GaP直接电光调制特性研究

对淡黄色透明电光晶体ＧａＰ衬底上的共面波导进行了直接电光调制测量．获得了ＧａＰ的输入电压与电光调制输出的线性曲线和２６ｍＶ·Ｈｚ－１２的电压灵敏度,并与ＧａＡｓ直接电光调制特性相对比,分析了ＧａＰ直接电光调制的输出特性     

光纤电压传感器的电光晶体与传感器设计

介绍了光纤电压传感器的敏感材料电光晶体,说明了它们的点群结构和电光特性,阐述了它们可能存在的旋光性、热光效应、热释电效应、自然双折射及其对电压测量精度的影响。指出BGO晶体是目前较理想的用作光纤电压传感器的敏感材料,并介绍了传感器的结构和设计。     

电光晶体光学性质的折射率椭球分析法

本文利用折射率椭球一般性地讨论了电光晶体的光学性质,给出了电光晶体光轴方位和折射率分布的普遍公式。根据这些公式,可以很方便地分析一个具体的电光晶体的光学性质。     

新型可调电光偏转器

本文从理论上探讨了利用压电材料的电光效应来实现光束偏转的可能性,提出了电光偏转器的设计思想,指出电光晶体的最佳候选者为钨青铜型铌酸盐材料。     

电光调制系统设计

调制是光电系统中的一个重要环节.光辐射的调制是指改变光波振幅、强度、相位或频率、偏振等参数使之携带信息的过程.调制的目的是对所需处理的信号或被传输的信息进行某种形式的变换,使之便于处理、传输和检测.目前用得较多的是电光调制、声光调制等方法.文中介绍的电光调制系统主要是验证电光调制原理以及介绍电光调制在激光通信方面的应用,通过此系统了解晶体电光调制的原理和实验方法,以便在此系统中测量晶体的半波电压、电光系数和消光比等参量.     

电光晶体用于快速变焦的设计

在利用晶体的电光效应实现快速变焦时,需要合理地设计电光晶体及电极结构。基于晶体电光效应的基本原理,提出了其设计的基本原则和思路,并通过对一次电光晶体(铌酸锂晶体)和二次电光晶体(钽铌酸钾晶体)内部非均匀电场及其总附加光程的模拟和比较,获得了优化的电光晶体及电极设计结果。在此基础上,开展了电光晶体用于快速变焦设计的性能分析,并讨论了电光晶体长度、外加电压等参数对总附加光程的影响。结果表明:电光晶体的附加光程调制的曲率半径随控制电压增大而减小,在加载电压不变的情况下随晶体厚度的增大而增大。因此,在实际应用中,需要对晶体厚度和加载电压综合进行考虑,以获得最佳的变焦效果。     

基于电光调制的激光功率稳定系统

本文利用电光普克尔效应 ,设计了一个运用电光调制实现激光腔外稳功率输出系统 ,通过实验 ,验证了该系统的实用性 ,并获得了小于0 2 %的激光功率不稳定度。     

La3Ga5SiO14晶体电光Q开关的研究

模拟旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的工作状态．建立了研究旋光晶体电光效应的实验装置。通过对旋光晶体在正交偏光和平行偏光干涉实验中干涉现象的研究，得到了旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的最佳构图，并将典型的旋光晶体La3Ga5SiO14成功地制作成了电光Q开关。     

KDP三维正常声电光器件

给出了三维声电光效应的耦合波方程，推出了其衍射效率的计算公式；讨论了KDP三维正常声电光器件的设计方法，包括晶体切向结构和换能器尺寸的设计；制作了KDP三维正常声电光器件，测试了器件相对衍射效率随直流电压变化的实验曲线，测试结果与理论计算相符合。多维声电光器件在多通道光信号处理和多路光通信领域有广泛应用前景。     

CdTe电光调频晶体用于电光调Q研究

本文研究了CdTe电光调Q晶体及电光调频晶体的调制特性,报道了采用 CdTe电光调频晶体进行电光调 Q的光栅选支射频激励波导 CO2激光器,调 Q激光脉冲重复频率 1Hz～10 kHz可调,在 10 kHz重复频率时,获得激光脉冲峰值功率为 300 W,脉冲宽度为 150 ns.     

