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金刚石膜及类金刚石(DLC)膜由于具有宽光谱透过率高、硬度高、摩擦系数小、化学稳定性好等优点,可以作为多种光学材料如硅、锗、玻璃、硫化锌、MgF2,HgCdTe,KCl等的增透/保护膜,起到抗磨损、抗腐蚀、抗潮解和抗氧化的作用.金刚石膜及类金刚石膜已被应用于太阳能硅电池、高功率CO2激光器窗口、潜望镜红外(IR)窗口、飞机前视红外窗口、导弹头罩窗口和宇航探测器等.总结了这一方面的应用和研究进展,展示了金刚石膜及类金刚石膜巨大的优越性与广阔的应用前景. 相似文献
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利用化学腐蚀方法制备硅微尖阵列,利用MW-PCVD工艺生产金刚石膜,利用扫描电镜(SEM),X射线衍初步研究了金刚石膜的性质。表明微尖尖端具有成核优势,金刚石膜择优沿(111)方向生长。 相似文献
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报道了在钼衬底上利用微波等离子体化学气相淀积技术制备金刚石镶嵌非晶碳膜,在硅衬底上用脉冲激光淀积技术(pulsedLaserDeposition)制备类金刚石薄膜,并对其场发射特性和机理进行了进一步的研究。用金刚石镶嵌非晶碳膜作阴极,在2.1V/μm的场强下便有电子发射,最大发射电流密度为4mA/cm2。实验表明,金刚石镶嵌非晶碳膜是制做场效发射冷阴极的合适材料。 相似文献
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硅衬底上外延CVD金刚石膜界面原子排列直接观察尤力平*高巧君(*北京大学电镜室,北京大学物理系,北京100871)CVD金刚石膜作为新型功能材料以其独特的优异性能引起材料工作者极大的兴趣。近年来,异质外延CVD金刚石单晶是国内外研究的热点之一,这是因... 相似文献
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金刚石薄膜热沉在大电流稳压集成电路中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
以丙酮和氢气为反应气体,用大偏流热丝CVD法在硅守底上沉积50-100μm金刚石薄膜制成新的导热绝缘层来替代氧化铍陶瓷,测定了金刚石薄膜的热导率和绝缘电阻率,对绝缘电阻随降低的现象进行了理论解释,并采取了对应的表面处理使电阻率满足实用要求。 相似文献
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类金刚石(DLC)膜具有宽光谱高透射率、高硬度、高热传导及高稳定性等优点,是红外窗口增透保护膜的优选,但现有方法制备的类金刚石膜难以满足高马赫数或海上盐雾等恶劣条件下的应用。激光法相比其他制备方法具有诸多优点,介绍了激光法制备DLC膜的原理及特点,并分析了实现工程应用的难题及关键技术。采用激光沉积法制备出综合性能优异的类金刚石膜,纳米硬度高达44 GPa、内应力仅0.8 GPa、临界刮擦载荷附着力为59.1 mN。正面镀DLC膜,背面镀普通增透膜的硫化锌、硅、锗等红外窗口的平均透射率达82%~91%。实现了150 mm基片的激光法大尺寸均匀薄膜,膜厚不均匀性≤±2%。制备的DLC膜红外窗口通过军标环境适应性试验,并已实现工程化应用。 相似文献
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厚膜多层布线工艺,又称为二次集成技术.其特点是在氧化铝陶瓷基片上装配厚膜多层电路装置.其方法是将电路的导体图形和绝缘玻璃层连续通过丝网漏印、烧结在基片上.二层或更多层导线通过玻璃绝缘层,一层层地进行隔离.同时,在绝缘介质层中的窗口和通道上把TTL、ECL、MOS等硅集成半导体电路,采用键压工艺,组装在厚膜多层布线的窗口中以实现二次集成完成电路的整个功能. 相似文献
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(100)定向CVD金刚石薄膜的制备及其电学性能 总被引:3,自引:0,他引:3
采用HFCVD制备金刚石薄膜的方法,以乙醇为碳源,氢气为载气,在适当的衬底温度下,合成出具有(100)晶面取向均匀生长的金刚石薄膜.SEM,XRD和Raman分析表明,所合成的金刚石薄膜是高质量的多晶(100)取向膜,厚度均匀、化学性能稳定,结构和性能与天然金刚石相接近.研究了室温下(100)取向金刚石薄膜的暗电流电压特性、稳态55Fe 5.9keV X射线辐照下的响应和电容频率特性.结果表明,退火后(100)取向多晶金刚石薄膜具有较低的暗电流和较高的X射线响应;高频下,电容和介电损耗都很小且趋于稳定,不随频率的变化而变化. 相似文献
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采用热丝法,甲醇、丙酮及氢气等离子体在硅衬底上沉积出金刚石薄膜,用透射电镜及拉曼谱分析膜中含有大小不等的金刚石颗粒,膜的厚度为50-100nm。C/Si异质结I-V曲线具有二极管整流特性,可耐高压,击穿场强达10^7V/cm。 相似文献
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利用飞秒激光和纳秒激光分别在氧气氛环境和高真空环境中烧蚀石墨靶材,在硅基底上获得了两种不同的类金刚石膜,通过红外透过曲线的拟合,获得了各自的光学参数;进而设计和制备了不同厚度组合的双层结构类金刚石膜硅基底样品:飞秒激光在氧气氛环境中制备的类金刚石膜具有低折射率、高透过性的特点,所以将其作为双层膜的内层,发挥其红外增透效能;纳秒激光在高真空环境中制备的类金刚石膜具有高硬度、耐蚀性的特点,所以将其作为双层膜的外表层,发挥其抗划、耐蚀的功能。实验测试表明:随着外表保护层厚度的增加,样品的中红外平均透过率逐渐下降0.5%~3%,表面硬度提高7.2~24.7 GPa。碱溶液浸泡试验表明,外表保护层能够承受碱溶液腐蚀,但过薄的保护层不能阻止溶液向膜层内部的渗透,从而使得不具有耐蚀性的红外增透层被腐蚀。研究结果为不同应用目的的双层膜或多层膜结构的设计与制备提供了实验基础。 相似文献
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简述了金刚石兼具物理的和化学的优良性质,尤其是金刚石的半导体电气性质,即宽带隙、高击穿电场、高载流子迁移率和高热导率,成为固态功率器件最有前途的半导体材料之一。介绍了金刚石基的电子器件及其材料生长的研究进展,分析了金刚石膜的导电机理以及材料生长的新技术。重点介绍了采用包括微波等离子体化学汽相淀积(MPCVD)等方法制备金刚石膜、本征单晶生长、硼掺杂等技术。目前在直径为100~200 mm的硅衬底上,可以淀积均匀的超纳米结晶金刚石(UNCD)膜。此外,对金刚石电子学和光电子学的未来进行了展望。 相似文献