn含量增加耐腐蚀性能显著提高.     

印制板的表面终饰工艺系列讲座 第三讲 TI-1新型印制板用置换镀锡工艺

TI—1置换镀锡工艺是一种有效取代热风整平的新工艺。介绍了该工艺的特点、工艺流程及规范,以及镀液的配置、维护及成分分析。研究了镀液组成及操作条件对沉积速率的影响。测定了不同条件下锡镀层的焊接性能,结果表明,其焊接性能与化学镀镍／金接近。