光开关在自动交换光网络中的研究与检测技术

作为自动交换光网络中的核心器件,光开关将在未来全光网中发挥着重要作用,并成为未来光联网的关键技术。本文总结光开关实现方法的最新进展,重点介绍电光效应开关和超高速光控开关的工作原理和实际应用。最后阐述我实验室在光开关性能检测方面所做的研究工作.     

电光调Q Nd:YAG固体激光器脉冲展宽研究

从理论上分析了影响调Q激光器脉冲宽度的因素,利用速率方程建立了电光调Q脉冲展宽输出过程中反转粒子数密度、光子数密度、腔损耗之间的变化关系式,并进行了数值模拟,绘出了输出平滑脉冲时的腔损耗变化曲线,在实验中我们设计了合适的谐振腔结构,并通过使用两个闸流管作为高压开关控制KD*P上的电压变化波形,从而控制腔损耗使其满足脉冲展宽的条件,在实验上最终获得了420ns调Q激光脉冲。     

ATM Architectures Using Optical Technology: An Overview of Switching,Buffering and Multiplexing

This overview presents recent studies on photonic switches and discusses the existing different types, such as space-division switches, free-space switches, time-division switches, wavelength division switches, and frequency division switches. The architectures and applications of these switches are also discussed. © 1997 John Wiley & Sons, Ltd.     

A review of high-power switch technology

The basic operation and some of the performance parameters and limitations of various high-power switches with potential for rep-rated operation are summarized. The specific switches included are: thyratrons, ingitrons, liquid metal plasma valve, crossed field tube, vacuum tube, spark gaps (gas, liquid, vacuum, and solid), thyristors, transistors, mechanical switches, vacuum arc opening switch, electron-beam switches, dielectric surface discharge switches, thermally driven opening switches, and superconducting switches.     

Research Progress on Multimode Interference Switches

Optical switches are key components for constructing optical communication networks, so it is necessary to design optical switches and optical switch arrays with high performance and low cost. As one type of optical switches, the multimode interference（MMl） switches have received considerable attention due to their unique merits. The structures and operation principles of various types of MMI switches are introduced, and the recent progresses of MMI switches are also discussed.     

微波电路的MEMS天关进展

开关是微波信号变换的关键元件,和传统的半导体开关相比,射频微机电系统（RF MEMS）开关具有优良的高频特性和固有的重量轻、尺寸小、低功耗等优点,而且其制作工艺和传统的CMOS工艺相兼容。本文较为详细地了串联悬臂梁开关、并联悬臂梁开关和膜开关的工作原理及典型的性能参数。由于其优越的微小特性,MEMS开关已在许多电路和系统中,包括微波前端电路、数字电容器组和移相网络中得到应用。     

光电成像制导系统干扰与抗干扰的性能评估

文章简要阐述了对光电成像制导系统的干扰和抗干扰措施,依据对抗效果及评估准则,概括归纳了五种不同特点的评估方法,最后介绍了评估系统的现状,并指出了对抗性能评估技术的发展方向.     

X波段MEMS膜开关的阻抗分析模型

射频微机械(RF MEMS)开关由于其优越的高频特性在微波和毫米波电路中表现出巨大的应用前景.但是目前对微机械开关的研究主要都集中在开关梁的结构设计和力学分析上,对开关的电磁特性的研究,尤其是开关高频阻抗匹配分析的研究与验证比较少.本文在高频传输线研究的基础上,推导出微机械开关的“开态”阻抗匹配模型,并利用HFSS软件对开关的高频特性进行模拟.其结果有助于设计高性能的RF MEMS开关.     

全光网络中的MEMS光开关研究新进展

光开关是未来全光网络中关键的光交换器件。MEMS技术由于其自身的诸多优点而被认为是目前最有前景的光器件制作技术之一。本文简要论述了MEMS光开关与其他类型光开关的区别,介绍了MEMS光开关的特性,并分别就二维、三维及最近提出的一维MEMS光开关进行了介绍和比较。最后,综合探讨了MEMS光开关目前所面临的各种挑战。     

Switch energies of electronic and optical switches: a simplecomparative study

A comparison of the switch energies of electrically controlled optical absorption switches and electronic switches is performed. It is shown that in the investigated case with quantum box based absorption switches, the switch energies of the optical switches are generally orders of magnitude larger than those of the electronic switches for very high frequencies. Consequences on integration of optical devices as well as on the potential for photonic switching and processing are briefly discussed